公开(公告)号：CN110203967A

公开(公告)日：2019-09-06

申请号：CN201910603808.1

申请日：2019-07-05

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 任庆利 ,  杨如森 ,  王健 ,  陈俊文 ,  王珍妮 ,  党甲林 ,  王媛 ,  李智敏

IPC: C01G23/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种片状钛酸锶纳米单晶体的制备方法，主要解决传统的钛酸锶制备方法复杂，钛酸锶粉体的纯度和粒径都很难达到要求的问题。其实现方案是：向配制好的锶钛混合溶液中加入阴离子表面活性剂聚丙烯酰胺水溶液或阳离子表面活性剂十六烷基三甲基氯化铵水溶液，获得表面活性剂改性的锶钛混合溶液；然后向其加入制备好的氢氧化钠溶液，获得两性表面活性剂改性的碱性锶钛纳米沉淀物；再对该纳米沉淀物依次进行洗涤、过滤、干燥，研磨、烘干、烧结，得到片状钛酸锶纳米单晶体。本发明制备操作要求简单，适于工业化生产，样品颗粒小、分散性好，不团聚，有利于做成钛酸锶晶界层电容器，能广泛应用在收音机、电视机和计算机电路中。

公开(公告)号：CN110203967B

公开(公告)日：2021-06-01

申请号：CN201910603808.1

申请日：2019-07-05

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 任庆利 ,  杨如森 ,  王健 ,  陈俊文 ,  王珍妮 ,  党甲林 ,  王媛 ,  李智敏

IPC: C01G23/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种片状钛酸锶纳米单晶体的制备方法，主要解决传统的钛酸锶制备方法复杂，钛酸锶粉体的纯度和粒径都很难达到要求的问题。其实现方案是：向配制好的锶钛混合溶液中加入阴离子表面活性剂聚丙烯酰胺水溶液或阳离子表面活性剂十六烷基三甲基氯化铵水溶液，获得表面活性剂改性的锶钛混合溶液；然后向其加入制备好的氢氧化钠溶液，获得两性表面活性剂改性的碱性锶钛纳米沉淀物；再对该纳米沉淀物依次进行洗涤、过滤、干燥，研磨、烘干、烧结，得到片状钛酸锶纳米单晶体。本发明制备操作要求简单，适于工业化生产，样品颗粒小、分散性好，不团聚，有利于做成钛酸锶晶界层电容器，能广泛应用在收音机、电视机和计算机电路中。

公开(公告)号：CN112713185B

公开(公告)日：2022-07-22

申请号：CN202011521501.6

申请日：2020-12-21

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 张鹏 ,  陈俊文 ,  马晓华 ,  王明飞 ,  王凯

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/40 ,  H01L29/772

Abstract: 本发明涉及一种具有支撑结构的T型栅及其制备方法和半导体功率器件，该具有支撑结构的T型栅，生长在具有钝化层的半导体基片上，包括栅帽、栅脚和若干栅支柱，其中，栅帽位于半导体基片的上方；栅脚的一端与栅帽的底面中部连接，另一端穿过钝化层生长在半导体基片上；若干栅支柱沿栅宽方向间隔设置在栅帽底部的两侧，且栅支柱的底部与钝化层连接。本发明的具有支撑结构的T型栅，在栅帽两侧沿栅宽方向相间隔设置有栅支柱，在提高栅脚的高度的同时不增加钝化层厚度，不影响寄生电容，提高了器件在高频下的性能。

公开(公告)号：CN112713185A

公开(公告)日：2021-04-27

申请号：CN202011521501.6

申请日：2020-12-21

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 张鹏 ,  陈俊文 ,  马晓华 ,  王明飞 ,  王凯

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/40 ,  H01L29/772

Abstract: 本发明涉及一种具有支撑结构的T型栅及其制备方法和半导体功率器件，该具有支撑结构的T型栅，生长在具有钝化层的半导体基片上，包括栅帽、栅脚和若干栅支柱，其中，栅帽位于半导体基片的上方；栅脚的一端与栅帽的底面中部连接，另一端穿过钝化层生长在半导体基片上；若干栅支柱沿栅宽方向间隔设置在栅帽底部的两侧，且栅支柱的底部与钝化层连接。本发明的具有支撑结构的T型栅，在栅帽两侧沿栅宽方向相间隔设置有栅支柱，在提高栅脚的高度的同时不增加钝化层厚度，不影响寄生电容，提高了器件在高频下的性能。