公开(公告)号：CN111656430B

公开(公告)日：2022-07-26

申请号：CN201980010491.9

申请日：2019-01-22

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 川岛进 ,  楠本直人

IPC: G09G3/36 ,  G02F1/133 ,  G02F1/1368 ,  G09G3/20 ,  G09G3/3233 ,  H01L27/32

Abstract: 提供一种能够提高图像品质的显示装置。该显示装置包括第一电路、像素及布线。第一电路具有对布线供应数据的功能及使布线处于浮动状态而保持所述数据的功能。像素具有从布线取得数据两次而进行加法运算的功能，可以在布线被供应数据的期间进行第一次的数据写入且在布线保持所述数据的期间进行第二次的所述数据写入。由此，通过对源极线进行一次数据充电就可以对显示元件供应源极驱动器的输出电压以上的数据电位。

公开(公告)号：CN112005289A

公开(公告)日：2020-11-27

申请号：CN201980026665.0

申请日：2019-04-19

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 川岛进 ,  楠本直人

IPC: G09F9/30 ,  G02F1/133 ,  G02F1/1368 ,  G09G3/20 ,  G09G3/3233 ,  G09G3/36 ,  H01L27/32 ,  H01L29/786

Abstract: 提供一种能够提高图像质量的显示装置。该显示装置在显示区域中包括多个像素区块，该像素区块包括第一电路及多个第二电路。第一电路具有对从源极驱动器供应的多个数据进行加法运算的功能。第二电路包括显示元件并具有根据对上述进行了加法运算的数据进行显示的功能。一个像素包括一个第二电路和共用的第一电路的构成要素。通过在多个像素中共用第一电路，可以提高开口率。

公开(公告)号：CN111448607A

公开(公告)日：2020-07-24

申请号：CN201880078504.1

申请日：2018-12-14

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 川岛进 ,  楠本直人

IPC: G09G3/20 ,  G02F1/133 ,  G09G3/3225 ,  G09G3/36

Abstract: 本发明提供一种能够提高图像质量的显示装置。在像素中包括多个电容器、多个晶体管以及显示元件。多个电容器通过布线串联连接，串联连接的多个电容器的一个、另一个以及该布线分别与多个晶体管中的一个电连接。能够根据被输入的多个数据的总和使显示元件工作，可以进行图像的上转换、HDR显示或亮度的提高等的图像校正。

公开(公告)号：CN111328414A

公开(公告)日：2020-06-23

申请号：CN201880073067.4

申请日：2018-11-15

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 川岛进 ,  楠本直人

IPC: G09G3/3233 ,  G09G3/20 ,  G09G3/36

Abstract: 提供一种能够提高图像质量的显示装置。在各像素中设置有存储节点，该存储节点可以保持第一数据。由电容耦合将第二数据附加到第一数据，并可以将该第一数据供应到显示元件。因此，显示装置可以显示被校正的图像。由于从电源线等供应用来进行电容耦合工作的基准电位，因此可以由共同使用的信号线供应第一数据及第二数据。

公开(公告)号：CN103132116B

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：CN201210481473.9

申请日：2012-11-23

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 高桥实 ,  斋藤祐美子 ,  桃纯平 ,  森若圭恵 ,  楠本直人

IPC: C25D7/06

CPC classification number: C25D11/00 ,  C25B3/04 ,  C25D1/18 ,  C25D5/48 ,  C25D7/0614 ,  C25D9/02 ,  C25D11/005 ,  C25D13/04 ,  C25D13/16 ,  Y02E60/122 ,  Y02P70/54

Abstract: 本发明的一个方式提供一种柔性衬底处理装置，该柔性衬底处理装置能够对形成在柔性衬底上的膜状结构体所包含的氧化物稳定地进行还原处理。上述装置结构包括：发送形成有膜状结构体的柔性衬底的衬底搬出部；将形成在柔性衬底上的膜状结构体所包含的氧化物电化学还原的还原部；洗涤柔性衬底及膜状结构体的洗涤部；使柔性衬底及膜状结构体干燥的干燥部；以及卷起形成有膜状结构体的柔性衬底的衬底搬入部。

