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公开(公告)号：CN102623373A
公开(公告)日：2012-08-01
申请号：CN201210103660.3
申请日：2008-05-23
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H01L21/67 , B23K26/00 , B23K101/40
CPC classification number: B23K26/40 , B23K26/53 , B23K2101/40 , B23K2103/50 , H01L21/67132 , H01L21/78
Abstract: 一种切断用加工方法，沿着切断预定线可靠地将加工对象物切断。通过向加工对象物(1)对准聚光点并照射激光，以沿着切断预定线(5)在加工对象物(1)中形成改质区域(M1)。对该形成有改质区域(M1)的加工对象物1，通过利用对改质区域的蚀刻速率比对非改质区域的蚀刻速率高的蚀刻液施以蚀刻处理，来蚀刻改质区域(M1)。因此，利用对改质区域(M1)的高蚀刻速率，沿着切断预定线(5)有选择且迅速地蚀刻加工对象物(1)。
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公开(公告)号：CN101238542B
公开(公告)日：2012-02-08
申请号：CN200680029151.3
申请日：2006-06-28
Applicant: 浜松光子学株式会社
CPC classification number: H01J43/28 , H01J5/24 , H01L51/5243 , H01L51/5246
Abstract: 本发明的目的在于，即使在小型化的情况下，也能够充分地维持真空容器的气密性。光电子倍增管(1)包括：平板状的下侧基板(4)、设置在该下侧基板(4)上的框状的框架(3b)、包含夹着低熔点金属而气密地接合于该框架(3b)的开口部的框架(3a)的上侧基板(2)、以及在下侧基板(4)上的框架(3b)的内侧与框架(3b)并列设置的框状的突起(25b)。
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公开(公告)号：CN101048844B
公开(公告)日：2011-04-27
申请号：CN200580037147.7
申请日：2005-10-27
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H01J43/28
CPC classification number: H01J43/28
Abstract: 在基底构件上，芯柱管脚通过该基底构件，并且保持构件接合到该基底构件的相应表面上，芯柱管脚和保持构件是通过基底构件的熔化造成的融合而接合在一起，这样就配置成具有至少三层或更多层的芯柱，这三层或更多层是由保持构件夹住基底构件形成的。与芯柱被配置为单层玻璃材料并且被熔化来融合芯柱管脚的传统配置相比，芯柱两个表面的位置精确度、平直度和水平度都被改善。
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公开(公告)号：CN101405826B
公开(公告)日：2010-10-20
申请号：CN200780009546.1
申请日：2007-02-28
Applicant: 浜松光子学株式会社
CPC classification number: H01J40/02
Abstract: 本发明涉及一种光电变换装置的制造方法，该方法在不会使光电面的特性劣化的情况下，气密性地接合形成容纳上述光电面的外围器的两个部材。在具有光电面(7)的上侧框架(2)的接合部上，依次层叠铬金属膜(11a)和镍金属膜(12b)。下侧框架(5)由具备电子倍增管(8)和阳极(9)的平板状部材(4)以及硅制框部材(3)构成。在上述框部材的接合部上，依次层叠铬金属膜(10a)和镍金属膜(10b)。上述上侧框架和上述下侧框架夹持着含铟的接合材料(12)而重合。在减压至规定的真空度并被保持在铟的熔点以下的温度的真空空间内，在规定的压力下互相押接上述上侧框架和上述下侧框架，形成具有维持充分的气密性的容纳空间的外围器。
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公开(公告)号：CN101814414A
公开(公告)日：2010-08-25
申请号：CN201010123813.1
申请日：2010-02-25
Applicant: 浜松光子学株式会社
CPC classification number: H01J43/243
Abstract: 本发明涉及一种光电倍增管，以防止电子向倍增极之间的箱体的绝缘部分入射从而改善耐受电压为课题。该光电倍增管(1)具有彼此相对地配置且各自的相对面(20a、40a)由绝缘材料构成的基板(20、40)、与基板(20、40)共同构成箱体的基板(30)、从基板(40)的相对面(40a)上的一端侧向另一端侧依次间隔地排列的倍增极(31a～31j)、从倍增极(31a)向一端侧间隔设置的光电面(22)以及从倍增极(31j)向另一端侧间隔设置的阳极部(32)，基板(20)的相对面(20a)被形成为覆盖倍增极(31a～31j)，在该相对面(20a)上，在与每一个倍增极(31a～31j)相对的部位上，设置有彼此电独立且被设定为与倍增极等电位的多个导电膜(21a～21j)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101814413A
公开(公告)日：2010-08-25
申请号：CN201010123812.7
申请日：2010-02-25
Applicant: 浜松光子学株式会社
CPC classification number: H01J43/243
