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公开(公告)号：CN100421223C
公开(公告)日：2008-09-24
申请号：CN200510009403.3
申请日：2005-02-05
Applicant: 硅电子股份公司
IPC: H01L21/304 , B24B7/17
CPC classification number: H01L21/02013 , B24B7/17 , B24B7/228 , B24D7/14
Abstract: 本发明涉及一种生产半导体晶片的方法，包括双面磨削半导体晶片，其中，在半导体晶片的两侧采用磨具同时先粗磨削，然后精磨削其中，在粗磨削与精磨削之间的半导体晶片仍然被夹持在磨床上，并且在从粗磨削过渡到精磨削过程中，磨具继续施加基本恒定的载荷。本发明还涉及进行该生产方法的装置及所生产的半导体晶片，所生产的半导体晶片的前表面在2毫米×2毫米区域的测量窗中具有少于16纳米的局部平坦值，在10毫米×10毫米区域的测量窗中具有少于40纳米的局部平坦值。
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公开(公告)号：CN1991523A
公开(公告)日：2007-07-04
申请号：CN200610090311.7
申请日：2006-06-29
Applicant: LG.菲利浦LCD株式会社
IPC: G02F1/1337 , G02F1/1333
CPC classification number: G02F1/133784 , B24B7/228 , B24B19/028 , G02F1/1303 , G02F1/13378 , G02F2001/133761
Abstract: 本发明提供了一种用于液晶显示器件定向层的摩擦系统，其包括：摩擦台，其上设置有上面具有定向层的基板；设置在摩擦台上从而与定向层接触的摩擦辊，摩擦辊上缠绕有摩擦布，该摩擦辊用于通过旋转来摩擦定向层；和控制单元，其根据施加给定向层的定向控制力通过同时抬高和降低摩擦台和摩擦辊来使摩擦辊接触到定向层，从而控制定向层的摩擦。
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公开(公告)号：CN1677623A
公开(公告)日：2005-10-05
申请号：CN200510059595.9
申请日：2005-03-30
Applicant: 株式会社迪思科
Inventor： 荒井一尚
IPC: H01L21/304 , H01L21/68 , H01L21/301 , H01L21/02
CPC classification number: H01L21/02043 , B24B7/228 , B24B41/068 , H01L21/304 , H01L21/78
Abstract: 本发明即使对于薄的晶片加工时也可以容易地进行处理。在晶片(W)的表面之中的、不形成器件的外周剩余区域上接合环状保护构件(12)，在该状态下保持表面侧并研削背面(Wb)。由于环状保护构件(12)增强外周，所以在由研削而变薄后，处理变得容易。
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公开(公告)号：CN1652307A
公开(公告)日：2005-08-10
申请号：CN200510009403.3
申请日：2005-02-05
Applicant: 硅电子股份公司
IPC: H01L21/304 , B24B7/17
CPC classification number: H01L21/02013 , B24B7/17 , B24B7/228 , B24D7/14
Abstract: 本发明涉及一种生产半导体晶片的方法，包括双面磨削半导体晶片，其中，在半导体晶片的两侧采用磨具同时先粗磨削，然后精磨削其中，在粗磨削与精磨削之间的半导体晶片仍然被夹持在磨床上，并且在从粗磨削过渡到精磨削过程中，磨具继续施加基本恒定的载荷。本发明还涉及进行该生产方法的装置及所生产的半导体晶片，所生产的半导体晶片的前表面在2毫米×2毫米区域的测量窗中具有少于16纳米的局部平坦值，在10毫米×10毫米区域的测量窗中具有少于40纳米的局部平坦值。
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公开(公告)号：CN1486487A
公开(公告)日：2004-03-31
申请号：CN01822115.7
申请日：2001-11-20
Applicant: 新科实业有限公司
IPC: G11B5/48
CPC classification number: B24B37/046 , B24B7/228 , G11B5/455 , G11B5/82 , G11B5/8404 , G11B23/505
Abstract: 公开一种用于在工作期间、诸如在动态电测试过程中、处理(例如抛光以去除缺陷)诸如硬磁盘的媒体表面的系统和方法。还公开一种用于制造处理所述媒体表面的抛光头的方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1126639C
公开(公告)日：2003-11-05
申请号：CN98116767.5
申请日：1998-07-31
Applicant: 株式会社迪思科
IPC: B24B57/02 , B24B37/04 , H01L21/304
