公开(公告)号：CN103207490A

公开(公告)日：2013-07-17

申请号：CN201310105416.5

申请日：2013-03-28

Applicant: 北京京东方光电科技有限公司

Inventor： 谢振宇 ,  徐少颖 ,  李田生 ,  阎长江

IPC: G02F1/1362 ,  G02F1/1368 ,  G02F1/1333

CPC classification number: H01L27/1443 ,  G02F1/13318 ,  G02F1/133512 ,  G02F2001/133388 ,  H01L27/1446 ,  H01L29/78633 ,  H01L29/78678 ,  H01L31/0203 ,  H01L31/02164 ,  H01L31/202

Abstract: 本发明公开了一种阵列基板及其制造方法和显示装置，用于解决现有液晶显示器不能根据外界环境中光线的强弱自动调节其显示亮度的问题。本发明实施例阵列基板的非显示区域包括至少一个光感应传感器，每个光感应传感器包括位于基板上且用于遮挡背光源发出的光线的遮光层；位于遮光层上的绝缘层；位于绝缘层上的遮光层对应位置上且用于感测外部光线的非晶硅层；位于非晶硅层上的输入电极与输出电极。本发明实施例利用非晶硅层在受到光照的情况下会产生光生载流子的特性，将该光感应传感器的输出电极与光电检测电路连接，从而通过该光感应传感器及光电检测电路能够实时检测外部光线的强弱，并根据外部光线的强弱调整背光源的亮度。

公开(公告)号：CN101971341B

公开(公告)日：2012-10-03

申请号：CN200880127081.4

申请日：2008-12-16

Applicant: 赫普塔冈有限公司

Inventor： M·罗西 ,  H·鲁德曼

IPC: H01L27/146 ,  H01L31/0216

CPC classification number: H01L27/14621 ,  H01L27/14685 ,  H01L31/02164 ,  Y10T29/49826

Abstract: 一种集成光学器件(10)和一种用于通过凭借在包括另外的功能元件(9c)的至少一个另外的晶片(4)上堆叠至少承载作为功能元件的多个透镜(9a、9b)的顶部晶片(2)来产生晶片堆叠(8)、并将该晶片堆叠(8)分离成多个集成光学器件(10)而制造集成光学器件(10)的方法，其中，所述顶部晶片和另外的晶片(2、4)的相应功能元件相互对准并限定多个主光轴(14)，提供遮光板作为集成光学器件(10)的一部分，包括步骤：提供包括多个通孔(6)的遮光板(1)，所述通孔(6)被布置为对应于顶部晶片(2)上的功能元件的布置；将遮光板(1)堆叠在顶部晶片(2)上，通孔(6)与所述主光轴(14)对准。

公开(公告)号：CN102473716A

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN201080036941.0

申请日：2010-07-26

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 织田明博 ,  金子诚二

IPC: H01L27/146 ,  G09F9/00 ,  H01L29/786 ,  H01L31/10

CPC classification number: H01L27/1214 ,  H01L27/14601 ,  H01L31/02164 ,  H01L31/101

Abstract: 即使薄膜二极管的半导体层的厚度薄，也能够提高光利用效率并提高薄膜二极管的光检测灵敏度。另外，防止薄膜二极管的电极通过遮光层发生短路。在基板(101)的一侧，设置包括第一半导体层(131)的薄膜二极管(130)，该第一半导体层(131)至少包含n型区域(131n)和p型区域(131p)，在基板与第一半导体层之间设置有遮光层(160)。在遮光层的与第一半导体层相对的一侧的面形成有氧化金属层(180)。在氧化金属层的与第一半导体层相对的一侧的面形成有凹凸，第一半导体层具有沿着氧化金属层的凹凸的凹凸形状。

公开(公告)号：CN101295722B

公开(公告)日：2011-12-14

申请号：CN200810090225.5

申请日：2008-04-01

Applicant: 冲电气工业株式会社

Inventor： 千叶正

IPC: H01L27/144 ,  H01L23/522 ,  H01L21/84 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L31/02164 ,  H01L27/1203 ,  H01L31/02005 ,  H01L31/02019 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明提供一种半导体器件及其制造方法、光测定装置、光检测装置，使得信号处理电路的动作不会因为未被遮光层遮挡而倾斜入射到信号处理电路的光而变得不稳定，且信号处理电路的动作不会因为由于照射到遮光层上的光产生的浮游电荷的影响而变得不稳定。在SOI基板上形成有受光元件(36)和处理从受光元件(36)输出的信号的信号处理电路(38)的光入射部(12)中，把信号处理电路(38)上的布线层中的最上层作为遮挡太阳光的遮光层(42)，与遮光层(42)电连接的多个接触插头(52)沿着遮光层的端部在SOI基板的厚度方向上层叠。多个接触插头(52)形成为接地或者足够抽出产生于遮光层的浮游电荷的电位。

公开(公告)号：CN102246300A

公开(公告)日：2011-11-16

申请号：CN200980151552.X

申请日：2009-12-10

Applicant: 美商豪威科技股份有限公司

Inventor： C·A·蒂瓦拉斯 ,  J·P·麦卡特恩 ,  J·R·萨马

IPC: H01L27/146 ,  H01L23/552 ,  G02B5/20 ,  H01L31/0232

CPC classification number: G02B5/208 ,  H01L27/1462 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14689 ,  H01L31/02164 ,  H01L31/0232

