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公开(公告)号：CN104269401B
公开(公告)日：2017-03-29
申请号：CN201410440343.X
申请日：2014-08-30
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L27/02
Abstract: 一种基于SCR结构的新型ESD保护器件，可用于片上ICESD保护电路。保护器件主要由P型衬底，第一N型阱，第一P型阱，第二N型阱，第一N+注入区，第一P+注入区，第二N+注入区，第三N+注入区,第二P+注入区，第四N+注入区，第三P+注入区，第五N+注入区和若干场氧隔离区构成；该类型保护器件通过一定的连接方式连接。有别于两个SCR的串联或并联，该类型保护器件在ESD脉冲作用下，当达到单个改进型SCR结构的开启电压后，内部会形成两条通路，其中一条为普通SCR通路，另一条为改进型SCR加上正向二极管通路，该器件中的两条通路互作负反馈，提高整个器件在ESD事件来临时的维持电压，避免闩锁效应。
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公开(公告)号：CN104269401A
公开(公告)日：2015-01-07
申请号：CN201410440343.X
申请日：2014-08-30
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L27/02
Abstract: 一种基于SCR结构的新型ESD保护器件，可用于片上ICESD保护电路。保护器件主要由P型衬底，第一N型阱，第一P型阱，第二N型阱，第一N+注入区，第一P+注入区，第二N+注入区，第三N+注入区,第二P+注入区，第四N+注入区，第三P+注入区，第五N+注入区和若干场氧隔离区构成；该类型保护器件通过一定的连接方式连接。有别于两个SCR的串联或并联，该类型保护器件在ESD脉冲作用下，当达到单个改进型SCR结构的开启电压后，内部会形成两条通路，其中一条为普通SCR通路，另一条为改进型SCR加上正向二极管通路，该器件中的两条通路互作负反馈，提高整个器件在ESD事件来临时的维持电压，避免闩锁效应。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104241274B
公开(公告)日：2017-09-29
申请号：CN201410439235.0
申请日：2014-08-30
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L27/02
Abstract: 本发明公开了一种基于横向PNP结构的双向ESD保护器件，可用于片上ICESD保护电路。保护器件主要由P型衬底，第一N型阱，第二N型阱，第一P+注入区，第二P+注入区，第一N+注入区，第二N+注入区，第三P+注入区，第四P+注入区和若干场氧隔离区构成；该类型保护器件在正向或负向ESD脉冲作用下，内部横向PNP结构的反向PN结被触发导通，同时另一个N阱中的正向PN结导通，会产生由一个横向PNP晶体管以及一个正向二极管串联构成的ESD电流泄放路径。通过分别拉伸两个PNP的基区宽度，可以单独改变正向或负向ESD脉冲来临时器件的维持电压，提高器件工作的灵活性。
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公开(公告)号：CN105374868A
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201510981673.4
申请日：2015-12-23
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于集成电路的静电放电保护技术领域，涉及一种用于ESD保护的快速开启的SCR器件，用以克服SCR器件开启速度慢的问题。该SCR器件包括第一种导电类型硅衬底，硅衬底上形成相邻接的一个第二种导电类型阱区和一个第一种导电类型阱区，所述两个阱区内分别设有第二种导电类型重掺杂区，浅槽隔离区和第一种导电类型重掺杂区；其特征在于，所述第二种导电类型阱区和第一种导电类型阱区内掺杂浓度变化分布，沿着指向两阱区邻接处方向逐渐减小。本发明通过改变器件内阱区的横向掺杂浓度分布，在寄生pnp和/或寄生npn的基区内引入少数载流子的加速电场，减小相应少数载流子的基区渡越时间，最终减少SCR器件的开启时间，提高SCR器件开启速度。
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公开(公告)号：CN105374868B
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201510981673.4
申请日：2015-12-23
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于集成电路的静电放电保护技术领域，涉及一种用于ESD保护的快速开启的SCR器件，用以克服SCR器件开启速度慢的问题。该SCR器件包括第一种导电类型硅衬底，硅衬底上形成相邻接的一个第二种导电类型阱区和一个第一种导电类型阱区，所述两个阱区内分别设有第二种导电类型重掺杂区，浅槽隔离区和第一种导电类型重掺杂区；其特征在于，所述第二种导电类型阱区和第一种导电类型阱区内掺杂浓度变化分布，沿着指向两阱区邻接处方向逐渐减小。本发明通过改变器件内阱区的横向掺杂浓度分布，在寄生pnp和/或寄生npn的基区内引入少数载流子的加速电场，减小相应少数载流子的基区渡越时间，最终减少SCR器件的开启时间，提高SCR器件开启速度。
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公开(公告)号：CN104269400A
公开(公告)日：2015-01-07
申请号：CN201410439316.0
申请日：2014-08-30
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种新型栅极接地NMOS结构ESD保护器件及其制作方法，保护器件包括P型衬底，P型衬底内有P阱区，P阱内注有第一P+区、第一N+区、第二N+区、第三N+区、第二P+区，在P阱内第二N+区的下方设有P型浅阱；第一N+区与第二N+区之间的P阱上方还有第二N+区与第三N+的P阱上方均有覆盖栅氧化层，栅氧化层上方均有多晶硅；P阱上还覆盖有若干氧化隔离层。本结构在普通多指栅极接地NMOS的基础上多了一层P型浅阱区，可以降低NMOS的开启电压，提高NMOS的二次击穿电流，并且通过调节P型浅阱区的尺寸大小，可以调节NMOS的开启电压与二次击穿电流。
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公开(公告)号：CN104241274A
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201410439235.0
申请日：2014-08-30
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L27/02
Abstract: 本发明公开了一种基于横向PNP结构的双向ESD保护器件，可用于片上ICESD保护电路。保护器件主要由P型衬底，第一N型阱，第二N型阱，第一P+注入区，第二P+注入区，第一N+注入区，第二N+注入区，第三P+注入区，第四P+注入区和若干场氧隔离区构成；该类型保护器件在正向或负向ESD脉冲作用下，内部横向PNP结构的反向PN结被触发导通，同时另一个N阱中的正向PN结导通，会产生由一个横向PNP晶体管以及一个正向二极管串联构成的ESD电流泄放路径。通过分别拉伸两个PNP的基区宽度，可以单独改变正向或负向ESD脉冲来临时器件的维持电压，提高器件工作的灵活性。
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