一种烧结钕铁硼固废的再生利用方法

    公开(公告)号:CN115775683A

    公开(公告)日:2023-03-10

    申请号:CN202211710525.5

    申请日:2022-12-29

    Abstract: 本发明涉及稀土永磁材料技术领域,公开了一种烧结钕铁硼固废的再生利用方法,该方法包括以下步骤:S10、将Tb71.5Fe28.5合金进行破碎、研磨,得到微米级的合金粉末;S20、将烧结钕铁硼固废进行氢爆和气流磨破碎,得到微米级的废料粉末;S30、在N2氛围下,将所述合金粉末和废料粉末混合,然后将得到的混合物进行取向成型和冷等静压,将得到的压坯进行烧结和时效处理,得到再生钕铁硼磁体;其中,步骤S30中,以所述混合物的总质量为基准,所述合金粉末的含量不高于3wt%。本发明提供的方法中,以钕铁硼固废为原料,并通过添加低熔点Tb71.5Fe28.5合金,提高了再生钕铁硼磁体的磁性能和抗腐蚀性能,从而得到了综合性能优异的再生钕铁硼磁体。

    具有支撑结构的T型栅及其制备方法和半导体功率器件

    公开(公告)号:CN112713185B

    公开(公告)日:2022-07-22

    申请号:CN202011521501.6

    申请日:2020-12-21

    Abstract: 本发明涉及一种具有支撑结构的T型栅及其制备方法和半导体功率器件,该具有支撑结构的T型栅,生长在具有钝化层的半导体基片上,包括栅帽、栅脚和若干栅支柱,其中,栅帽位于半导体基片的上方;栅脚的一端与栅帽的底面中部连接,另一端穿过钝化层生长在半导体基片上;若干栅支柱沿栅宽方向间隔设置在栅帽底部的两侧,且栅支柱的底部与钝化层连接。本发明的具有支撑结构的T型栅,在栅帽两侧沿栅宽方向相间隔设置有栅支柱,在提高栅脚的高度的同时不增加钝化层厚度,不影响寄生电容,提高了器件在高频下的性能。

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