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公开(公告)号：CN104241274B
公开(公告)日：2017-09-29
申请号：CN201410439235.0
申请日：2014-08-30
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L27/02
Abstract: 本发明公开了一种基于横向PNP结构的双向ESD保护器件，可用于片上ICESD保护电路。保护器件主要由P型衬底，第一N型阱，第二N型阱，第一P+注入区，第二P+注入区，第一N+注入区，第二N+注入区，第三P+注入区，第四P+注入区和若干场氧隔离区构成；该类型保护器件在正向或负向ESD脉冲作用下，内部横向PNP结构的反向PN结被触发导通，同时另一个N阱中的正向PN结导通，会产生由一个横向PNP晶体管以及一个正向二极管串联构成的ESD电流泄放路径。通过分别拉伸两个PNP的基区宽度，可以单独改变正向或负向ESD脉冲来临时器件的维持电压，提高器件工作的灵活性。
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公开(公告)号：CN104269401B
公开(公告)日：2017-03-29
申请号：CN201410440343.X
申请日：2014-08-30
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L27/02
Abstract: 一种基于SCR结构的新型ESD保护器件，可用于片上ICESD保护电路。保护器件主要由P型衬底，第一N型阱，第一P型阱，第二N型阱，第一N+注入区，第一P+注入区，第二N+注入区，第三N+注入区,第二P+注入区，第四N+注入区，第三P+注入区，第五N+注入区和若干场氧隔离区构成；该类型保护器件通过一定的连接方式连接。有别于两个SCR的串联或并联，该类型保护器件在ESD脉冲作用下，当达到单个改进型SCR结构的开启电压后，内部会形成两条通路，其中一条为普通SCR通路，另一条为改进型SCR加上正向二极管通路，该器件中的两条通路互作负反馈，提高整个器件在ESD事件来临时的维持电压，避免闩锁效应。
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公开(公告)号：CN104408556B
公开(公告)日：2018-01-05
申请号：CN201410650435.0
申请日：2014-11-08
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G06F17/00
Abstract: 本发明公开了一种基于安卓移动终端的远距离器件检测安装系统，创新性的采用移动终端解决在狭小空间下的条码信息显示和语音播报问题，工人无需将器件带回工作PC机处即可实时获取工作任务和信息比对。由于加入了本地语音引擎，可以让信息获取更加简单；创新性的采用大屏幕3D模型自动放大显示功能，将前端扫描获取到的条码所对应的器件在产品的3D模型中的安装位置及与其他器件的连接关系放大显示，工人在可视范围内可直接按照3D模型的指导完成器件的安装。
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公开(公告)号：CN104269400A
公开(公告)日：2015-01-07
申请号：CN201410439316.0
申请日：2014-08-30
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种新型栅极接地NMOS结构ESD保护器件及其制作方法，保护器件包括P型衬底，P型衬底内有P阱区，P阱内注有第一P+区、第一N+区、第二N+区、第三N+区、第二P+区，在P阱内第二N+区的下方设有P型浅阱；第一N+区与第二N+区之间的P阱上方还有第二N+区与第三N+的P阱上方均有覆盖栅氧化层，栅氧化层上方均有多晶硅；P阱上还覆盖有若干氧化隔离层。本结构在普通多指栅极接地NMOS的基础上多了一层P型浅阱区，可以降低NMOS的开启电压，提高NMOS的二次击穿电流，并且通过调节P型浅阱区的尺寸大小，可以调节NMOS的开启电压与二次击穿电流。
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公开(公告)号：CN104241274A
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201410439235.0
申请日：2014-08-30
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L27/02
Abstract: 本发明公开了一种基于横向PNP结构的双向ESD保护器件，可用于片上ICESD保护电路。保护器件主要由P型衬底，第一N型阱，第二N型阱，第一P+注入区，第二P+注入区，第一N+注入区，第二N+注入区，第三P+注入区，第四P+注入区和若干场氧隔离区构成；该类型保护器件在正向或负向ESD脉冲作用下，内部横向PNP结构的反向PN结被触发导通，同时另一个N阱中的正向PN结导通，会产生由一个横向PNP晶体管以及一个正向二极管串联构成的ESD电流泄放路径。通过分别拉伸两个PNP的基区宽度，可以单独改变正向或负向ESD脉冲来临时器件的维持电压，提高器件工作的灵活性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104408556A
