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公开(公告)号：CN118264296A
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202410373265.X
申请日：2024-03-29
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于无线通信技术领域，具体涉及一种基于多天线技术的环境反向散射隐蔽通信波束赋形方法。本发明的系统包括发送机Alice、接收机Bob、射频源以及第三方用户，其中Alice是反射设备，通过周期性地改变反射系数将其信息符号调制到来自射频源的射频信号上，Alice的发送符号周期是射频源符号的L倍，Bob通过信号检测技术恢复出Alice的发送符号，而第三方用户不断地侦听信道，以此来判断Alice和Bob是否通信；本发明以最大化隐蔽通信信道容量，同时满足被侦听概率小于给定门限来建立优化模型，通过求解模型得到波束赋形向量。本发明将反射设备发送信号的方向聚集在合法接收机，并使得到达第三方用户的能量最小，进而满足反向散射传输隐蔽性和可靠性的需求。
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公开(公告)号：CN103834740A
公开(公告)日：2014-06-04
申请号：CN201410098159.1
申请日：2014-03-17
Applicant: 西安电子科技大学
CPC classification number: C12N9/1211 , A61K51/0491 , C12Y207/01021
Abstract: 本发明公开了一种检测细胞凋亡的HSV1-TK分子影像探针及其构建方法和应用。本发明提供的HSV1-TK探针的制备方法，其步骤包括：（1）用限制性内切酶HindIII和XhoI酶切载体pcDNA3.1，使其线性化；（2）PCR扩增DnaE的C端，TK基因的C端，DEVD序列，TK基因的N端，蛋白内含子DnaE的N端；（3）通过基因重组技术将各个片段按一定顺序与线性化的pcDNA3.1载体重组；（4）重组载体经过转化、提取质粒、酶切鉴定，获得HSV1-TK探针。本发明的分子影像探针可以活体监测细胞凋亡的发生发展，克服了电子显微镜或流式细胞术等技术只能在离体水平观察细胞凋亡的缺点，为活体监测提供了一个有利工具。
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公开(公告)号：CN101247141B
公开(公告)日：2011-07-06
申请号：CN200710050704.X
申请日：2007-12-05
Applicant: 电子科技大学 , 西南电子电信技术研究所
IPC: H04B1/7156
Abstract: 跳频信号时差估计方法属信号处理范畴。利用两个不同位置处接收的跳频信号间的时差与这两个位置接收的跳频信号载波之间的相位差的线性对应关系，通过测量这两个不同位置处接收的跳频信号载波之间的多个跳频周期内的相位差，估计这两个不同位置处接收的跳频信号之间的时差。包括对两个不同位置处接收的跳频信号进行带通滤波；在一个跳频周期内的Hilbert变换、计算相位；确定两个不同位置处接收的跳频信号在一个跳频周期内的相位差、相位差的中值；在K个跳频周期内的相位差中值序列；解出中值序列对应的线性方程组的最小二乘解确定跳频信号的时差估计等步骤。本方法可对跳频信号的高精度、快速的估计时差，广泛应用于跳频辐射信号源定位系统。
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公开(公告)号：CN101222314A
公开(公告)日：2008-07-16
申请号：CN200710050705.4
申请日：2007-12-05
Applicant: 电子科技大学 , 西南电子电信技术研究所
Abstract: 一种异地采样系统时钟周期误差的校正方法属无线通信系统的信号采样和信号处理。两路接收机的采样序列起始时刻同步利用GPS卫星提供的标准授时。采样时间间隔用A/D采样卡控制。方法是利用周期校正量和时差对准量确定异地信号采样系统中的一部接收机采样序列的重构序列，计算重构序列与另一部接收机采样序列之间的相关系数，搜索不同周期校正量和时差对准量对应的相关系数的最大值，由相关系数的最大值对应的位置确定最优的周期校正量和时差对准量。本发明应用于采样时钟周期难以保持精确一致的异地采样系统，满足异地采样系统对采样时钟周期误差的校正要求；应用于时差定位系统，满足在异地采样时钟周期存在误差情况下对高精度时差估计要求。
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公开(公告)号：CN110120391B
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN201910353954.3
申请日：2019-04-29
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L27/02
Abstract: 本发明属于电子技术领域，具体涉及静电释放(ESD)保护器件的设计，具体提供一种用于ESD防护的高鲁棒性ESD器件结构，用以提高GGNMOS的鲁棒性。本发明现有GGNMOS结构基础上，在第二种导电类型阱区中采用N个第一种导电类型重掺杂区A1和N个第二种导电类型重掺杂区B1相邻且间隔设置的设计，将器件电流泄放路径由原本的寄生npn1路径和寄生npn2路径两种路径变为寄生npn1路径、寄生npn2路径和SCR路径三种路径；由于电流泄放路径的增加，使得本发明ESD器件相比于传统GGNMOS器件能够实现更高的鲁棒性；同时，本发明高鲁棒性ESD器件与常用的GGNMOS器件所需的版图面积完全一致，即本发明在相同版图面积的情况下，实现了更高的鲁棒性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103834740B
