公开(公告)号：CN104269400A

公开(公告)日：2015-01-07

申请号：CN201410439316.0

申请日：2014-08-30

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 刘志伟 ,  连捷坤 ,  纪长志 ,  繆家斌 ,  刘聂 ,  张国彦 ,  刘毅 ,  杨雪娇 ,  田瑞 ,  刘凡

IPC: H01L27/02 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明公开了一种新型栅极接地NMOS结构ESD保护器件及其制作方法，保护器件包括P型衬底，P型衬底内有P阱区，P阱内注有第一P+区、第一N+区、第二N+区、第三N+区、第二P+区，在P阱内第二N+区的下方设有P型浅阱；第一N+区与第二N+区之间的P阱上方还有第二N+区与第三N+的P阱上方均有覆盖栅氧化层，栅氧化层上方均有多晶硅；P阱上还覆盖有若干氧化隔离层。本结构在普通多指栅极接地NMOS的基础上多了一层P型浅阱区，可以降低NMOS的开启电压，提高NMOS的二次击穿电流，并且通过调节P型浅阱区的尺寸大小，可以调节NMOS的开启电压与二次击穿电流。