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：CN201410650435.0
申请日：2014-11-08
Applicant: 西安电子科技大学
CPC classification number: G06Q10/0639 , G06K17/0022
Abstract: 本发明公开了一种基于安卓移动终端的远距离器件检测安装系统，创新性的采用移动终端解决在狭小空间下的条码信息显示和语音播报问题，工人无需将器件带回工作PC机处即可实时获取工作任务和信息比对。由于加入了本地语音引擎，可以让信息获取更加简单；创新性的采用大屏幕3D模型自动放大显示功能，将前端扫描获取到的条码所对应的器件在产品的3D模型中的安装位置及与其他器件的连接关系放大显示，工人在可视范围内可直接按照3D模型的指导完成器件的安装。
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公开(公告)号：CN111429230A
公开(公告)日：2020-07-17
申请号：CN202010247763.1
申请日：2020-04-01
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种最大化社交网络上拍卖收益的方法，属于数据处理领域；本发明将拍卖机制与社交网络相结合。利用社交网络能够扩大信息传播范围的特点，结合经典的拍卖机制，给出了一种在信息不对称情景下，在社交网络全局层面上实现资源有效配置的手段。利用最优化理论来最大化卖家收益。在一般机制的基础上更进一步，本发明能够实现在信息不对称的情况下，同时保证收益和资源配置效率。
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公开(公告)号：CN106159238B
公开(公告)日：2019-02-26
申请号：CN201610743724.4
申请日：2016-08-29
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种微纳米材料制备方法，其包括提供亚微米颗粒；往所述亚微米颗粒中添加含碳量大于等于50％的预聚物单体溶液以及引发剂以获得高分子包覆亚微米颗粒，其中所述含碳量大于等于50％的预聚物单体溶液以及所述引发剂之一种分次添加；烧结所述高分子包覆亚微米颗粒以制备获得碳包覆纳米颗粒的微纳米材料。本发明涉及一种采用上述方法制备的微纳米材料及采用此微纳米材料的电池。采用所述微纳米材料制备方法微纳米材料能够在纳米颗粒表面包覆性质稳定的碳结构，从而解决纳米颗粒不稳定问题。
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公开(公告)号：CN106159238A
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：CN201610743724.4
申请日：2016-08-29
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种微纳米材料制备方法，其包括提供亚微米颗粒；往所述亚微米颗粒中添加含碳量大于等于50％的预聚物单体溶液以及引发剂以获得高分子包覆亚微米颗粒，其中所述含碳量大于等于50％的预聚物单体溶液以及所述引发剂之一种分次添加；烧结所述高分子包覆亚微米颗粒以制备获得碳包覆纳米颗粒的微纳米材料。本发明涉及一种采用上述方法制备的微纳米材料及采用此微纳米材料的电池。采用所述微纳米材料制备方法微纳米材料能够在纳米颗粒表面包覆性质稳定的碳结构，从而解决纳米颗粒不稳定问题。
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公开(公告)号：CN104269401A
公开(公告)日：2015-01-07
申请号：CN201410440343.X
申请日：2014-08-30
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L27/02
Abstract: 一种基于SCR结构的新型ESD保护器件，可用于片上ICESD保护电路。保护器件主要由P型衬底，第一N型阱，第一P型阱，第二N型阱，第一N+注入区，第一P+注入区，第二N+注入区，第三N+注入区,第二P+注入区，第四N+注入区，第三P+注入区，第五N+注入区和若干场氧隔离区构成；该类型保护器件通过一定的连接方式连接。有别于两个SCR的串联或并联，该类型保护器件在ESD脉冲作用下，当达到单个改进型SCR结构的开启电压后，内部会形成两条通路，其中一条为普通SCR通路，另一条为改进型SCR加上正向二极管通路，该器件中的两条通路互作负反馈，提高整个器件在ESD事件来临时的维持电压，避免闩锁效应。
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