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201410098159.1
申请日：2014-03-17
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种检测细胞凋亡的HSV1-TK分子影像探针及其构建方法和应用。本发明提供的HSV1-TK探针的制备方法，其步骤包括：（1）用限制性内切酶HindIII和XhoI酶切载体pcDNA3.1，使其线性化；（2）PCR扩增DnaE的C端，TK基因的C端，DEVD序列，TK基因的N端，蛋白内含子DnaE的N端。（3）通过基因重组技术将各个片段按一定顺序与线性化的pcDNA3.1载体重组；（4）重组载体经过转化、提取质粒、酶切鉴定，获得HSV1-TK探针。本发明的分子影像探针可以活体监测细胞凋亡的发生发展，克服了电子显微镜或流式细胞术等技术只能在离体水平观察细胞凋亡的缺点，为活体监测提供了一个有利工具。
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公开(公告)号：CN101222314B
公开(公告)日：2011-08-31
申请号：CN200710050705.4
申请日：2007-12-05
Applicant: 电子科技大学 , 西南电子电信技术研究所
Abstract: 一种异地采样系统时钟周期误差的校正方法属无线通信系统的信号采样和信号处理。两路接收机的采样序列起始时刻同步利用GPS卫星提供的标准授时。采样时间间隔用A/D采样卡控制。方法是利用周期校正量和时差对准量确定异地信号采样系统中的一部接收机采样序列的重构序列，计算重构序列与另一部接收机采样序列之间的相关系数，搜索不同周期校正量和时差对准量对应的相关系数的最大值，由相关系数的最大值对应的位置确定最优的周期校正量和时差对准量。本发明应用于采样时钟周期难以保持精确一致的异地采样系统，满足异地采样系统对采样时钟周期误差的校正要求；应用于时差定位系统，满足在异地采样时钟周期存在误差情况下对高精度时差估计要求。
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公开(公告)号：CN110335866B
公开(公告)日：2021-09-24
申请号：CN201910562366.0
申请日：2019-06-26
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L27/02
Abstract: 本发明属于电子技术领域，具体涉及静电放电(ESD：Electro‑Static discharge)保护电路的设计，尤指一种二极管直连触发的可控硅整流器(Diode‑Connected Silicon‑Controlled Rectifier简称DCSCR)；具体为一种基于纳米级集成电路工艺的双向低触发ESD保护器件，用于解决现有DCSCR的反向触发电路的触发电压极大，因此并不能用于纳米级集成电路工艺下的低触发电压窗口的问题。本发明基于纳米级集成电路工艺的双向低触发ESD保护器件，可使用在输入端有正、负电压的情况下，提供有效的双向防护；且在版图改进后，该器件有更快的导通速度和更小的导通电阻，器件性能得到了进一步优化；特别适用于纳米级工艺下的双向ESD防护需求。
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公开(公告)号：CN110335866A
公开(公告)日：2019-10-15
申请号：CN201910562366.0
申请日：2019-06-26
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L27/02
Abstract: 本发明属于电子技术领域，具体涉及静电放电(ESD：Electro-Static discharge)保护电路的设计，尤指一种二极管直连触发的可控硅整流器(Diode-Connected Silicon-Controlled Rectifier简称DCSCR)；具体为一种基于纳米级集成电路工艺的双向低触发ESD保护器件，用于解决现有DCSCR的反向触发电路的触发电压极大，因此并不能用于纳米级集成电路工艺下的低触发电压窗口的问题。本发明基于纳米级集成电路工艺的双向低触发ESD保护器件，可使用在输入端有正、负电压的情况下，提供有效的双向防护；且在版图改进后，该器件有更快的导通速度和更小的导通电阻，器件性能得到了进一步优化；特别适用于纳米级工艺下的双向ESD防护需求。
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公开(公告)号：CN110120391A
公开(公告)日：2019-08-13
申请号：CN201910353954.3
申请日：2019-04-29
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L27/02
Abstract: 本发明属于电子技术领域，具体涉及静电释放(ESD)保护器件的设计，具体提供一种用于ESD防护的高鲁棒性ESD器件结构，用以提高GGNMOS的鲁棒性。本发明现有GGNMOS结构基础上，在第二种导电类型阱区中采用N个第一种导电类型重掺杂区A1和N个第二种导电类型重掺杂区B1相邻且间隔设置的设计，将器件电流泄放路径由原本的寄生npn1路径和寄生npn2路径两种路径变为寄生npn1路径、寄生npn2路径和SCR路径三种路径；由于电流泄放路径的增加，使得本发明ESD器件相比于传统GGNMOS器件能够实现更高的鲁棒性；同时，本发明高鲁棒性ESD器件与常用的GGNMOS器件所需的版图面积完全一致，即本发明在相同版图面积的情况下，实现了更高的鲁棒性。
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