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公开(公告)号：CN205375210U
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201520977401.2
申请日：2015-11-30
Applicant: 桂林斯壮微电子有限责任公司
IPC: G05D11/13
Abstract: 本实用新型公开了一种用于铜线键合加工的保护气体监测系统，包括混合罐、氢气储罐和氮气储罐，氢气储罐和氮气储罐均通过输送管与混合罐的入口连接，还包括DCS控制系统和氢气分析仪，在各输送管上依次设有压力传感器、调压阀、流量调节阀、流量传感器和流量计，所述压力传感器和流量传感器与DCS控制系统的信号输入端连接，调压阀、流量调节阀和流量计与DCS控制系统的信号输出端连接；所述氢气分析仪的采集端与混合罐连接、其输出端与DCS控制系统的信号输入端连接。本实用新型能准确地监控铜线键合时所需的氮氢保护气体的压力、流量及配比值，有效地提高产品的良品率，具有检测精确、控制响应速度快，反应灵敏的特点。
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公开(公告)号：CN204984904U
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201520771374.3
申请日：2015-09-30
Applicant: 桂林斯壮微电子有限责任公司
IPC: F04C29/00 , F04C18/344
Abstract: 本实用新型公开了一种油式旋片真空泵自动加油装置，该装置包括开设于真空吸气口下方外壁上的进油口、金属管、流量控制阀门、吸油管道，所述金属管的一端与进油口相连接，另一端连接流量控制阀门；所述吸油管道的一端连接流量控制阀门，另一端为自由端伸入真空泵油桶中。本实用新型可以达到在连续运转不停机的情况下给真空泵进行自动加油，利用运行时真空泵吸气口所产生的负压吸入真空泵油，并通过流量控制阀门进行调节流量大小，操作方便、简单、快速，进一步减少了对生产的影响，在一定程度上可有效的提高生产效率。
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公开(公告)号：CN203386760U
公开(公告)日：2014-01-08
申请号：CN201320432785.0
申请日：2013-07-19
Applicant: 桂林斯壮微电子有限责任公司
Abstract: 本实用新型公开一种掩埋式势垒分压场效应管，其主要由背金层、N+衬底、掩埋层、工作层和焊区组成；掩埋层设置在N+衬底的上方；第二N型外延层位于掩埋层的上方，焊区设置在第二N型外延层的上方；背金层（1）涂覆在N+衬底的下表面；在外延层上根据耐压的需要确定向下挖槽的深度，提前掩埋分压势垒，并以与栅极相似的网格结构连接到源极，分两层制作高压功率场效应器件，当源极和漏极有电压（不导通）时，掩埋的势垒之间形成耗尽层，起到耐压的作用。同时，上述结构中掩埋分压势垒和上面的沟槽的栅极形成耗尽层，可以大幅消除栅极和漏极之间的电容，可以大幅减少栅极开关时的充电时间，从而提高了MOS管的开关速度。
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公开(公告)号：CN202948935U
公开(公告)日：2013-05-22
申请号：CN201220475976.0
申请日：2012-09-18
Applicant: 桂林斯壮微电子有限责任公司
IPC: H01L29/872 , H01L29/06
CPC classification number: H01L29/872
Abstract: 本实用新型公开一种掩埋PN结势垒肖特基二极管，其通过在原有硅外延层的上方增设一层附加硅外延层，这样有多个掩埋体掩埋在附加外延表面以下，形成多个隔离的PN结，在反向电压的情况下，这些PN结形成的空泛层会防护肖特基势垒介面而减低反向电压的电场影响，因而减少反向电压增加对反向漏电变大的负面效应，并且肖特基势垒介面也保持其原先的面积，在正向电压情况下，可以保持其正向电流导通的功能及效率。
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公开(公告)号：CN202940228U
公开(公告)日：2013-05-15
申请号：CN201220580520.0
申请日：2012-11-06
Applicant: 桂林斯壮微电子有限责任公司
IPC: H01L23/31 , H01L23/495
CPC classification number: H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本实用新型公开一种半导体集成晶体管的封装结构，包括由上模型腔槽和下模型腔槽相对扣压所形成的塑封体，该塑封体上开设有供半导体集成晶体管的引脚引出的引脚孔。上述塑封体的长度为2.9毫米，宽度为1.5毫米，高度为0.9毫米。本实用新型能够在保证引线框架的密度达到SOT-23型的前提下，功耗达到SOT-23-3L型的要求。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN207442796U
