公开(公告)号：CN117438451A

公开(公告)日：2024-01-23

申请号：CN202210816463.X

申请日：2022-07-12

Applicant: 无锡华润上华科技有限公司

Inventor： 刘腾 ,  张森 ,  何乃龙 ,  章文通 ,  文天龙 ,  赵景川

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L21/331

Abstract: 本申请涉及一种横向绝缘栅双极晶体管，包括漂移区、第一阱区、第一电极引出区、第二电极引出区以及电导调制结构。漂移区具有第一导电类型，电导调制结构设于第一电极引出区和第二电极引出区之间的漂移区内，电导调制结构包括设于漂移区的上表层且具有第一导电类型的第一掺杂区，以及设于第一掺杂区内且具有第二导电类型的第二掺杂区。其中，第一导电类型和第二导电类型相反，第一掺杂区的掺杂浓度大于漂移区的掺杂浓度。可极大地降低横向绝缘栅双极晶体管的通态压降，且降低横向绝缘栅双极晶体管的功耗。

公开(公告)号：CN117316932A

公开(公告)日：2023-12-29

申请号：CN202210687557.1

申请日：2022-06-17

Applicant: 无锡华润上华科技有限公司

Inventor： 赵景川 ,  何乃龙 ,  张森 ,  盛燕

IPC: H01L23/64 ,  H01L29/40 ,  H10N97/00

Abstract: 本申请涉及一种半导体器件及其制备方法，半导体器件包括：第一金属层，设置于基底上；介质层，设置于第一金属层远离基底的一侧；金属环，介质层内设有至少一金属环；以及第二金属层，设置于介质层远离第一金属层的一侧；第二金属层的电位高于第一金属层的电位；其中，金属环在基底上的正投影，位于第二金属层在基底上的正投影的外围，且金属环在基底上的正投影与第二金属层在基底上的正投影之间具有第一间距。这样，通过金属环的场板效应，优化了第二金属层边缘处的电场分布，从而降低了第二金属层边缘处的电场强度，提高了半导体器件的耐压，避免介质层被提前击穿，提高了半导体器件的使用寿命。

公开(公告)号：CN117293178A

公开(公告)日：2023-12-26

申请号：CN202210698235.7

申请日：2022-06-20

Applicant: 无锡华润上华科技有限公司

Inventor： 刘腾 ,  何乃龙 ,  张森 ,  章文通 ,  文天龙 ,  宋华 ,  张志丽

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明涉及一种横向扩散金属氧化物半导体器件及其制造方法，所述横向扩散金属氧化物半导体器件包括：第二导电类型阱区；漏极区，位于第二导电类型阱区中；源极区，位于第二导电类型阱区中；栅极，设于漏极区和源极区之间；第一绝缘隔离结构，设于漏极区和源极区之间的第二导电类型阱区中，且靠近漏极区设置，从第二导电类型阱区的表面向下延伸且大于漏极区的深度；第二导电类型埋层，位于漏极区下方，至少部分位于第二导电类型阱区中，掺杂浓度大于第二导电类型阱区的掺杂浓度。本发明通过设置第一绝缘隔离结构来电流路径以避免电流集中，能够提升ESD防护能力。通过在漏端下方引入第二导电类型埋层来增大漂移区的浓度，可以降低ESD开启电压。

公开(公告)号：CN116435288A

公开(公告)日：2023-07-14

申请号：CN202111654661.2

申请日：2021-12-30

Applicant: 无锡华润上华科技有限公司

Inventor： 赵景川 ,  何乃龙 ,  张森 ,  周俊芳 ,  邵红 ,  许杰 ,  王浩 ,  朱文明

IPC: H01L23/522 ,  H10N97/00 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明涉及一种电容器结构及其制造方法、半导体器件，所述电容器结构包括：第一金属层，包括第一金属图案和第二金属图案；第二金属层，包括第三金属图案和第四金属图案；介质层，设于第一金属层和第二金属层之间；第一金属图案和第三金属图案之间的介质层设有第一通孔，第一通孔中设有导电材料从而电性连接第一金属图案和第三金属图案；第二金属图案和第四金属图案之间的介质层设有第二通孔，第二通孔中设有导电材料从而电性连接第二金属图案和第四金属图案，第一通孔中的导电材料作为电容器的一个极板、第二通孔中的导电材料作为电容器的另一个极板。本发明将两个金属层之间的通孔的导电材料作为电容器的上下极板，电容器易于实现高耐压。

