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公开(公告)号：CN105552074A
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201510974257.1
申请日：2015-12-23
Applicant: 电子科技大学
CPC classification number: H01L27/0248 , H01L27/0641
Abstract: 本发明属于集成电路的静电放电保护技术领域，涉及一种基于锗硅异质结工艺的SCR器件，包括第一种导电类型硅衬底，硅衬底上形成相邻接的第二种导电类型阱区和第一种导电类型阱区，两阱区内分别设有第二种导电类型重掺杂区和第一种导电类型重掺杂区，所述第二种导电类型阱区内设有另一第二种导电类型重掺杂区；所述硅衬底上还形成有第二种导电类型埋层区，其上形成第二种导电类型集电区以及集电区两侧相邻接的两个第二种导电类型重掺杂区，且与所述第二种导电类型阱区内另一第二种导电类型重掺杂区相连，集电区的硅表面上依次设置第一种导电类型锗硅层、第二种导电类型重掺杂多晶硅层，重掺杂多晶硅层与阴极相连。本发明能有效降低SCR器件的触发电压。
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公开(公告)号：CN104269400A
公开(公告)日：2015-01-07
申请号：CN201410439316.0
申请日：2014-08-30
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种新型栅极接地NMOS结构ESD保护器件及其制作方法，保护器件包括P型衬底，P型衬底内有P阱区，P阱内注有第一P+区、第一N+区、第二N+区、第三N+区、第二P+区，在P阱内第二N+区的下方设有P型浅阱；第一N+区与第二N+区之间的P阱上方还有第二N+区与第三N+的P阱上方均有覆盖栅氧化层，栅氧化层上方均有多晶硅；P阱上还覆盖有若干氧化隔离层。本结构在普通多指栅极接地NMOS的基础上多了一层P型浅阱区，可以降低NMOS的开启电压，提高NMOS的二次击穿电流，并且通过调节P型浅阱区的尺寸大小，可以调节NMOS的开启电压与二次击穿电流。
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公开(公告)号：CN104241274A
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201410439235.0
申请日：2014-08-30
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L27/02
Abstract: 本发明公开了一种基于横向PNP结构的双向ESD保护器件，可用于片上ICESD保护电路。保护器件主要由P型衬底，第一N型阱，第二N型阱，第一P+注入区，第二P+注入区，第一N+注入区，第二N+注入区，第三P+注入区，第四P+注入区和若干场氧隔离区构成；该类型保护器件在正向或负向ESD脉冲作用下，内部横向PNP结构的反向PN结被触发导通，同时另一个N阱中的正向PN结导通，会产生由一个横向PNP晶体管以及一个正向二极管串联构成的ESD电流泄放路径。通过分别拉伸两个PNP的基区宽度，可以单独改变正向或负向ESD脉冲来临时器件的维持电压，提高器件工作的灵活性。
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公开(公告)号：CN119497427A
公开(公告)日：2025-02-21
申请号：CN202411423338.8
申请日：2024-10-12
Applicant: 电子科技大学
IPC: H10D89/60
Abstract: 本发明属高压集成电路（Integrated Circuits，简称IC）的静电放电（Electrostatic Discharge，简称ESD）保护器件设计领域，相较于栅接地N沟道金属氧化物半导体晶体管辅助触发的可控硅整流器（Grounded‑Gate N‑channel Metal‑Oxide Semiconductor Transistor Triggered Silicon‑Controlled Rectifier，简称GGSCR），具体提供一种用于集成电路ESD保护的高维持电压的SCR器件，可用于实现输入/输出端口（Input/Output，简称I/O）和电源域的ESD保护。本发明所述器件通过版图设计从三维结构改进了阳极结构和可调控的MOSFET分流结构，具有高维持电压、强抗闩锁能力和高鲁棒性等特点，可适用于多种电源域下的集成电路ESD保护。
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公开(公告)号：CN117911675A
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202410090619.X
申请日：2024-01-22
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种光学遥感图像舰船目标显著性候选区域提取方法，包括：对海陆混合的光学遥感图像进行海陆分离和陆地屏蔽处理，得到分离结果图；利用视觉显著性算法对分离结果图进行检测，得到第一舰船目标ROI区域；根据舰船形状特征对第一舰船目标ROI区域进行精确提取，得到第二舰船目标ROI区域；对第二舰船目标ROI区域进行舰船尾迹去除，得到舰船目标候选区域。本发明针对海陆混合背景的光学遥感图像舰船目标做到了快速准确提取ROI区域，同时解决了舰船目标灰度不均和环境干扰导致漏检或者难以提取完整的舰船区域的问题，随后采用灰度统计结合舰船尾迹的特点解决了舰船的拖尾问题，最终实现了舰船目标候选区域的精确提取。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116966435A
