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公开(公告)号：CN102272846B
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：CN200980154227.9
申请日：2009-12-02
Applicant: 希捷科技有限公司
CPC classification number: H01F10/329 , B82Y25/00 , G01R33/098 , G01R33/1284 , G11C11/1659 , G11C11/1673 , G11C11/1675 , H01F10/3254
Abstract: 用于使用单向写电流在诸如改良的STRAM单元等非易失性存储器单元中存储不同逻辑状态的方法与装置。在一些实施例中，存储器单元具有与被包覆的导体相邻的未固定铁磁基准层、铁磁存储层、以及在基准层与存储层之间的隧穿阻挡体。电流沿着被包覆导体的通过在基准层中感生所选磁性取向，所选磁性取向通过隧穿阻挡体转移以用于由存储层来存储。此外，施加步骤的取向由与导体相邻的包层提供，电流沿着该导体被传递，且电流在所选磁性取向的包层中感生磁场。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102272964A
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：CN200980153752.9
申请日：2009-11-11
Applicant: 希捷科技有限公司
CPC classification number: H01L43/08 , H01L43/12 , Y10T428/1114 , Y10T428/1143
Abstract: 磁性隧穿结单元与制造磁性隧穿结单元的方法，该磁性隧穿结包括至少紧邻单元的铁磁自由层(112)延伸的放射状保护层(120)。可特定地选择该放射状保护层的厚度、沉积方法、材料成分、和/或沿着单元层的程度以便增强自由层的有效磁性质，有效磁性质包括有效矫顽力、有效磁各向异性、有效磁矩散布、或有效自旋极化。
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公开(公告)号：CN102272964B
公开(公告)日：2015-06-24
申请号：CN200980153752.9
申请日：2009-11-11
Applicant: 希捷科技有限公司
CPC classification number: H01L43/08 , H01L43/12 , Y10T428/1114 , Y10T428/1143
Abstract: 磁性隧穿结单元与制造磁性隧穿结单元的方法，该磁性隧穿结包括至少紧邻单元的铁磁自由层(112)延伸的放射状保护层(120)。可特定地选择该放射状保护层的厚度、沉积方法、材料成分、和/或沿着单元层的程度以便增强自由层的有效磁性质，有效磁性质包括有效矫顽力、有效磁各向异性、有效磁矩散布、或有效自旋极化。
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公开(公告)号：CN103761977A
公开(公告)日：2014-04-30
申请号：CN201410045202.8
申请日：2006-12-15
Applicant: 希捷科技有限公司
CPC classification number: G01R33/093 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , G11B5/3906 , G11B5/3909 , H01F10/3254 , H01F10/3272 , H01F10/3295 , H01L43/08 , Y10T428/1114 , Y10T428/1121
Abstract: 本申请涉及包括传感增强层的磁性传感器件，该磁性传感器包括传感器叠层，该传感器叠层包括第一磁性部分、第二磁性部分以及在第一磁性部分和第二磁性部分之间的阻挡层。第一磁性部分和第二磁性部分中的至少一个包括多层结构，该多层结构具有毗邻阻挡层并带有正磁致伸缩的第一磁性层、第二磁性层、以及在第一磁性层和第二磁性层之间的中间层。该磁性传感器在磁性传感器具有约1.0Ω·μm2的电阻-面积（RA）积时呈现出至少约80％的磁阻比。
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公开(公告)号：CN101000943A
公开(公告)日：2007-07-18
申请号：CN200610168967.6
申请日：2006-12-15
Applicant: 希捷科技有限公司
CPC classification number: G01R33/093 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , G11B5/3906 , G11B5/3909 , H01F10/3254 , H01F10/3272 , H01F10/3295 , H01L43/08 , Y10T428/1114 , Y10T428/1121
Abstract: 一种磁性传感器包括传感器叠层，该传感器叠层包括第一磁性部分、第二磁性部分以及在第一磁性部分和第二磁性部分之间的阻挡层。第一磁性部分和第二磁性部分中的至少一个包括多层结构，该多层结构具有毗邻阻挡层并带有正磁致伸缩的第一磁性层、第二磁性层、以及在第一磁性层和第二磁性层之间的中间层。该磁性传感器在磁性传感器具有约1.0Ω·μm2的电阻－面积(RA)积时呈现出至少约80％的磁阻比。
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公开(公告)号：CN102272846A
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：CN200980154227.9
申请日：2009-12-02
Applicant: 希捷科技有限公司
CPC classification number: H01F10/329 , B82Y25/00 , G01R33/098 , G01R33/1284 , G11C11/1659 , G11C11/1673 , G11C11/1675 , H01F10/3254
Abstract: 用于使用单向写电流在诸如改良的STRAM单元等非易失性存储器单元中存储不同逻辑状态的方法与装置。在一些实施例中，存储器单元具有与被包覆的导体相邻的未固定铁磁基准层、铁磁存储层、以及在基准层与存储层之间的隧穿阻挡体。电流沿着被包覆导体的通过在基准层中感生所选磁性取向，所选磁性取向通过隧穿阻挡体转移以用于由存储层来存储。此外，施加步骤的取向由与导体相邻的包层提供，电流沿着该导体被传递，且电流在所选磁性取向的包层中感生磁场。
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