公开(公告)号：CN101246894B

公开(公告)日：2012-12-12

申请号：CN200810009974.0

申请日：2008-02-15

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 楠本直人 ,  西和夫 ,  菅原裕辅

IPC: H01L27/144 ,  H01L23/482 ,  H01L21/84 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L31/147 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1214 ,  H01L31/153 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的目的在于使光电转换装置和安装光电转换装置的构件之间的粘着强度增大且抑制光电转换装置和构件的剥离。本发明涉及一种光电转换装置，包括：其端部被削去为倾斜或者槽状的第一衬底；在第一衬底上的光电二极管以及放大光电二极管的输出电流的放大电路；设置在第一衬底的一个端部上的电连接到光电二极管的第一电极；设置在第一衬底的另一个端部上的电连接到放大电路的第二电极；包括第三电极以及第四电极的第二衬底。第一电极以及第三电极、和第二电极以及第四电极由导电材料粘结，该导电材料设置在彼此相对的第一、第二、第三以及第四电极的表面上以及第一以及第二电极的侧面上。

公开(公告)号：CN1893033B

公开(公告)日：2012-09-05

申请号：CN200610100198.6

申请日：2006-06-30

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 大力浩二 ,  楠本直人 ,  鹤目卓也

IPC: H01L21/84

CPC classification number: H01L27/1266 ,  H01L27/1285 ,  H01L27/1292

Abstract: 本发明的一个目的在于提供制造半导体器件的方法，该方法消除了在将半导体元件形成在基片上后基片变薄或者除去基片的情形中，由于杂质元素或者水分等从外界进入而对半导体元件产生的影响。其一个特征是通过对基片进行表面处理在基片的至少一个侧面上形成起防护膜作用的绝缘薄膜，将半导体元件(比如薄膜晶体管)形成在所述绝缘薄膜上，和薄化所述基片。作为表面处理，对基片进行杂质元素的加入或者等离子处理。作为薄化基片的方法，通过对基片另一侧面进行研磨处理或者抛光处理等可以使基片被部分除去。

公开(公告)号：CN101479747B

公开(公告)日：2011-05-18

申请号：CN200780023459.1

申请日：2007-06-19

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 道前芳隆 ,  青山智幸 ,  高桥秀和 ,  山田大干 ,  荻田香 ,  楠本直人

IPC: G06K19/077 ,  G06K19/07 ,  D21H21/48 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC classification number: D21H21/48 ,  B32B29/00 ,  D21H27/32 ,  G06K19/07749 ,  H01L23/49855 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/1266 ,  H01L29/78603 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 实现嵌有能无线通信的半导体器件的纸，其包括该半导体器件的部分的不均匀性不突出，且该纸是薄的，具有小于或等于130μm的厚度。半导体器件设置有电路部分和天线，且该电路部分包括薄膜晶体管。电路部分和天线与在制造期间所用的衬底分离，并介于柔性基片和密封层之间并被保护。该半导体器件可弯曲，且该半导体器件自身的厚度小于或等于30μm。该半导体器件在造纸工艺中被嵌入纸内。

公开(公告)号：CN1892983B

公开(公告)日：2010-06-23

申请号：CN200610101626.7

申请日：2006-06-30

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 鹤目卓也 ,  楠本直人

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L21/67132 ,  H01L21/78

Abstract: 本发明的目的在于高成品率地提供一种具有被薄型化了的衬底的半导体装置。本发明的技术要点是：在衬底的预定部分(至少覆盖衬底的侧面的部分)形成保护层之后，磨削、研磨所述衬底。换言之，在衬底的一面上形成具有多个集成电路的元件层；至少接触所述衬底的侧面地形成保护层；使所述衬底变薄(例如，磨削、研磨所述衬底的另一面)；除去所述保护层；以及通过分开所述被研磨了的衬底和所述元件层来形成具有设有所述多个集成电路中的至少一个的层的叠层体。

公开(公告)号：CN100530611C

公开(公告)日：2009-08-19

申请号：CN200510109909.1

申请日：2005-09-14

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 鹤目卓也 ,  大力浩二 ,  楠本直人

IPC: H01L23/18 ,  H01L21/54

CPC classification number: H01L21/6835 ,  H01L23/20 ,  H01L23/22 ,  H01L23/58 ,  H01L24/83 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68363 ,  H01L2221/68368 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/293 ,  H01L2224/83851 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2224/29075 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种无需固定到产品上便可使用的新型无线芯片。明确地说，无线芯片可通过密封步骤而具有新功能。根据本发明的无线芯片的一个特征是具有一种结构，在这种结构中，薄膜集成电路通过薄膜来密封。具体来说，密封集成电路的薄膜具有空心结构；因此无线芯片可具有新功能。