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公开(公告)号：CN118832177B
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN202410803367.0
申请日：2024-06-20
Applicant: 西安电子科技大学 , 云南贵金属实验室有限公司
IPC: B22F9/24 , B22F1/054 , B22F1/16 , B22F1/102 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , B82Y20/00 , B82Y25/00 , F24S70/10 , C01G49/08 , C01B33/12
Abstract: 本发明涉及一种可回收的四氧化三铁基金纳米材料、制备方法和应用，制备方法，包括：采用水热法合成具有高度单分散性的四氧化三铁纳米粒子；采用种子生长法制备二氧化硅修饰的金纳米棒Au@SiO2，其中，二氧化硅包覆的金纳米棒具有不同的长度；将不同长度的二氧化硅修饰的金纳米棒溶液与3‑氨基丙基三乙氧基硅烷分散形成混合液，将混合液加入四氧化三铁纳米粒子的水溶液中反应，得到Fe3O4/Au@SiO2复合材料。本发明的四氧化三铁基金纳米材料不仅具有宽范围的太阳能吸收光谱、优异的光热转换效率、高的磁饱和强度，而且制备工艺简单、成本低廉、可回收多次重复利用。
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公开(公告)号：CN119824471A
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202510204309.0
申请日：2025-02-24
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: C25B11/091 , C25B11/061 , C25B1/04
Abstract: 本发明公开了一种二氧化硅/钴镍自支撑析氢电催化剂及其制备方法，制备方法包括：对泡沫镍进行清洗及干燥预处理，获得预处理后的泡沫镍；利用预处理后的泡沫镍，采用水热法合成CoNi LDH@NF前驱体材料；采用电化学诱导工艺在CoNi LDH@NF前驱体材料上电镀SiO2，得到SiO2/CoNi LDH@NF自支撑催化剂。本发明克服了传统粉末涂附型材料活性低、稳定性差的问题，制备工艺简单，所制备的二氧化硅/钴镍自支撑电催化剂电催化性能好、稳定性好、成本低廉。
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公开(公告)号：CN118048644A
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202410156914.0
申请日：2024-02-02
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: C25B11/047 , C25B1/04 , C04B35/495 , C04B35/622 , C04B35/626
Abstract: 本发明涉及一种用于高效析氢反应的钨酸钡陶瓷自催化电极的制备方法，包括：基于固相法，利用碳酸钡药品和三氧化钨药品制备钨酸钡纯相；对所述钨酸钡纯相依次进行造粒、压片处理，得到钨酸钡样品片；在不同温度下对所述钨酸钡样品片进行煅烧处理，得到用于高效析氢反应的钨酸钡陶瓷自催化电极。利用这种制备方法得到的钨酸钡陶瓷自催化电极不紧成本低廉、制备方便，而且所形成的晶粒之间有很大的孔隙，暴露了更多的活性位点，有利于离子的传输；并且陶瓷本身具有很强的稳定性，耐腐蚀性、克服了传统电极稳定性差的问题，提高了长循环稳定性。
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公开(公告)号：CN117142852A
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN202311117248.1
申请日：2023-08-31
IPC: C04B35/495 , C04B35/622 , C04B35/638 , C04B35/64
Abstract: 本发明涉及一种低温烧结的高Q×f值Al2Mo3+xO12+3x微波介质陶瓷材料及其制备方法，制备方法包括：S1、将Al2O3原始粉料和MoO3原始粉料按照化学通式Al2Mo3+xO12+3x进行配料，得到混合粉体，其中，0.02≤x≤0.06；S2、将混合粉体依次进行第一次行星球磨和过筛，并将过筛粉体进行预烧，得到预烧粉体；S3、将预烧粉体进行第二次行星球磨、烘干和粘结造粒，得到陶瓷生料；S4、将陶瓷生料压制成型并进行排胶，排胶后在775～825℃条件下烧结4～6小时，得到Al2Mo3+xO12+3x微波介质陶瓷材料。该方法在形成Al2Mo3+xO12+3x低温固溶相的同时降低了晶格损耗，制得的微波介质陶瓷在保证较低的介电常数的同时仍具有十分优异Q×f值，为低烧低介低损耗的材料增加了相应的研究基础，拓宽了低介电常数LTCC微波介质陶瓷的选择范围。
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公开(公告)号：CN111593603B
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN202010506515.4
申请日：2020-06-05
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种抑制肺炎克雷伯氏菌的纸制品及其制备方法，主要解决现有技术中纸制品带有肺炎克雷伯氏菌，易传播疾病，且制备工艺的复杂及污染环境的问题，其方案是：1)分别制备纳米碳酸钙复相沉淀物、纳米氢氧化镁复相沉淀物和改性剂铝酸酯偶联剂溶液，并进行混合搅拌，得到改性的纳米钙镁复相沉淀物；2)向该沉淀物中加入剪碎的废弃纸得到改性纳米钙镁复合纸浆浆料，3)再将改性纳米钙镁复合纸浆浆料经过过筛、晾干，获得钙镁改性的纳米复合抗菌纸。本发明制备成本低、工艺简单，减小了环境污染，其制备的纸制品韧性好，且无毒、无腐蚀，抗菌效果显著，可用于大型办工场合学校医院的室内装修的建筑行业。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110534734B
