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公开(公告)号：CN115877934A
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202111139193.5
申请日：2021-09-27
Applicant: 电子科技大学 , 国网宁夏电力有限公司营销服务中心(国网宁夏电力有限公司计量中心) , 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网有限公司
IPC: G06F1/3206 , G06F1/324 , G06F1/3287 , G06F1/3296
Abstract: 本发明公开了一种嵌入式系统功耗控制方法，包括：满足预设条件时，控制嵌入式系统进入低功耗状态；接收到中断信号或驱动事件时，控制所述嵌入式系统恢复工作状态。本发明还公开了一种电子设备、嵌入式系统以及计算机可读存储介质。本发明通过检测嵌入式系统的状态满足预设条件时，控制嵌入式系统进入低功耗状态，在接收到中断信号或驱动事件时，控制嵌入式系统恢复工作状态，嵌入式系统的功耗与性能之间的平衡，既满足了嵌入式系统高实时性的需求，又实现了降低功耗的有益效果。
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公开(公告)号：CN114444750A
公开(公告)日：2022-05-06
申请号：CN202011209003.8
申请日：2020-11-03
Applicant: 电子科技大学 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网有限公司 , 国网宁夏电力有限公司营销服务中心(国网宁夏电力有限公司计量中心)
Abstract: 本发明公开了一种基于神经网络的电力负荷预测方法，包括一种基于神经网络的电力负荷预测方法，包括：获取电力负荷的历史数据，并建立样本库；将样本库随机分为训练集和测试集；将日期Tn、气温In和天气φn作为输入，将电力负荷值t作为输出，建立基于BP神经网络的电力负荷预测模型；根据训练集对电力负荷预测模型进行训练；根据测试集对训练结束后的电力负荷预测模型进行测试，计算电力负荷预测模型的误差，直至获得测试合格的电力负荷预测模型；将待预测的电力负荷数据输入测试合格的电力负荷预测模型，预测相应的电力负荷值。本发明利用影响电力负荷的相关数据，建立基于BP神经网络的电力负荷预测模型，提高电力负荷预测的效率及精度。
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公开(公告)号：CN105405844B
公开(公告)日：2018-12-18
申请号：CN201510974226.6
申请日：2015-12-23
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于电子技术领域，具体涉及静电释放(ESD)保护电路的设计，具体为一种用于ESD保护的自偏置堆栈式SCR器件。该自偏置堆栈式SCR器件由n个SCR器件串联而成，包括1个主器件和n‑1个后级堆栈器件，所述后级堆栈器件为双触发SCR器件、n阱触发SCR器件或衬底触发SCR器件，所述主器件阳极作为自偏置堆栈式SCR器件阳极，主器件阴极连接后级堆栈器件阳极，其他后级堆栈器件依次串联。本发明提供自偏置堆栈式SCR器件维持电压随着堆栈器件的数目的增加而增加，且触发电压保持为主SCR器件的触发电压；另外，本发明无需外加任何偏置电路，能够自偏置，提升堆栈式SCR器件性能的同时大大简化器件结构，有效提高集成电路性价比。
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公开(公告)号：CN104269401A
公开(公告)日：2015-01-07
申请号：CN201410440343.X
申请日：2014-08-30
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L27/02
Abstract: 一种基于SCR结构的新型ESD保护器件，可用于片上ICESD保护电路。保护器件主要由P型衬底，第一N型阱，第一P型阱，第二N型阱，第一N+注入区，第一P+注入区，第二N+注入区，第三N+注入区,第二P+注入区，第四N+注入区，第三P+注入区，第五N+注入区和若干场氧隔离区构成；该类型保护器件通过一定的连接方式连接。有别于两个SCR的串联或并联，该类型保护器件在ESD脉冲作用下，当达到单个改进型SCR结构的开启电压后，内部会形成两条通路，其中一条为普通SCR通路，另一条为改进型SCR加上正向二极管通路，该器件中的两条通路互作负反馈，提高整个器件在ESD事件来临时的维持电压，避免闩锁效应。
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公开(公告)号：CN104269401B
公开(公告)日：2017-03-29
申请号：CN201410440343.X
申请日：2014-08-30
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L27/02
Abstract: 一种基于SCR结构的新型ESD保护器件，可用于片上ICESD保护电路。保护器件主要由P型衬底，第一N型阱，第一P型阱，第二N型阱，第一N+注入区，第一P+注入区，第二N+注入区，第三N+注入区,第二P+注入区，第四N+注入区，第三P+注入区，第五N+注入区和若干场氧隔离区构成；该类型保护器件通过一定的连接方式连接。有别于两个SCR的串联或并联，该类型保护器件在ESD脉冲作用下，当达到单个改进型SCR结构的开启电压后，内部会形成两条通路，其中一条为普通SCR通路，另一条为改进型SCR加上正向二极管通路，该器件中的两条通路互作负反馈，提高整个器件在ESD事件来临时的维持电压，避免闩锁效应。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104269400A