Abstract: 一种光电倍增管，以防止电子向倍增极之间的绝缘部分入射从而改善耐受电压为课题。该光电倍增管具备：具有形成有由绝缘材料构成的主面的玻璃基板的箱体、从主面上的一端侧向另一端侧依次间隔地排列的第1级～第N级(N为2以上的整数)倍增极、从第1级倍增极向一端侧偏离而设置并释放光电子的光电面、以及从第N级倍增极向另一端侧偏离而设置并将被倍增了的电子作为信号取出的阳极部。在玻璃基板的主面上，在邻接的2个倍增极之间，形成有表面由绝缘材料构成的沟槽部，第1级～第N级倍增极被固定在与玻璃基板的沟槽部邻接的凸部上。
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公开(公告)号：CN101189701B
公开(公告)日：2010-04-21
申请号：CN200680019794.X
申请日：2006-06-01
Applicant: 浜松光子学株式会社
CPC classification number: H01J43/24
Abstract: 本发明涉及一种光电倍增器，其具有能有效地抑制电子倍增通道间的串扰，实现高检测精度的微细结构。该光电倍增器具有将内部维持在真空的外围器，在该外围器内配置有光电面(22)、电子倍增部(311)、阳极(32)。电子倍增部作为电子倍增通道具有用于对光电子进行级联倍增的沟部，阳极由分别与以壁部规定的沟部相对应的通道电极构成。特别是各通道电极(320)，其一部分被配置在被规定相应沟部的一对壁部夹着的空间内。
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公开(公告)号：CN101189701A
公开(公告)日：2008-05-28
申请号：CN200680019794.X
申请日：2006-06-01
Applicant: 浜松光子学株式会社
CPC classification number: H01J43/24
Abstract: 本发明涉及一种光电倍增器，其具有能有效地抑制电子倍增通道间的串扰，实现高检测精度的微细结构。该光电倍增器具有将内部维持在真空的外围器，在该外围器内配置有光电面(22)、电子倍增部(311)、阳极(32)。电子倍增部作为电子倍增通道具有用于对光电子进行级联倍增的沟部，阳极由分别与以壁部规定的沟部相对应的通道电极构成。特别是各通道电极(320)，其一部分被配置在被规定相应沟部的一对壁部夹着的空间内。
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公开(公告)号：CN103025476B
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201180036517.0
申请日：2011-07-19
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: B23K26/362 , H01L21/306 , H01L21/48
CPC classification number: H05K3/002 , B23K26/382 , B23K26/384 , B23K26/40 , B23K26/55 , B23K2101/35 , B23K2103/50 , H01L21/30604 , H01L21/30625 , H01L21/486 , H05K2203/107
Abstract: 一种激光加工方法，是使激光（L）聚光于由硅形成的加工对象物（1）的内部而形成改质区域（7），沿着该改质区域（7）进行蚀刻，由此在加工对象物（1）形成贯通孔（24）的激光加工方法，包含：在加工对象物（1）的外表面生成对蚀刻具有耐性的耐蚀刻膜的耐蚀刻膜生成工序；在耐蚀刻膜生成工序之后，通过使激光（L）聚光于加工对象物（1），沿着加工对象物（1）的与贯通孔（24）对应的部分形成改质区域（7），并且使激光（L）聚光于耐蚀刻膜（22），由此，沿着耐蚀刻膜（22）的与贯通孔（24）对应的部分形成缺陷区域（22b）的激光聚光工序；以及在激光聚光工序之后，对加工对象物（1）实施蚀刻处理，沿着改质区域（7）使蚀刻选择性地进展而形成贯通孔（24）的蚀刻处理工序。
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公开(公告)号：CN103026470B
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201180036527.4
申请日：2011-07-19
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H01L21/306 , B23K26/00 , B23K26/38
CPC classification number: H01L21/30608 , B23K26/382 , B23K26/384 , B23K26/40 , B23K26/55 , B23K2101/35 , B23K2103/50 , H01L21/30604 , H01L21/486
Abstract: 一种激光加工方法，是使激光（L）聚光于由硅形成的加工对象物（1）的内部而形成改质区域（7），沿着该改质区域（7）进行蚀刻，由此在加工对象物（1）形成贯通孔（1）的激光加工方法，其包含：通过使激光（L）聚光于加工对象物（1），沿着加工对象物（1）的与贯通孔（24）对应的部分形成改质区域（7）的激光聚光工序；在激光聚光工序之后，在加工对象物（1）的外表面生成对蚀刻具有耐性的耐蚀刻膜（22）的耐蚀刻膜产生工序；以及在耐蚀刻膜产生工序之后，对加工对象物（1）实施蚀刻处理，沿着改质区域（7）使蚀刻选择性地进展而形成贯通孔（1）的蚀刻处理工序，在激光聚光工序中，使改质区域（7）露出于加工对象物（1）的外表面的激光加工方法。
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