公开(公告)号：CN113838847A

公开(公告)日：2021-12-24

申请号：CN202111026423.7

申请日：2021-09-02

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 刘志伟 ,  陈乐 ,  李庆飒 ,  耿林 ,  杜飞波 ,  侯飞 ,  韩傲然 ,  张钰鑫

IPC: H01L27/02

Abstract: 本发明属于静电放电(Electro‑Static discharge，简称ESD)保护电路设计领域，尤指二极管直连触发的可控硅整流器(Diode‑Connected Silicon Controlled Rectifier，简称DCSCR)，具体提供一种用于低压ESD防护的双向DCSCR器件，该器件为二端器件，可以用于低压任意的IO端口与电源之间提供ESD保护，对正反向的ESD事件，该器件均能做出快速的响应。本发明能够提供双向的ESD防护，且具有低触发电压、高泄流能力、高稳定性等优点；同时，在优化连接方式后拥有更小的导通电阻，实现器件性能进一步优化；此外，在利用双向ESD防护器件组成ESD防护网络时，能够只使用一个双向ESD器件与RC Clamp协同组成ESD防护网络，显著减小版图面积；尤其适用于纳米工艺下的片上双向ESD防护需求。

公开(公告)号：CN113838847B

公开(公告)日：2023-04-07

申请号：CN202111026423.7

申请日：2021-09-02

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 刘志伟 ,  陈乐 ,  李庆飒 ,  耿林 ,  杜飞波 ,  侯飞 ,  韩傲然 ,  张钰鑫

IPC: H01L27/02

Abstract: 本发明属于静电放电(Electro‑Static discharge，简称ESD)保护电路设计领域，尤指二极管直连触发的可控硅整流器(Diode‑Connected Silicon Controlled Rectifier，简称DCSCR)，具体提供一种用于低压ESD防护的双向DCSCR器件，该器件为二端器件，可以用于低压任意的IO端口与电源之间提供ESD保护，对正反向的ESD事件，该器件均能做出快速的响应。本发明能够提供双向的ESD防护，且具有低触发电压、高泄流能力、高稳定性等优点；同时，在优化连接方式后拥有更小的导通电阻，实现器件性能进一步优化；此外，在利用双向ESD防护器件组成ESD防护网络时，能够只使用一个双向ESD器件与RC Clamp协同组成ESD防护网络，显著减小版图面积；尤其适用于纳米工艺下的片上双向ESD防护需求。