公开(公告)日：2015-01-07
申请号：CN201410439316.0
申请日：2014-08-30
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种新型栅极接地NMOS结构ESD保护器件及其制作方法，保护器件包括P型衬底，P型衬底内有P阱区，P阱内注有第一P+区、第一N+区、第二N+区、第三N+区、第二P+区，在P阱内第二N+区的下方设有P型浅阱；第一N+区与第二N+区之间的P阱上方还有第二N+区与第三N+的P阱上方均有覆盖栅氧化层，栅氧化层上方均有多晶硅；P阱上还覆盖有若干氧化隔离层。本结构在普通多指栅极接地NMOS的基础上多了一层P型浅阱区，可以降低NMOS的开启电压，提高NMOS的二次击穿电流，并且通过调节P型浅阱区的尺寸大小，可以调节NMOS的开启电压与二次击穿电流。
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公开(公告)号：CN104241274A
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201410439235.0
申请日：2014-08-30
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L27/02
Abstract: 本发明公开了一种基于横向PNP结构的双向ESD保护器件，可用于片上ICESD保护电路。保护器件主要由P型衬底，第一N型阱，第二N型阱，第一P+注入区，第二P+注入区，第一N+注入区，第二N+注入区，第三P+注入区，第四P+注入区和若干场氧隔离区构成；该类型保护器件在正向或负向ESD脉冲作用下，内部横向PNP结构的反向PN结被触发导通，同时另一个N阱中的正向PN结导通，会产生由一个横向PNP晶体管以及一个正向二极管串联构成的ESD电流泄放路径。通过分别拉伸两个PNP的基区宽度，可以单独改变正向或负向ESD脉冲来临时器件的维持电压，提高器件工作的灵活性。
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公开(公告)号：CN114528892A
公开(公告)日：2022-05-24
申请号：CN202011208990.X
申请日：2020-11-03
Applicant: 电子科技大学 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网有限公司 , 国网宁夏电力有限公司营销服务中心(国网宁夏电力有限公司计量中心)
IPC: G06K9/62 , G06T7/00 , G06N3/04 , G06N3/08 , G06V10/764 , G06V10/774 , G06V10/82
Abstract: 本发明公开了一种基于深度学习的图像识别方法，包括采集不同型号输电线处于不同时间、地点和环境下的图片，并建立样本库；根据样本库构建卷积神经网络样本的训练集；根据所述训练集对构建的卷积神经网络进行训练，得到输电线故障检测模型；当对输电线图片进行识别时，将获取的图片输入输电线故障检测模型进行识别。本发明基于深度学习的图像识别方法来检测输电线破损的各种故障情况，利用图像自动识别的方式代替人工检测输电线，提高故障识别检测效率，降低人力成本，同时本发明将深度学习算法应用到输电线故障自动识别中，提高整体算法的鲁棒性及精度。
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公开(公告)号：CN104241274B
公开(公告)日：2017-09-29
申请号：CN201410439235.0
申请日：2014-08-30
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L27/02
Abstract: 本发明公开了一种基于横向PNP结构的双向ESD保护器件，可用于片上ICESD保护电路。保护器件主要由P型衬底，第一N型阱，第二N型阱，第一P+注入区，第二P+注入区，第一N+注入区，第二N+注入区，第三P+注入区，第四P+注入区和若干场氧隔离区构成；该类型保护器件在正向或负向ESD脉冲作用下，内部横向PNP结构的反向PN结被触发导通，同时另一个N阱中的正向PN结导通，会产生由一个横向PNP晶体管以及一个正向二极管串联构成的ESD电流泄放路径。通过分别拉伸两个PNP的基区宽度，可以单独改变正向或负向ESD脉冲来临时器件的维持电压，提高器件工作的灵活性。
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公开(公告)号：CN115877741A
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202111147189.3
申请日：2021-09-29
Applicant: 电子科技大学 , 国网宁夏电力有限公司营销服务中心(国网宁夏电力有限公司计量中心) , 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网有限公司
IPC: G05B19/042
Abstract: 本发明公开了一种基于ARM的嵌入式操作系统低功耗系统，具体涉及嵌入式软件领域，包括微型处理器，所述微型处理器连接端设有运行软件检测模块、检修人员识别模块、运行速度控制模块、显卡控制模块和控制模块；所述微型处理器用于对数据进行整体运算和控制，同时将接收到的信息按照预设的应对进行相应的控制。本发明通过设置运行软件检测模块、检修人员识别模块和控制模块，通过对外信息的监测对电力系统中的用电进行一个控制，从而可以将检修人员的状态和所使用的设备的照明用电进行限制，降低不需要用电的消耗，从而有效的降低设备的功耗。
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