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公开(公告)号：CN103314427A
公开(公告)日：2013-09-18
申请号：CN201280004865.4
申请日：2012-01-10
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 卢多维克·葛特 , 克里斯多夫·J·里维特 , 具本雄 , 安东尼·雷诺
CPC classification number: H01J49/40 , H01J37/244 , H01J37/3171 , H01J37/32935 , H01J49/04 , H01J2237/24528 , H01J2237/24542
Abstract: 一种用于监控具有离子能量且入射到衬底上的离子物种的角分布的飞行时间（TOF）离子感测器系统，其包括漂移管，其中离子感测器系统经配置以改变漂移管相对于衬底的平面的角度。漂移管具有第一端，所述第一端经配置以从离子物种接收离子脉冲，其中离子脉冲的较重离子和较轻离子以封包形式到达漂移管的第二端。离子检测器可设置在离子感测器的第二端处，其中离子检测器经配置以检测来源于离子脉冲且对应于各自不同离子质量的离子封包。
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公开(公告)号：CN103155090A
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN201180047008.8
申请日：2011-09-28
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01J37/317 , H01J37/305
CPC classification number: H01J37/317 , H01J37/3056 , H01J2237/31796 , H01L21/26586 , H01L21/266
Abstract: 一种使多个图案化光阻特征的粗糙度轮廓减少的方法。每个图案化光阻特征包括第一侧壁和位于第一侧壁对面的第二侧壁，其中每个图案化光阻特征包括中频线宽粗糙度和低频线宽粗糙度。执行多个离子照射周期，其中每个离子照射周期包括：以约为五度或大于五度的倾斜角提供离子到第一侧壁；以及以约为五度或大于五度的倾斜角提供离子到第二侧壁。藉由执行多个离子照射周期，中频线宽粗糙度和低频线宽粗糙度减少。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103109342A
公开(公告)日：2013-05-15
申请号：CN201180028561.7
申请日：2011-06-13
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01J37/32
CPC classification number: H01J37/32146 , H01J37/32412 , H01J37/3244
Abstract: 揭示用于等离子体处理衬底的技术。在一个特定示范性实施例中，所述技术可用包括以下操作的方法来实现：在接近等离子体源处引入馈送气体，其中所述馈送气体可包括第一和第二物质，其中所述第一和第二物质具有不同的电离能量；向所述等离子体源提供多电平RF功率波形，其中所述多电平RF功率波形至少具有第一功率电平和在第二脉冲持续时间期间的第二功率电平，其中所述第二功率电平可不同于所述第一功率电平；在所述第一脉冲持续时间期间电离所述馈送气体的所述第一物质；在所述第二脉冲持续时间期间电离所述第二物质；以及在所述第一脉冲持续时间期间向所述衬底提供偏压。
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公开(公告)号：CN103003914A
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN201180023911.0
申请日：2011-03-16
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
CPC classification number: H01J37/317 , G03F7/40 , H01J37/3171 , H01J37/3174 , H01J37/32357 , H01J37/32422 , H01J37/32623 , H01L21/0273 , H01L21/2236 , H01L21/263 , H01L21/265 , H01L29/66787
Abstract: 一种处理光刻胶特征的方法，包括在制程腔室(302)中定位具有一组图案化光刻胶特征(114a)的衬底(112)，此图案化光刻胶特征在衬底的第一面上；在具有等离子体鞘(308b)的制程腔室中邻近于衬底的第一面产生等离子体(306)。此方法可以还包含以等离子体鞘修改器(312)修改介于等离子体(306)和等离子体鞘(308b)之间的边界的形状，使得部分边界的形状不平行于由面对等离子体的衬底(112)的前表面所定义的平面，其中来自等离子体的离子(310)于第一曝露时以广角度范围撞击到图案化光刻胶特征(114a)上。
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公开(公告)号：CN101821836B
公开(公告)日：2012-06-06
申请号：CN200880110355.9
申请日：2008-09-18
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01L21/3065 , H01L21/205
CPC classification number: H01J37/32706 , H01J37/32623 , H01J37/32935
Abstract: 一种等离子体处理装置，包括：制程室；源，配置成在制程室内产生等离子体，以及压盘，配置成在制程室内支撑工件。压盘由具有脉冲ON时间周期及脉冲OFF时间周期的脉冲压盘信号来偏置，以在脉冲ON时间周期并且不在脉冲OFF时间周期内朝向工件加速来自等离子体的离子。板状物定位于制程室内。板状物由板状物信号来偏置，以在脉冲压盘信号的脉冲OFF时间周期之一的至少一部份周期内朝向板状物加速来自等离子体的离子，引起从板状物的二次电子发射，以至少部份地中和工件上的电荷积聚。
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公开(公告)号：CN102439683A
公开(公告)日：2012-05-02
申请号：CN201080020420.6
申请日：2010-04-22
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
CPC classification number: H01J37/08 , H01J27/024 , H01J37/09 , H01J2237/0451 , H01J2237/0453 , H01J2237/0456 , H01J2237/065 , H01J2237/08 , H01J2237/083 , H01J2237/31 , H01J2237/31701 , Y10S438/961
Abstract: 一种离子源，包括具有萃取孔隙的电弧室及等离子体鞘调制器。等离子体鞘调制器被装配以控制边界的形状，上述边界位于等离子体与接近萃取孔隙的等离子体鞘之间。等离子体鞘调制器可包括一对绝缘体，此对绝缘体安置于电弧室中且藉由安置于接近萃取孔隙的间隙来隔开。具有高电流密度的聚焦良好的离子束可藉由离子源产生。高电流密度离子束可改善相关制程的产出。离子束的发射率也可被控制。
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公开(公告)号：CN102422389A
公开(公告)日：2012-04-18
申请号：CN201080020274.7
申请日：2010-04-02
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 卢多维克·葛特 , 提摩太·J·米勒 , 乔治·D·帕帕守尔艾迪斯 , 维克拉姆·辛
IPC: H01L21/205 , H01L21/3065
CPC classification number: B44C1/227 , C23C16/045 , C23C16/50 , H01J37/32412 , H01J37/32623 , H01J2237/3344 , H01J2237/3345
Abstract: 使用等离子体处理工具在工件上沉积材料。举例而言，揭示一种用于材料的保形沉积的方法。在此实施例中，等离子体鞘形状经修改以允许材料以某一范围的入射角冲击所述工件。藉由随时间过去而改变此入射角范围，可在上面沉积多种不同特征。在另一实施例中，使用等离子体处理工具来蚀刻工件。在此实施例中，等离子体鞘形状经更改以允许离子以某一范围的入射角冲击工件。藉由随时间过去而改变此入射角范围，可形成多种不同形状的特征。
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