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN201910757900.3
申请日：2019-08-16
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01M4/505 , H01M4/525 , H01M10/0525
Abstract: 本发明公开了一种表面改性富锂锰正极材料的制备方法，该方法包括以下步骤：制备KMnO4紫色溶液，并添加Li1.2Ni0.2Mn0.6O2正极材料，形成紫色混合液；对紫色混合液进行离心、冲洗和真空干燥，得前驱体粉料；对前驱体粉料进行热处理和后处理，得到表面改性富锂锰正极材料。本发明方法在不改变富锂锰正极材料本征性能的基础上，在Li1.2Ni0.2Mn0.6O2正极材料的表面生成了尖晶石相，获得了放电比容量大于290mAh/g的表面改性Li1.2Ni0.2Mn0.6O2正极材料，其首次库伦效率高达85％以上。
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公开(公告)号：CN110203967A
公开(公告)日：2019-09-06
申请号：CN201910603808.1
申请日：2019-07-05
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种片状钛酸锶纳米单晶体的制备方法，主要解决传统的钛酸锶制备方法复杂，钛酸锶粉体的纯度和粒径都很难达到要求的问题。其实现方案是：向配制好的锶钛混合溶液中加入阴离子表面活性剂聚丙烯酰胺水溶液或阳离子表面活性剂十六烷基三甲基氯化铵水溶液，获得表面活性剂改性的锶钛混合溶液；然后向其加入制备好的氢氧化钠溶液，获得两性表面活性剂改性的碱性锶钛纳米沉淀物；再对该纳米沉淀物依次进行洗涤、过滤、干燥，研磨、烘干、烧结，得到片状钛酸锶纳米单晶体。本发明制备操作要求简单，适于工业化生产，样品颗粒小、分散性好，不团聚，有利于做成钛酸锶晶界层电容器，能广泛应用在收音机、电视机和计算机电路中。
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公开(公告)号：CN107230540B
公开(公告)日：2019-05-28
申请号：CN201710421613.6
申请日：2017-06-07
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01C7/02
Abstract: 本发明公开的银包铜改性的氧化钌厚膜电阻浆料制备方法，具体为：步骤1、利用RuO2和银包铜粉体制备出导电相粉末；步骤2、利用ZnO、B2O3、SiO2、PbO以及Bi2O3制备出改性ZnBSi玻璃相粉末；步骤3、利用松油醇、纤维素、丁基卡必醇以及蓖麻油制备出有机载体相；步骤4、将经步骤1得到的导电相粉末、经步骤2得到的改性ZnBSi玻璃相粉末以及步骤3得到的有机载体相混合均匀，得到银包铜改性的氧化钌厚膜电阻浆料。本发明银包铜改性的氧化钌厚膜电阻浆料制备方法，解决了现有厚膜电阻浆料制作成本过高，不利于大规模生产的问题。
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公开(公告)号：CN107216130A
公开(公告)日：2017-09-29
申请号：CN201710416675.8
申请日：2017-06-06
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: C04B35/01 , C04B35/634 , C04B35/626
CPC classification number: C04B35/01 , C04B35/6261 , C04B35/63416 , C04B2235/3232 , C04B2235/3244 , C04B2235/3251 , C04B2235/3279 , C04B2235/3296 , C04B2235/445 , C04B2235/6562
Abstract: 本发明公开的一种PHT‑PNN压电陶瓷材料的制备方法：将碱式碳酸镍粉体和氧化铌粉体混合后球磨再经烘干和煅烧，得到铌酸镍前驱体粉料；分别称取氧化铅粉体、二氧化钛粉体、氧化铪粉体及铌酸镍粉体，将所有物料混合后进行球磨处理，得到基体混合粉料，将基体混合粉料依次进行烘干、煅烧及冷却，得到铪钛酸铅‑铌镍酸铅粉体；将铪钛酸铅‑铌镍酸铅粉体与氟化锂粉体混合后进行球磨，再经烘干得到预合成干粉料；将PVA溶液添加到预合成干粉料进行造粒，将得到的团粒制成胚体；对胚体进行排胶、随炉冷却及高温烧结得到PHT‑PNN压电陶瓷材料。本发明的制备方法能获得高压电性能氟化锂掺杂铪钛酸铅‑铌镍酸铅压电陶瓷材料。
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公开(公告)号：CN105741903B
公开(公告)日：2017-04-05
申请号：CN201610299042.9
申请日：2016-05-06
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开的银掺杂改性二氧化钌厚膜电阻浆料的制备方法，具体按照以下步骤实施：步骤1、利用RuO2粉、CuO粉和Ag粉制备出导电相；步骤2、利用SiO2、Al2O3、CaO、BaO、B2O3、PbO以及Bi2O3制备出改性铝硅玻璃相；步骤3、利用松油醇、纤维素、丁基卡必醇以及蓖麻油制备有机相；步骤4、将步骤1得到的导电相、步骤2得到的改性铝硅玻璃相以及步骤3得到的有机相混合均匀，即得到银掺杂改性二氧化钌厚膜电阻浆料。本发明银掺杂改性二氧化钌厚膜电阻浆料的制备方法，解决现有厚膜电阻浆料低电阻和高TCR之间存在矛盾的问题，该方法对生产工艺和设备无特殊要求，便于推广和工业化生产。
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