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公开(公告)号：CN103443946A
公开(公告)日：2013-12-11
申请号：CN201380000872.1
申请日：2013-02-28
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L41/187 , B41J2/045 , B41J2/055 , G01C19/5607 , H01L41/083 , H01L41/09 , H01L41/18 , H01L41/22 , H01L41/39
CPC classification number: H01L41/1871 , B41J2/14201 , B41J2/14233 , B41J2202/03 , G01C19/56 , G01C19/5769 , H01L41/0477 , H01L41/0478 , H01L41/081 , H01L41/113 , H01L41/187 , H01L41/319
Abstract: 本发明的目的是提供一种具有高的结晶取向性和高的强介电特性的NBT-BT无铅压电体膜。本发明的压电体膜具备NaxM1-x层和（Bi，Na）TiO3-BaTiO3层。（Bi，Na）TiO3-BaTiO3层形成在NaxM1-x层上，M表示Pt、Ir或PtIr，x表示0.002以上0.02以下的值，NaxM1-x层和（Bi，Na）TiO3-BaTiO3层均仅具有（001）取向、仅具有（110）取向或仅具有（111）取向。
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公开(公告)号：CN103053039A
公开(公告)日：2013-04-17
申请号：CN201280002260.1
申请日：2012-01-12
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L41/187 , B41J2/045 , B41J2/14 , H01L41/314
CPC classification number: B41J2/14233 , B41J2202/03 , G01C19/5621 , H01L41/0815 , H01L41/1136 , H01L41/187 , H01L41/316
Abstract: 本发明的压电体膜依次层叠有：仅具有(110)取向的第一电极、仅具有(110)取向的(NaxBi0.5)TiO0.5x+2.75－BaTiO3层、仅具有(110)取向的(Bi,Na)TiO3－BaTiO3层和第二电极，其中x的值是0.29以上0.40以下。本发明的目的在于提供具有更高的结晶取向性、更高的压电常数和更高的强介电特性的BNT-BT压电体膜。
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公开(公告)号：CN102844901A
公开(公告)日：2012-12-26
申请号：CN201180019085.2
申请日：2011-06-14
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L41/187 , H01L41/09 , B41J2/14 , G01C19/5607 , H01L41/113
CPC classification number: H01L41/1871 , B41J2/14233 , C23C14/0021 , C23C14/025 , C23C14/088 , G01C19/5621 , G01C19/5628 , G01P3/44 , H01L41/0477 , H01L41/0973 , H01L41/1136
Abstract: 本发明的目的在于提供含有非铅强介电材料、具有低介电损失和与PZT相同的高压电性能的压电体膜及其制造方法。本发明的压电体膜具备具有(110)取向的(NaxBiy)TiO0.5x+1.5y+2－BaTiO3层（0.30≤x≤0.46且0.51≤y≤0.62）。
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公开(公告)号：CN102113141A
公开(公告)日：2011-06-29
申请号：CN200980120322.7
申请日：2009-10-22
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: C04B35/495 , C04B35/6265 , C04B35/6268 , C04B2235/3201 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3251 , C04B2235/3253 , C04B2235/94 , C04B2235/9607 , H01L35/22
Abstract: 本发明提供热电转换材料和热电转换元件。该热电转换材料由以化学式A0.8-1.2Ta2O6-y表示的氧化物材料构成。其中，A仅由钙(Ca)构成，或者A由选自镁(Mg)、锶(Sr)和钡(Ba)中的至少一种和钙(Ca)构成。y大于0小于等于0.5(0＜y≤0.5)。
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公开(公告)号：CN101981718A
公开(公告)日：2011-02-23
申请号：CN200980110747.X
申请日：2009-10-02
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: C23C14/08 , C04B35/475 , C04B2235/3201 , C04B2235/3215 , C04B2235/3236 , G01C19/5607 , G01C19/5642 , H01L41/187 , H01L41/316 , Y10T29/42
Abstract: 本发明提供一种压电薄膜及其制造方法，该压电薄膜包含不含铅的强介电材料，变现出与PZT同等水平的高的压电性能。本发明的压电薄膜具有依次叠层有具有(100)的面方位的金属电极膜、(Bi，Na)TiO3膜和具有(001)的面方位的(Bi，Na，Ba)TiO3膜的叠层结构。本发明的压电薄膜能够应用于广泛的领域和用途，例如，能够利用本发明的压电薄膜形成传感灵敏度出色的本发明的角速度传感器以及发电特性出色的压电发电元件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101375423B
公开(公告)日：2010-06-02
申请号：CN200780001232.7
申请日：2007-11-09
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 本发明提供具有高热发电性能、能够应用于更多用途的，使用热发电元件的发电方法、热发电元件和热发电器件。该热发电元件包括：相互相对配置的第一电极和第二电极；和被第一和第二电极夹持，并且与第一和第二电极两者电连接的叠层体，叠层体具有交互地叠层有SrB6层和含有Cu、Ag、Au或Al的金属层的结构，金属层与SrB6层的厚度的比在金属层∶SrB6层＝20∶1～2.5∶1的范围内，SrB6层和金属层的叠层面相对于第一电极和第二电极相对的方向，以20°以上50°以下的倾斜角θ倾斜，由于在元件的与上述方向垂直的方向上的温度差，在第一和第二电极之间产生电位差。
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公开(公告)号：CN1820380B
公开(公告)日：2010-05-05
申请号：CN200580000645.4
申请日：2005-01-18
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L35/32
CPC classification number: H01L35/32
Abstract: 本发明提供一种即使薄型化也能实现高效率的热电转换元件。在该热电转换元件中，在绝缘层的一面上配置有条纹状的p型热电转换部，在另一面上配置有条纹状的n型热电转换部。两种条纹形成重叠部，在该重叠部中，第一p型热电转换部和第一n型热电转换部通过配置在绝缘层内的第一导通部电连接，并且第二p型热电转换部和第二n型热电转换部通过配置在绝缘层内的第二导通部电连接，第一导通部与第二导通部电分离。在现有的元件中配置有一个接合的区域，本发明的元件配置有两个接合。
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公开(公告)号：CN100461479C
公开(公告)日：2009-02-11
申请号：CN200480023312.9
申请日：2004-12-27
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 本发明提供一种具有高热电转换性能的热电转换装置。在该装置中，电极的配置与根据以往的技术常识的配置不同，配置成使电流沿层状物质的层间方向流动。在基于本发明的热电转换装置中，热电转换膜是通过外延生长获得的膜，并且电气传导层与电气绝缘层交替配置，电气传导层具有过渡金属原子(M)位于中心、同时氧原子位于顶点的八面体晶体结构，电气绝缘层由金属元素或结晶性金属氧化物构成。而且，由电气传导层和电气绝缘层构成的层状物质的c轴与基体的面内方向平行，一对电极配置成使电流沿c轴流动。
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公开(公告)号：CN1836341A
公开(公告)日：2006-09-20
申请号：CN200480023312.9
申请日：2004-12-27
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 本发明提供一种具有高热电转换性能的热电转换装置。在该装置中，电极的配置与根据以往的技术常识的配置不同，配置成使电流沿层状物质的层间方向流动。在基于本发明的热电转换装置中，热电转换膜是通过外延生长获得的膜，并且电气传导层与电气绝缘层交替配置，电气传导层具有过渡金属原子(M)位于中心、同时氧原子位于顶点的八面体晶体结构，电气绝缘层由金属元素或结晶性金属氧化物构成。而且，由电气传导层和电气绝缘层构成的层状物质的c轴与基体的面内方向平行，一对电极配置成使电流沿c轴流动。
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公开(公告)号：CN1780933A
公开(公告)日：2006-05-31
申请号：CN200480011313.1
申请日：2004-11-16
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L35/32 , H01L35/22 , H01L35/34 , Y10S117/915
Abstract: 在热电转换元件等功能元件中，有适合外延生长的基体与使用时期望的基体并不一致的情况。本发明中，通过水蒸气的作用，使得基体上形成的规定的层状结构与基体分离。本发明的结晶膜的制造方法包含：在基体上使含有层状结构的结晶膜外延生长，使得所述层状结构与所述基体相接的工序；在腔室内，使水蒸气供给源供给的水蒸气与所述层状结构接触的工序；和通过分离所述层状结构和所述基体，得到所述结晶膜的工序。其中所述层状结构包含含有碱金属的层、和含有选自Co、Fe、Ni、Mn、Ti、Cr、V、Nb及Mo中的至少一种元素的氧化物的层。
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