公开(公告)号：CN112713185B

公开(公告)日：2022-07-22

申请号：CN202011521501.6

申请日：2020-12-21

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 张鹏 ,  陈俊文 ,  马晓华 ,  王明飞 ,  王凯

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/40 ,  H01L29/772

Abstract: 本发明涉及一种具有支撑结构的T型栅及其制备方法和半导体功率器件，该具有支撑结构的T型栅，生长在具有钝化层的半导体基片上，包括栅帽、栅脚和若干栅支柱，其中，栅帽位于半导体基片的上方；栅脚的一端与栅帽的底面中部连接，另一端穿过钝化层生长在半导体基片上；若干栅支柱沿栅宽方向间隔设置在栅帽底部的两侧，且栅支柱的底部与钝化层连接。本发明的具有支撑结构的T型栅，在栅帽两侧沿栅宽方向相间隔设置有栅支柱，在提高栅脚的高度的同时不增加钝化层厚度，不影响寄生电容，提高了器件在高频下的性能。

公开(公告)号：CN112713185A

公开(公告)日：2021-04-27

申请号：CN202011521501.6

申请日：2020-12-21

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 张鹏 ,  陈俊文 ,  马晓华 ,  王明飞 ,  王凯

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/40 ,  H01L29/772

Abstract: 本发明涉及一种具有支撑结构的T型栅及其制备方法和半导体功率器件，该具有支撑结构的T型栅，生长在具有钝化层的半导体基片上，包括栅帽、栅脚和若干栅支柱，其中，栅帽位于半导体基片的上方；栅脚的一端与栅帽的底面中部连接，另一端穿过钝化层生长在半导体基片上；若干栅支柱沿栅宽方向间隔设置在栅帽底部的两侧，且栅支柱的底部与钝化层连接。本发明的具有支撑结构的T型栅，在栅帽两侧沿栅宽方向相间隔设置有栅支柱，在提高栅脚的高度的同时不增加钝化层厚度，不影响寄生电容，提高了器件在高频下的性能。