-
公开(公告)号：CN103178205A
公开(公告)日：2013-06-26
申请号：CN201210560542.5
申请日：2012-12-20
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L43/08 , G11C11/161 , G11C11/5607 , H01F10/3254 , H01F10/3286 , H01F10/3295
Abstract: 本发明涉及磁性结、其提供方法以及包括该磁性结的磁存储器。方法和系统提供可用于磁器件中的磁性结。所述磁性结包括被钉扎层、非磁间隔层、自由层、至少一个绝缘层、和邻接所述至少一个绝缘层的至少一个磁插入层。所述非磁间隔层位于所述被钉扎层和所述自由层之间。所述至少一个绝缘层与所述自由层和所述被钉扎层中的至少一个相邻。所述至少一个磁插入层邻接所述至少一个绝缘层。在一些方面，绝缘层包括镁氧化物、铝氧化物、钽氧化物、钌氧化物、钛氧化物、以及镍氧化物的至少其中之一。所述磁性结被配置为使得当写电流通过所述磁性结时所述自由层在多个稳定磁状态之间可切换。
-
公开(公告)号：CN101855727B
公开(公告)日：2013-02-13
申请号：CN200880115280.3
申请日：2008-11-04
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L29/66984 , B82Y25/00 , H01F1/401 , H01F1/404 , H01F10/1933 , H01F10/1936 , H01F10/3254 , H01F10/3295 , H01L29/82
Abstract: 本发明公开了自旋晶体管及操作该自旋晶体管的方法。所公开的自旋晶体管包括：沟道，由磁性材料形成且使具有特定方向的自旋极化电子选择性地通过；源极，由磁性材料形成；漏极；以及栅极电极。当预定电压施加到栅极电极时，沟道使具有特定方向的自旋极化电子选择性地通过，从而自旋晶体管被选择性地开启。
-
公开(公告)号：CN101183704B
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN200710152798.1
申请日：2007-09-21
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: G11B5/3909 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , B82Y40/00 , G01R33/093 , G01R33/098 , G11B5/3906 , H01F10/3204 , H01F10/3254 , H01F10/3272 , H01F10/3295 , H01F41/303 , H01L43/08 , H01L43/12 , Y10T428/1114
Abstract: 一种隧道磁阻器件、其制造方法、磁头及磁存储器，在该隧道磁阻器件中，势垒层设置在被钉扎层上，该被钉扎层由具有固定磁化方向的铁磁材料制成，该势垒层具有允许电子以隧道现象穿过的厚度。第一自由层设置在该势垒层上，该第一自由层由在外部磁场下磁化方向发生改变的非晶或微晶软磁材料制成。第二自由层设置在该第一自由层上，该第二自由层由在外部磁场下磁化方向发生改变的晶体软磁材料制成，该第二自由层与该第一自由层交互耦合。在第一与第二自由层之间设置有结晶抑制层，该结晶抑制层通过延续第二自由层的晶体结构来防止第一自由层结晶。本发明提供了具有良好的磁特性并且可抑制隧道电阻变化率变低的隧道磁阻器件。
-
公开(公告)号：CN1591673B
公开(公告)日：2011-06-22
申请号：CN200410056683.9
申请日：2004-08-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/15
CPC classification number: B82Y25/00 , G11C11/15 , H01F10/3204 , H01F10/3254 , H01F10/3272 , H01F10/3295 , H01L43/08
Abstract: 本发明公开了一种磁隧道结及包括它的存储器件。该磁隧道结器件包括磁可编程自由磁性层。该自由磁性层包含至少两层铁磁层和夹在该至少两层铁磁层之间的至少一中间层的叠层。
-
公开(公告)号：CN101183704A
公开(公告)日：2008-05-21
申请号：CN200710152798.1
申请日：2007-09-21
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: G11B5/3909 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , B82Y40/00 , G01R33/093 , G01R33/098 , G11B5/3906 , H01F10/3204 , H01F10/3254 , H01F10/3272 , H01F10/3295 , H01F41/303 , H01L43/08 , H01L43/12 , Y10T428/1114
Abstract: 一种隧道磁阻器件、其制造方法、磁头及磁存储器，在该隧道磁阻器件中，势垒层设置在被钉扎层上，该被钉扎层由具有固定磁化方向的铁磁材料制成，该势垒层具有允许电子以隧道现象穿过的厚度。第一自由层设置在该势垒层上，该第一自由层由在外部磁场下磁化方向发生改变的非晶或细晶软磁材料制成。第二自由层设置在该第一自由层上，该第二自由层由在外部磁场下磁化方向发生改变的晶体软磁材料制成，该第二自由层与该第一自由层交互耦合。本发明提供了具有良好的磁特性并且可抑制隧道电阻变化率变低的隧道磁阻器件。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100338652C
