发明授权
- 专利标题： 自对准纳米管场效应晶体管及其制造方法
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申请号： CN03806292.5申请日： 2003-02-19
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公开(公告)号： CN1669160B公开(公告)日： 2012-02-01
- 发明人: 乔尔格·阿彭泽勒 , 佩登·阿沃里斯 , 凯文·K·钱 , 菲利普·G·科林斯 , 理查德·马特尔 , 汉森·P·黄
- 申请人： 国际商业机器公司
- 申请人地址： 美国纽约州
- 专利权人： 国际商业机器公司
- 当前专利权人： 格芯美国第二有限责任公司
- 当前专利权人地址： 美国纽约州
- 代理机构： 北京市柳沈律师事务所
- 代理商 李晓舒; 魏晓刚
- 优先权： 10/102,365 2002.03.20 US
- 国际申请： PCT/US2003/007269 2003.02.19
- 国际公布： WO2003/081687 EN 2003.10.02
- 进入国家日期： 2004-09-17
- 主分类号： H01L51/30
- IPC分类号： H01L51/30 ; H01L51/20 ; H01L29/51
摘要：
一种自对准碳纳米管场效应晶体管半导体器件，包括沉积在衬底(102)上的碳纳米管(104)、分别形成在该碳纳米管(104)的第一端和第二端的源极和漏极(106-107)、以及基本形成在该碳纳米管(104)的一部分上并通过介电膜(111)与该碳纳米管隔开的栅极(112)。
公开/授权文献
- CN1669160A 自对准纳米管场效应晶体管及其制造方法 公开/授权日：2005-09-14
IPC分类:
