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公开(公告)号：CN113838847B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202111026423.7
申请日：2021-09-02
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L27/02
Abstract: 本发明属于静电放电(Electro‑Static discharge，简称ESD)保护电路设计领域，尤指二极管直连触发的可控硅整流器(Diode‑Connected Silicon Controlled Rectifier，简称DCSCR)，具体提供一种用于低压ESD防护的双向DCSCR器件，该器件为二端器件，可以用于低压任意的IO端口与电源之间提供ESD保护，对正反向的ESD事件，该器件均能做出快速的响应。本发明能够提供双向的ESD防护，且具有低触发电压、高泄流能力、高稳定性等优点；同时，在优化连接方式后拥有更小的导通电阻，实现器件性能进一步优化；此外，在利用双向ESD防护器件组成ESD防护网络时，能够只使用一个双向ESD器件与RC Clamp协同组成ESD防护网络，显著减小版图面积；尤其适用于纳米工艺下的片上双向ESD防护需求。
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公开(公告)号：CN110323207A
公开(公告)日：2019-10-11
申请号：CN201910561291.4
申请日：2019-06-26
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L23/544 , H01L27/02
Abstract: 本发明属于集成电路的静电放电(ESD：Electrostatic Discharge)保护领域，提供了一种用于低压防护的新型SCR器件；该结构与传统的LVTSCR结构相比，增加了一条静态电压检测电路，该电路在ESD事件发生后首先开启，然后给新型SCR器件的栅极充电，寄生NMOS沟道开启，促使SCR通路提前导通；同时通过调整电压检测电路的器件类型和个数，能够实现触发电压可调节的功能；触发电压可调节的功能使该新型SCR器件适用于多种不同工作电压的电路的ESD防护。
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公开(公告)号：CN110323207B
公开(公告)日：2021-02-05
申请号：CN201910561291.4
申请日：2019-06-26
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L23/544 , H01L27/02
Abstract: 本发明属于集成电路的静电放电(ESD：Electrostatic Discharge)保护领域，提供了一种用于低压防护的新型SCR器件；该结构与传统的LVTSCR结构相比，增加了一条静态电压检测电路，该电路在ESD事件发生后首先开启，然后给新型SCR器件的栅极充电，寄生NMOS沟道开启，促使SCR通路提前导通；同时通过调整电压检测电路的器件类型和个数，能够实现触发电压可调节的功能；触发电压可调节的功能使该新型SCR器件适用于多种不同工作电压的电路的ESD防护。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103645314A
公开(公告)日：2014-03-19
申请号：CN201310625354.0
申请日：2013-11-29
Applicant: 电子科技大学
IPC: G01N33/558 , G01N1/34
CPC classification number: G01N33/558 , G01N33/80 , G01N2800/00
Abstract: 本发明属于体外诊断领域，具体涉及一种能自动过滤样品的试条卡。所述试条卡包括卡盒（3）和其内的试条（2）。试条（2）的样品垫（4）和标记垫（5）之间连接有一块用于过滤样品的过滤垫（12）。当待测样品为血液时，所述试条卡内试条（2）能自动过滤血液中的红细胞，用全血就能直接检测。
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公开(公告)号：CN110335866B
公开(公告)日：2021-09-24
申请号：CN201910562366.0
申请日：2019-06-26
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L27/02
Abstract: 本发明属于电子技术领域，具体涉及静电放电(ESD：Electro‑Static discharge)保护电路的设计，尤指一种二极管直连触发的可控硅整流器(Diode‑Connected Silicon‑Controlled Rectifier简称DCSCR)；具体为一种基于纳米级集成电路工艺的双向低触发ESD保护器件，用于解决现有DCSCR的反向触发电路的触发电压极大，因此并不能用于纳米级集成电路工艺下的低触发电压窗口的问题。本发明基于纳米级集成电路工艺的双向低触发ESD保护器件，可使用在输入端有正、负电压的情况下，提供有效的双向防护；且在版图改进后，该器件有更快的导通速度和更小的导通电阻，器件性能得到了进一步优化；特别适用于纳米级工艺下的双向ESD防护需求。
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公开(公告)号：CN110335866A
公开(公告)日：2019-10-15
申请号：CN201910562366.0
申请日：2019-06-26
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L27/02
Abstract: 本发明属于电子技术领域，具体涉及静电放电(ESD：Electro-Static discharge)保护电路的设计，尤指一种二极管直连触发的可控硅整流器(Diode-Connected Silicon-Controlled Rectifier简称DCSCR)；具体为一种基于纳米级集成电路工艺的双向低触发ESD保护器件，用于解决现有DCSCR的反向触发电路的触发电压极大，因此并不能用于纳米级集成电路工艺下的低触发电压窗口的问题。本发明基于纳米级集成电路工艺的双向低触发ESD保护器件，可使用在输入端有正、负电压的情况下，提供有效的双向防护；且在版图改进后，该器件有更快的导通速度和更小的导通电阻，器件性能得到了进一步优化；特别适用于纳米级工艺下的双向ESD防护需求。
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公开(公告)号：CN103630686A
公开(公告)日：2014-03-12
申请号：CN201310630126.2
申请日：2013-11-29
Applicant: 电子科技大学
IPC: G01N33/558
CPC classification number: G01N33/558 , G01N33/80
Abstract: 本发明属于体外诊断领域，具体涉及一种能自动过滤样品的试条卡。所述试条卡包括卡盒（3）和试条（2）。卡盒（3）的一端开口形成试条插槽口（10）。试条（2）为卡盒（3）的离式即插结构。试条（2）的吸样垫（4）和标记垫（5）之间连接有一块用于过滤样品的过滤垫（12）。样品检测时，插放到卡盒（3）内的试条（2）其吸样垫（4）一端过盈伸出卡盒（3）开口端浸渍吸取样品。当待测样品为血液时，所述试条卡内试条（2）能自动过滤血液中的红细胞，用全血就能直接检测。
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公开(公告)号：CN113838847A
公开(公告)日：2021-12-24
申请号：CN202111026423.7
申请日：2021-09-02
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L27/02
Abstract: 本发明属于静电放电(Electro‑Static discharge，简称ESD)保护电路设计领域，尤指二极管直连触发的可控硅整流器(Diode‑Connected Silicon Controlled Rectifier，简称DCSCR)，具体提供一种用于低压ESD防护的双向DCSCR器件，该器件为二端器件，可以用于低压任意的IO端口与电源之间提供ESD保护，对正反向的ESD事件，该器件均能做出快速的响应。本发明能够提供双向的ESD防护，且具有低触发电压、高泄流能力、高稳定性等优点；同时，在优化连接方式后拥有更小的导通电阻，实现器件性能进一步优化；此外，在利用双向ESD防护器件组成ESD防护网络时，能够只使用一个双向ESD器件与RC Clamp协同组成ESD防护网络，显著减小版图面积；尤其适用于纳米工艺下的片上双向ESD防护需求。
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