Abstract: 本发明揭示一种图像传感器，其包含布置在绝缘层与彩色滤光器阵列(CFA)层之间的一个或多个紫外光(UV)滤光层。该一个或多个UV光滤光层系在透射可见光的同时反射或吸收UV光。

公开(公告)号：CN101997053A

公开(公告)日：2011-03-30

申请号：CN201010260696.3

申请日：2010-08-20

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 黑川义元 ,  池田隆之

IPC: H01L31/101 ,  H01L31/0232 ,  G02F1/133 ,  G02F1/13357

CPC classification number: H01L31/02327 ,  G02F1/133514 ,  G02F2001/13312 ,  H01L27/1446 ,  H01L27/14618 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/3269 ,  H01L31/02164 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及光电检测器、液晶显示器件和发光器件。本发明的一种实施例包括在透光基板之上的第一挡光层和第二挡光层，在第一挡光层之上的第一光电二极管，在第二挡光层之上的第二光电二极管，覆盖第一光电二极管的第一彩色滤光片，覆盖第二光电二极管的第二彩色滤光片，以及使用第一彩色滤光片和第二彩色滤光片形成的并布置于第一光电二极管和第二光电二极管之间的第三挡光层。

公开(公告)号：CN101369556B

公开(公告)日：2010-11-03

申请号：CN200810145904.8

申请日：2006-01-17

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 笠野真弘 ,  稻叶雄一 ,  山口琢己

IPC: H01L21/822 ,  H01L27/146 ,  G02B5/20 ,  G02B5/28

CPC classification number: G02B5/201 ,  G01J3/513 ,  G02B5/285 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/14625 ,  H01L27/14685 ,  H01L31/02162 ,  H01L31/02164 ,  H01L31/02165

Abstract: 本发明揭示了一种固态成像装置及其制造方法。将光电转换器二维设置在半导体衬底中。在该半导体衬底和光电转换器上依次形成平坦化层、遮光膜、另一平坦化层和聚光透镜。该遮光膜在对应于光电转换器的位置具有孔。在这些孔中设置能透射光的红色、绿色或蓝色波长成分的多层干涉滤光片。

公开(公告)号：CN101611499A

公开(公告)日：2009-12-23

申请号：CN200880004656.3

申请日：2008-05-19

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 佐藤昌和 ,  加藤浩巳 ,  B·J·哈德文

IPC: H01L31/10 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  G02F1/1368

CPC classification number: H01L31/02164 ,  G01J1/4204 ,  G01J2001/0276 ,  G02F1/136209 ,  H01L27/12 ,  H01L29/78633 ,  H01L31/02019 ,  H01L31/035281 ,  H01L31/112

Abstract: 本发明提供一种显示装置。对从玻璃基板(314)侧到达PIN光电二极管(413)的光进行遮光的光屏蔽部(204)由导电体形成，从电源电路(266)向光屏蔽部(204)施加与PIN光电二极管(413)的阴极相同的基准电位(Vr－nVoc)。由此，实现能够进一步减少到周围光传感器所使用的光电转换元件的感应噪声的显示装置。

公开(公告)号：CN100504454C

公开(公告)日：2009-06-24

申请号：CN200610004002.3

申请日：2006-01-17

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 笠野真弘 ,  稻叶雄一 ,  山口琢己

IPC: G02B5/20 ,  H01L27/14 ,  H04N5/335

CPC classification number: G02B5/201 ,  G01J3/513 ,  G02B5/285 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/14625 ,  H01L27/14685 ,  H01L31/02162 ,  H01L31/02164 ,  H01L31/02165

Abstract: 将光电转换器二维设置在半导体衬底中。在该半导体衬底和光电转换器上依次形成平坦化层、遮光膜、另一平坦化层和聚光透镜。该遮光膜在对应于光电转换器的位置具有孔。在这些孔中设置能透射光的红色、绿色或蓝色波长成分的多层干涉滤光片。

公开(公告)号：CN100458535C

公开(公告)日：2009-02-04

申请号：CN200510103633.6

申请日：2005-09-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 边宰成 ,  闵勋基 ,  李仁成 ,  林铉洙

IPC: G02F1/136 ,  H01L29/786

CPC classification number: G02F1/136227 ,  G02F1/1368 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14623 ,  H01L31/02162 ,  H01L31/02164

Abstract: 本发明公开了一种阵列基片，其包括：透明基片、开关元件、绝缘层以及像素电极。开关元件包括：形成于透明基片上，并与栅线相连接的栅极、形成于栅极上，并在平行于所述栅极的第一方向上延伸的通道层、形成于透明基片上，与源线相连接的源极、以及形成于通道层上用以覆盖通道层的漏极。绝缘层具有接触孔以用于使漏极和透明基片部分暴露。像素电极通过接触孔可以与漏极相连接。当上述阵列基片用于液晶显示面板时，阵列基片可以减少像素缺陷。