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：CN201721410659.X
申请日：2017-10-30
Applicant: 桂林电子科技大学 , 桂林斯壮微电子有限责任公司
Abstract: 本实用新型涉及一种Ka波段MMIC低噪声放大器，主要解决现有技术中的噪声系数高、带内增益平坦度差、线性度差的技术问题。通过采用包括两级放大器、λ/4传输线结构以及三级匹配网络，该两级放大器包括第一级场效应晶体管放大器，第一级栅极偏置网络，第一级漏极偏置网络以及第一级源极的电阻、第一级源极的电容并联网络，第二级放大器，第二级栅极偏置网络，第二级漏极偏置网络以及第二级源极的电阻、电容并联网络；该λ/4传输线结构包括与第一级栅极偏置网络连接的第一传输线网，以及与第一级漏极偏置网络连接的第二传输线网的技术方案，较好的解决了该问题，能够用于Ka波段的通信领域。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN205452241U
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201521097209.0
申请日：2015-12-25
Applicant: 桂林斯壮微电子有限责任公司
IPC: H01L21/67
CPC classification number: Y02P80/30
Abstract: 本实用新型公开一种具有防叠功能的贴片机，包括框架容置盒、传送轨道、贴装头和防叠框架检测机构。传送轨道位于框架容置盒的前端，贴装头位于传送轨道的后端。该防叠框架检测机构包括固定支架、活动杠杆、检测辊轮、传感器、控制器和报警器组成。当传送轨道上传送的引线框架的厚度大于检测辊轮的下端面与传送轨道之间的间隙时，检测辊轮被向上抬起，活动杠杆随之上升，此时传感器检测到活动杠杆的上升运动，发出信号到控制器，并通过控制器控制报警器发出报警。本实用新型能有效检查出两片及两片以上框架重叠送到轨道，使设备停机报警，提醒员工处理，这样直接地提高了焊接质量，减少原材料损耗，从而降低生产成本。
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公开(公告)号：CN205404692U
公开(公告)日：2016-07-27
申请号：CN201521117370.X
申请日：2015-12-29
Applicant: 桂林斯壮微电子有限责任公司
IPC: G01R31/00
Abstract: 本实用新型公开一种MOS器件PK仪，主要由壳体，固定在壳体上的电源开关、2个液晶显示屏、2组测试档位选择键和2组调节旋钮，以及设置在壳体内的2套测试平台组成；其中电源开关同时与2套测试平台的电源端相连；每套测试平台的输入端各连接1组测试档位选择键和1组调节旋钮的输出端；每套测试平台的输出端各连接1个液晶显示屏。本实用新型操作简单，对比情况直观，不需要购买昂贵的检测/试验设备，便可轻松了解样品性能对比情况；体积小重量轻，便于携带，有利于业务人员为客户直观演示产品性能，有利于研发人员现场快速了解样品性能对比情况。
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公开(公告)号：CN205373377U
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201520968415.8
申请日：2015-11-30
Applicant: 桂林斯壮微电子有限责任公司
IPC: F26B25/00
Abstract: 本实用新型公开了一种具有双重保护功能的烘箱，包括箱体和安装于箱体底部的加热器，加热器上连接有第一温控模块，还包括压力保护模块和用于监测并控制加热器工作温度的第二温控模块，压力保护模块安装于箱体上方；第二温控模块包括供电电源及依次连接的温度传感器、控制器和继电器，在控制器的输出端连接有声光报警装置和显示屏，继电器与加热器连接。本烘箱在原有烘箱电路的基础上，增加了一组主要由温度传感器、控制器、继电器、声光报警装置和显示屏组成的第二温控模块及用于监控烘箱的内外气压差的压力保护装置，使得本实用新型既可以防止烘烤温度过高或过低，也可以保证烘箱内的压强处于安全状态，具有双重保护功能，结构简单、实用性强。
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公开(公告)号：CN203503664U
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201320613514.5
申请日：2013-09-30
Applicant: 桂林斯壮微电子有限责任公司
Abstract: 本实用新型公开一种基于沟槽方式的通道分压场效应管，主要由漏极、栅极、源极、N+衬底、P型外延层、n型通道、体区P、良导体、氧化层、源区N+、金属塞、硼磷硅玻璃、以及铝层组成；其利用沟槽方式，再通过扩散制作一n型通道连接沟道与漏极，n型通道所形成的十字型结构或T字形也是3D结构，PN之间形成空乏区（耗尽层）从单一的垂直方向改变为垂直与水平两个方向，这样可以大幅提高这个区域的耐压，从而可以增加N通道的掺杂浓度，进而又起到降低导通电阻的作用。
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