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公开(公告)号:CN100492611C
公开(公告)日:2009-05-27
申请号:CN200510129027.1
申请日:2005-11-30
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/768
CPC classification number: H01L21/76879 , H01L21/288 , H01L27/3248 , H01L27/3276
Abstract: 本发明提供一种半导体装置的制造方法,包括以下步骤:形成第1导电层;在上述第1导电层上形成第1绝缘层;在上述第1绝缘层上形成第2绝缘层;在上述第1绝缘层和上述第2绝缘层中形成到达上述第1导电层的第1开口部分;在上述第2绝缘层上形成对包含导电材料的组成物的可湿性低于上述第2绝缘层的掩模层;在上述第2绝缘层中形成比上述第1开口部分宽的第2开口部分;用含有导电材料的组成物填充上述第1和第2开口部分以形成第2导电层。
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公开(公告)号:CN100416764C
公开(公告)日:2008-09-03
申请号:CN200510006162.7
申请日:2005-01-31
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/28 , H01L21/768 , H05B33/10 , G02F1/133
CPC classification number: H01L29/42384 , H01L27/12 , H01L27/1292 , H01L29/4908 , H01L29/66757 , H01L29/66765
Abstract: 在通过制造半导体器件的常规步骤形成接触孔时,要求在基片几乎整个表面上形成一层光致抗蚀剂,而使之涂在除待形成接触孔的区域以外的薄膜上,从而使处理能力急剧下降。按照本发明形成接触孔的方法及制造半导体器件、EL显示器及液晶显示器的方法,是在半导体层、导电层或绝缘层上选择性地形成一层岛形有机薄膜,并沿该岛形有机薄膜形成一层绝缘膜以形成接触孔。因此,不需要利用光致抗蚀剂的常规构成图案,可以达到高处理能力及低成本。
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公开(公告)号:CN101030536A
公开(公告)日:2007-09-05
申请号:CN200710087615.2
申请日:2007-03-01
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Inventor: 藤井严
IPC: H01L21/28 , H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L21/336
CPC classification number: C23C26/00 , C03C17/42 , C23C4/01 , C23C28/00 , H01C17/06 , H01L51/0004 , H05K3/0082 , H05K3/1208 , H05K3/1241 , H05K2201/0108 , H05K2203/0551 , H05K2203/1173
Abstract: 本发明揭示一种电路图案、薄膜晶体管及电子设备的制造方法。通过进行如下步骤形成电路图案:在具有透光性的衬底的主表面上形成具有遮光性的掩模;在所述衬底及所述掩模上的第一区域中形成第一膜;在所述第一膜上的所述第一区域的至少一部分中形成光催化膜;通过从与所述衬底的所述主表面相反的背面照射光,改变第二区域中的所述第一膜的润湿性,所述第二区域在所述第一区域中并与所述光催化膜接触而不重叠于所述掩模;去除所述光催化膜;以及在所述第二区域中形成包含图案形成材料的组成物。
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公开(公告)号:CN1894803A
公开(公告)日:2007-01-10
申请号:CN200480037686.6
申请日:2004-12-14
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , G06K19/067
CPC classification number: G06K19/07749 , H01L27/12 , H01L27/1285 , H01L27/1292 , H01L27/13 , H01L29/66757 , H01L29/66765 , H01L29/78603 , H01L29/78684
Abstract: IC卡比磁卡要贵得多,电子标签作为条形码的替代物也要贵得多。因此,本发明的目的是提供与传统硅晶片的芯片不同、能低成本大量生产的极薄集成电路以及该集成电路的制造方法。本发明的一个特征是通过能够选择性地形成图形的形成方法,在除大块基板之外的玻璃基板、石英基板、不锈钢基板、由例如丙烯的具有柔性的合成树脂所制成的基板等上面形成薄型集成电路。此外,本发明的一个特征是形成其中装配有根据本发明的薄膜集成电路和天线的ID芯片。
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公开(公告)号:CN1815699A
公开(公告)日:2006-08-09
申请号:CN200510129683.1
申请日:2005-12-16
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/3205
CPC classification number: H01L27/12 , H01L23/48 , H01L23/5227 , H01L24/11 , H01L27/0629 , H01L27/1266 , H01L27/1292 , H01L27/13 , H01L28/10 , H01L29/78621 , H01L2224/0554 , H01L2224/05568 , H01L2224/05573 , H01L2924/00014 , H01L2924/07811 , H01L2924/12044 , H01L2924/14 , H01L2924/15788 , H01L2924/3011 , H01L2924/00 , H01L2224/05599 , H01L2224/0555 , H01L2224/0556
Abstract: 本发明提供一种具有导电层的衬底的制造方法,包括以下步骤:在衬底上形成无机绝缘层;在所述无机绝缘层上形成具有期望形状的有机树脂层;在所述无机绝缘层的第1暴露区域上形成对含有导电颗粒的混合物的低可湿性层;去除所述有机树脂层;用所述含有导电颗粒的混合物涂覆所述无机绝缘层的第2暴露区域并烘焙,从而形成导电层。
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