公开(公告)日：2007-09-19
申请号：CN200410094672.X
申请日：2004-11-12
Applicant: 日立环球储存科技荷兰有限公司
Inventor： 詹姆斯·M·弗赖塔格 , 马斯塔法·M·皮纳巴西
IPC: G11B5/39
CPC classification number: H01F41/302 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , B82Y40/00 , G11B5/00 , G11B5/3903 , G11B5/3909 , G11B5/656 , G11B2005/3996 , H01F10/3254 , H01F10/3281 , H01F10/3295 , H01L43/08
Abstract: 本发明公开一种为磁存储装置的自由层提供磁致伸缩控制的方法和设备。自由层可使用相同目标成分，但是在不改变磁致伸缩比率ΔR/R的条件下通过改变相对厚度值来获得要求的磁致伸缩。该方法包括：形成被钉扎层；在所述被钉扎层上面形成隔离层；形成具有第一厚度的第一自由层；及形成具有第二厚度的第二自由层，选择所述第一厚度和第二厚度的比率来提供要求的磁致伸缩。
-
公开(公告)号：CN101000943A
公开(公告)日：2007-07-18
申请号：CN200610168967.6
申请日：2006-12-15
Applicant: 希捷科技有限公司
CPC classification number: G01R33/093 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , G11B5/3906 , G11B5/3909 , H01F10/3254 , H01F10/3272 , H01F10/3295 , H01L43/08 , Y10T428/1114 , Y10T428/1121
Abstract: 一种磁性传感器包括传感器叠层，该传感器叠层包括第一磁性部分、第二磁性部分以及在第一磁性部分和第二磁性部分之间的阻挡层。第一磁性部分和第二磁性部分中的至少一个包括多层结构，该多层结构具有毗邻阻挡层并带有正磁致伸缩的第一磁性层、第二磁性层、以及在第一磁性层和第二磁性层之间的中间层。该磁性传感器在磁性传感器具有约1.0Ω·μm2的电阻－面积(RA)积时呈现出至少约80％的磁阻比。
-
公开(公告)号：CN1746979A
公开(公告)日：2006-03-15
申请号：CN200510087864.2
申请日：2005-08-01
Applicant: 日立环球储存科技荷兰有限公司
Inventor： 丹尼尔·莫里
CPC classification number: C23C14/025 , B82Y25/00 , B82Y40/00 , C23C14/0036 , C23C14/081 , C23C14/34 , G11B5/3903 , G11C11/16 , H01F10/3254 , H01F10/3295 , H01F41/18 , H01F41/307 , H01F41/32 , H01L43/12
Abstract: 本发明涉及一种形成MTJ中隧道势垒的方法。作为磁隧道结的制造的一部分，在反应氧气(O2)中在“高电压”态下从Mg靶反应溅射沉积氧化镁隧道势垒，从而确保当Mg靶在其金属模式也就是没有或最小的氧化时发生该沉积。因为Mg靶的金属模式具有有限寿命，所以确定一组O2流速和相关联的溅射沉积时间，每个流速和沉积时间确保当Mg靶在其金属模式时发生该沉积并且产生已知的隧道势垒厚度。不需要的Mg靶氧化的开始和靶电压的下降相关联，因此也可通过监控靶电压并且当该电压达到预定值时终止向该靶的电源施加从而终止该溅射。
-
公开(公告)号：CN1726601A
公开(公告)日：2006-01-25
申请号：CN200380106155.3
申请日：2003-12-16
Applicant: 日本电气株式会社
CPC classification number: G11B5/3906 , B82Y25/00 , G01R33/093 , G01R33/098 , H01F10/3254 , H01F10/3295 , H01L43/08
Abstract: 本发明提供一种磁阻抗器件，具备反强磁性层(5)、固定强磁性层(20)、隧道绝缘层(9)、和自由强磁性层(21)。固定强磁性层(20)被接合于反强磁性层(5)上，具有固定自发磁化。隧道绝缘层(9)被接合于固定强磁性层(20)上，是非磁性。自由强磁性层(21)被接合于隧道绝缘层(9)上，具有可反转的自由自发磁化。固定强磁性层(20)具备防止构成反强磁性层(5)的材料的至少一种扩散到隧道绝缘层(9)之第1复合磁性层(6)。
-
公开(公告)号：CN1223998C
公开(公告)日：2005-10-19
申请号：CN01137453.5
申请日：2001-11-15
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: B82Y25/00 , B82Y10/00 , G11B5/3903 , G11B5/3909 , G11B5/3916 , G11B2005/3996 , H01F10/324 , H01F10/3268 , H01F10/3272 , H01F10/3295
Abstract: 一种磁致电阻元件，包括磁性衬底；磁性层；和位于磁性衬底和磁性层之间的非磁性层。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
65
records
(took 0.02 seconds)
