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公开(公告)号：CN110323207B
公开(公告)日：2021-02-05
申请号：CN201910561291.4
申请日：2019-06-26
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L23/544 , H01L27/02
Abstract: 本发明属于集成电路的静电放电(ESD：Electrostatic Discharge)保护领域，提供了一种用于低压防护的新型SCR器件；该结构与传统的LVTSCR结构相比，增加了一条静态电压检测电路，该电路在ESD事件发生后首先开启，然后给新型SCR器件的栅极充电，寄生NMOS沟道开启，促使SCR通路提前导通；同时通过调整电压检测电路的器件类型和个数，能够实现触发电压可调节的功能；触发电压可调节的功能使该新型SCR器件适用于多种不同工作电压的电路的ESD防护。
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公开(公告)号：CN110335865A
公开(公告)日：2019-10-15
申请号：CN201910561270.2
申请日：2019-06-26
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L27/02
Abstract: 本发明属于集成电路的静电放电(Electrostatic Discharge,简称ESD)保护领域，涉及一种双向SCR器件(DDSCR)，具体为一种能够抑制电流饱和效应的高鲁棒性双向SCR器件，用以克服现有DDSCR器件当电流较大时发生的电流饱和效应。本发明在传统DDSCR器件基础上在两个n型阱区中各增加一个n型重掺杂区并直接连接到电极或者通过电阻连接到电极，进而在器件中增加一条新的通路，降低了器件的电阻值，同时能够抑制器件在大电流情况下由于电阻增大导致的电流饱和效应，可以实现更高的保护能力。
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公开(公告)号：CN110335865B
公开(公告)日：2021-12-03
申请号：CN201910561270.2
申请日：2019-06-26
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L27/02
Abstract: 本发明属于集成电路的静电放电(Electrostatic Discharge,简称ESD)保护领域，涉及一种双向SCR器件(DDSCR)，具体为一种能够抑制电流饱和效应的高鲁棒性双向SCR器件，用以克服现有DDSCR器件当电流较大时发生的电流饱和效应。本发明在传统DDSCR器件基础上在两个n型阱区中各增加一个n型重掺杂区并直接连接到电极或者通过电阻连接到电极，进而在器件中增加一条新的通路，降低了器件的电阻值，同时能够抑制器件在大电流情况下由于电阻增大导致的电流饱和效应，可以实现更高的保护能力。
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公开(公告)号：CN110323207A
公开(公告)日：2019-10-11
申请号：CN201910561291.4
申请日：2019-06-26
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L23/544 , H01L27/02
Abstract: 本发明属于集成电路的静电放电(ESD：Electrostatic Discharge)保护领域，提供了一种用于低压防护的新型SCR器件；该结构与传统的LVTSCR结构相比，增加了一条静态电压检测电路，该电路在ESD事件发生后首先开启，然后给新型SCR器件的栅极充电，寄生NMOS沟道开启，促使SCR通路提前导通；同时通过调整电压检测电路的器件类型和个数，能够实现触发电压可调节的功能；触发电压可调节的功能使该新型SCR器件适用于多种不同工作电压的电路的ESD防护。
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