半导体装置的制造方法
    51.
    发明授权

    公开(公告)号:CN100492611C

    公开(公告)日:2009-05-27

    申请号:CN200510129027.1

    申请日:2005-11-30

    CPC classification number: H01L21/76879 H01L21/288 H01L27/3248 H01L27/3276

    Abstract: 本发明提供一种半导体装置的制造方法,包括以下步骤:形成第1导电层;在上述第1导电层上形成第1绝缘层;在上述第1绝缘层上形成第2绝缘层;在上述第1绝缘层和上述第2绝缘层中形成到达上述第1导电层的第1开口部分;在上述第2绝缘层上形成对包含导电材料的组成物的可湿性低于上述第2绝缘层的掩模层;在上述第2绝缘层中形成比上述第1开口部分宽的第2开口部分;用含有导电材料的组成物填充上述第1和第2开口部分以形成第2导电层。

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