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN202310981561.3
申请日：2023-08-07
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种微波艾灸装置，属于微波能应用技术领域。该装置包括金属外壳、圆柱内导体、耦合环、通气孔、塑料套筒、金属支架；通过耦合结构将微波馈入同轴谐振腔体并在腔体内传播；金属支架的引场作用将微波引到艾柱顶部，且两对高度不同的金属支架能够提高艾柱加热区域微波的均匀性，使得艾柱能够更好更均匀的被加热，防止艾柱燃烧大量出烟。本发明装置提升了微波的均匀性，能够更均匀的加热艾草，在保持艾灸药效的同时，防止艾柱燃烧产生大量浓烟影响环境和健康；此外，该装置尺寸较小，方便集成。
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公开(公告)号：CN116596691A
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202310447574.2
申请日：2023-04-24
Applicant: 电子科技大学
IPC: G06Q50/00 , G06N7/01 , G06N3/042 , G06F40/216 , G06F40/284
Abstract: 本发明公开了一种基于人际传播的Twitter社交信息传播路径生成方法，首先采集Twitter相关数据用于构建Twitter信息传播的关注网络，再通过构建社交网络的人际传播模式，对人际传播模式中的特征进行属性建模并计算传播概率，最后根据传播概率生成新的传播路径并进一步对传播路径进行更新。本发明的方法以社交网络中信息传播特点和马莱兹克关于大众传播的系统模式为引导，解决了现有基于时间序列的信息传播建模方法中对用户属性和信息属性等因素考虑不足的问题，且依据传播学教程和马莱兹克关于大众传播的系统模式中有关人际传播的特征进行了信息传播的建模，能够有效防止不相关特征的引入，相比于现有方法能更好地反映推文信息的累计传播规模随时间的变化情况。
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公开(公告)号：CN116090384A
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202211179018.3
申请日：2022-09-26
Applicant: 电子科技大学
IPC: G06F30/3323 , H01L27/02
Abstract: 本发明提供一种用于ESD防护的SCR器件SPICE模型等效电路及其构建方法，所述仿真模型包括：小电流模块，PIN模块和切换开关模块。采用所述用于ESD防护的SCR器件SPICE模型，在ESD传输线脉冲测试时，可以有效提高SCR器件电流电压仿真曲线与实际的电流电压特性曲线拟合度。
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公开(公告)号：CN113838847B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202111026423.7
申请日：2021-09-02
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L27/02
Abstract: 本发明属于静电放电(Electro‑Static discharge，简称ESD)保护电路设计领域，尤指二极管直连触发的可控硅整流器(Diode‑Connected Silicon Controlled Rectifier，简称DCSCR)，具体提供一种用于低压ESD防护的双向DCSCR器件，该器件为二端器件，可以用于低压任意的IO端口与电源之间提供ESD保护，对正反向的ESD事件，该器件均能做出快速的响应。本发明能够提供双向的ESD防护，且具有低触发电压、高泄流能力、高稳定性等优点；同时，在优化连接方式后拥有更小的导通电阻，实现器件性能进一步优化；此外，在利用双向ESD防护器件组成ESD防护网络时，能够只使用一个双向ESD器件与RC Clamp协同组成ESD防护网络，显著减小版图面积；尤其适用于纳米工艺下的片上双向ESD防护需求。
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公开(公告)号：CN110335865B
公开(公告)日：2021-12-03
申请号：CN201910561270.2
申请日：2019-06-26
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L27/02
Abstract: 本发明属于集成电路的静电放电(Electrostatic Discharge,简称ESD)保护领域，涉及一种双向SCR器件(DDSCR)，具体为一种能够抑制电流饱和效应的高鲁棒性双向SCR器件，用以克服现有DDSCR器件当电流较大时发生的电流饱和效应。本发明在传统DDSCR器件基础上在两个n型阱区中各增加一个n型重掺杂区并直接连接到电极或者通过电阻连接到电极，进而在器件中增加一条新的通路，降低了器件的电阻值，同时能够抑制器件在大电流情况下由于电阻增大导致的电流饱和效应，可以实现更高的保护能力。
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