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公开(公告)号：CN1197543A
公开(公告)日：1998-10-28
申请号：CN96197135.5
申请日：1996-09-19
Applicant: 美国3M公司
Inventor： W·J·布鲁克斯福尔特 , S·R·卡勒 , K·L·霍 , D·A·卡萨基 , C·R·凯塞尔 , T·P·克隆 , H·K·克兰兹 , R·P·梅斯纳 , R·J·韦布 , J·P·威廉斯
IPC: H01L21/3105 , H01L21/321 , B24D3/16
CPC classification number: B24B53/017 , B24B7/228 , B24B21/04 , B24B37/042 , B24D3/28 , B24D11/00 , H01L21/31053
Abstract: 一种半导体晶片暴露表面的修整方法,它包括如下步骤:(a)使所述表面与三维、有网纹、粘固的磨料制品接触,所述的磨料制品含有按预定图案形式排列的许多磨料颗粒和粘结剂;(b)使所述半导体晶片与所述粘固磨料制品作相对运动,以修整所述半导体晶片的表面。
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公开(公告)号：CN1099127C
公开(公告)日：2003-01-15
申请号：CN96197135.5
申请日：1996-09-19
Applicant: 美国3M公司
Inventor： W·J·布鲁克斯福尔特 , S·R·卡勒 , K·L·霍 , D·A·卡萨基 , C·R·凯塞尔 , T·P·克隆 , H·K·克兰兹 , R·P·梅斯纳 , R·J·韦布 , J·P·威廉斯
IPC: H01L21/304 , H01L21/3105 , B24D3/16 , H01L21/321
CPC classification number: B24B53/017 , B24B7/228 , B24B21/04 , B24B37/042 , B24D3/28 , B24D11/00 , H01L21/31053
Abstract: 一种半导体晶片暴露表面的修整方法，它包括如下步骤：(a)使所述表面与三维、有网纹、粘固的磨料制品接触，所述的磨料制品含有按预定图案形式排列的许多磨料颗粒和粘结剂；(b)使所述半导体晶片与所述粘固磨料制品作相对运动，以修整所述半导体晶片的表面。
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公开(公告)号：CN1068815C
公开(公告)日：2001-07-25
申请号：CN97197153.6
申请日：1997-08-06
Applicant: 美国3M公司
CPC classification number: B24B37/245 , B24B37/22 , B24D3/001 , B24D3/28
Abstract: 公开一种用来修整工件(如半导体晶片)表面的磨料结构。所述磨料结构包含：三维、有纹理、粘固的磨料构件；至少一种弹性构件，它一般与粘固的磨料构件共同扩展；和至少一种刚性构件，它一般与弹性构件和粘固的磨料构件共同扩展，并位于这两者之间，所述刚性构件的杨氏模量大于弹性构件的杨氏模量。
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公开(公告)号：CN1227519A
公开(公告)日：1999-09-01
申请号：CN97197153.6
申请日：1997-08-06
Applicant: 美国3M公司
CPC classification number: B24B37/245 , B24B37/22 , B24D3/001 , B24D3/28
Abstract: 公开一种用来修整工件(如半导体晶片)表面的磨料结构。所述磨料结构包含：三维、有纹理、粘固的磨料构件；至少一种弹性构件，它一般与粘固的磨料构件共同扩展；和至少一种刚性构件，它一般与弹性构件和粘固的磨料构件共同扩展，并位于这两者之间，所述刚性构件的杨氏模量大于弹性构件的杨氏模量。
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