CPC classification number: B28D5/029 , B24B7/228 , B24B55/02 , B24D7/10 , B28D5/0076 , B28D5/0082 , B28D5/023
Abstract: 本发明提供一种磨削半导体晶片的方法，它是在一边把加工液供给加工工具与被加工物的接触部、一边进行各种加工中不会引起加工精度降低和由加工形成的产品质量的降低，能节省加工液用量的。它在加工装置上设置气体喷出机构，以使加工液强制地侵入到加工工具和被加工物的接触部里地喷出气体；借助从气体喷出机构喷出的空气等气体，使加工液集中到加工工具和被加工物的接触部里，由此提高接触部的冷却效果。
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公开(公告)号：CN1099127C
公开(公告)日：2003-01-15
申请号：CN96197135.5
申请日：1996-09-19
Applicant: 美国3M公司
Inventor： W·J·布鲁克斯福尔特 , S·R·卡勒 , K·L·霍 , D·A·卡萨基 , C·R·凯塞尔 , T·P·克隆 , H·K·克兰兹 , R·P·梅斯纳 , R·J·韦布 , J·P·威廉斯
IPC: H01L21/304 , H01L21/3105 , B24D3/16 , H01L21/321
CPC classification number: B24B53/017 , B24B7/228 , B24B21/04 , B24B37/042 , B24D3/28 , B24D11/00 , H01L21/31053
Abstract: 一种半导体晶片暴露表面的修整方法，它包括如下步骤：(a)使所述表面与三维、有网纹、粘固的磨料制品接触，所述的磨料制品含有按预定图案形式排列的许多磨料颗粒和粘结剂；(b)使所述半导体晶片与所述粘固磨料制品作相对运动，以修整所述半导体晶片的表面。
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公开(公告)号：CN1221174A
公开(公告)日：1999-06-30
申请号：CN98126347.X
申请日：1998-12-28
Applicant: 日本碍子株式会社
Inventor： 内藤努
CPC classification number: G11B5/7315 , B24B7/228 , B24B41/047 , G11B5/8404
Abstract: 一个加工平板用固化具有特定晶粒尺寸的磨粒的方法制成,将工作平板的旋转中心对齐加工平板的外圆周安装。然后,通过使加工平板和工作平板相对滑动来进行磨削加工,以使加工平板上和工作平板上的磁盘基体材料之间的接触区域的轨迹一致。本发明提供一种磁盘基体中间产品及其制造工艺,可以用包括无机材料如玻璃等做原料来生产这种磁盘基体,其加工精度高、表面粗糙度小,没有凹坑等表面缺陷,并能以较低成本进行制造。
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公开(公告)号：CN109129028A
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201710450127.7
申请日：2017-06-15
Applicant: 北京天科合达半导体股份有限公司 , 新疆天科合达蓝光半导体有限公司 , 北京天科合达新材料有限公司
CPC classification number: B24B1/00 , B24B7/228 , B24B27/0076 , B24B37/0056 , B24B37/044 , B24B37/08 , B24B37/16
Abstract: 本发明属于半导体材料加工技术领域，具体涉及一种高效的碳化硅晶片的加工方法，包括晶片倒角、双面机械研磨、砂轮抛光、双面化学机械抛光。本发明采用金刚石砂轮抛光衔接双面机械研磨和双面化学机械抛光，摒弃传统单面加工方法中的有蜡贴片程序，极大的优化了加工工艺流程，同时提高了晶片加工的自动化程度和精度，得到了低翘曲度、高表面质量的碳化硅晶片。该发明方法极大的简化了晶片加工流程，提高了加工效率，有利于商业化大规模生产。
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公开(公告)号：CN108942453A
公开(公告)日：2018-12-07
申请号：CN201810830605.1
申请日：2018-07-26
Applicant: 苏州润桐专利运营有限公司
Inventor： 黄家旺
CPC classification number: B24B7/06 , B24B7/228 , B24B41/00 , B24B41/005 , B24B41/007 , B24B41/06 , B24B55/02
Abstract: 本发明涉及单晶硅加工装置领域，特别涉及到一种单晶硅的磨削装置，包括：一底座，该底座具有：一助推装置，助推装置安装在底座的的右表面并具有:一稳定装置，稳定装置安装在助推装置的液压块内槽中，通过稳定装置能减少磨削时带来的震动并具有：一第一冷却管，以及一控制装置，该控制装置安装在稳定装置的套管外表面，对稳定装置进行调节控制提高稳定效率，一控制箱控制箱安装在底座的左后方，用于控制整个装置的运作。本发明结构简单，且能够在单晶硅多片磨削加工时减少人工找正的时间，增加工作效率同时在需要多面磨削时自动翻面减少人工的干预，增加精密度，减少人工接触的危害。
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