公开(公告)号：CN116230704A

公开(公告)日：2023-06-06

申请号：CN202111478967.7

申请日：2021-12-06

Applicant: 无锡华润上华科技有限公司

Inventor： 何乃龙 ,  张森 ,  王浩 ,  赵景川 ,  姚玉恒

IPC: H01L27/02

Abstract: 本发明涉及一种集成电路结构及光刻版，所述光刻版，包括：LDMOS器件区，用于形成LDMOS器件；控制电路区，用于形成控制电路；第一隔离结构图形，围绕所述LDMOS器件区设置，所述第一隔离结构图形用于形成将所述LDMOS器件与所述控制电路隔离开的第一隔离结构。本发明通过第一隔离结构将LDMOS器件与控制电路隔离开，能够避免LDMOS器件与控制电路之间产生寄生效应，从而改善ESD保护失效。

公开(公告)号：CN113130632B

公开(公告)日：2022-08-12

申请号：CN201911418234.7

申请日：2019-12-31

Applicant: 无锡华润上华科技有限公司

Inventor： 赵景川 ,  张志丽 ,  张森

IPC: H01L29/40 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明涉及一种横向扩散金属氧化物半导体器件及其制备方法，包括：第一导电类型的衬底；第二导电类型的漂移区，位于第一导电类型的衬底内；纵向浮空场板阵列，包括若干个呈多行多列间隔排布的纵向浮空场板结构；纵向浮空场板结构包括设于沟槽内表面的介质层及填充于沟槽内的导电层，沟槽从第二导电类型的漂移区贯穿第二导电类型的漂移区并延伸至第一导电类型的衬底内；若干个第一导电类型的注入区域，位于第二导电类型的漂移区内，且位于各行相邻两纵向浮空场板结构之间。纵向浮空场板结构从第二导电类型的漂移区表面贯穿第二导电类型的漂移区并延伸至第一导电类型的衬底内，使得纵向浮空场板结构底部的电势被表面限制，从而提高了器件的稳定性。

公开(公告)号：CN114695511A

公开(公告)日：2022-07-01

申请号：CN202011630769.3

申请日：2020-12-30

Applicant: 无锡华润上华科技有限公司

Inventor： 赵景川 ,  何乃龙 ,  张森 ,  张志丽 ,  许杰

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明涉及一种横向扩散金属氧化物半导体器件及其制造方法，所述器件包括：衬底；漂移区，设于衬底上；多层掺杂结构，设于漂移区中，每层掺杂结构包括至少一根沿导电沟道长度方向延伸的掺杂条；多根掺杂多晶硅柱,设于漂移区中,并从上至下贯穿至少一层掺杂结构的掺杂条；场氧化层，设于各掺杂多晶硅柱上，场氧化层的底部与各掺杂多晶硅柱的顶部接触；导电结构，设于场氧化层上；其中，场氧化层在各掺杂多晶硅柱的位置开设有多个通孔，各通孔内填充有导电材料，各掺杂多晶硅柱通过通孔内的导电材料电连接至导电结构。本发明将纵向分布的第二导电类型掺杂多晶硅柱以串联电容器方式电连接在一起，可以优化体内电场分布，进一步提升器件的反向耐压。

公开(公告)号：CN114695510A

公开(公告)日：2022-07-01

申请号：CN202011630768.9

申请日：2020-12-30

Applicant: 无锡华润上华科技有限公司

Inventor： 赵景川 ,  何乃龙 ,  张森 ,  张志丽 ,  王浩

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明涉及一种横向扩散金属氧化物半导体器件及其制造方法，所述器件包括：衬底，具有第二导电类型；漂移区，设于所述衬底上，具有第一导电类型，第一导电类型和第二导电类型为相反的导电类型；多层掺杂结构，设于所述漂移区中，每层掺杂结构包括至少一根沿导电沟道长度方向延伸的掺杂条；多根掺杂多晶硅柱,设于所述漂移区中,并从上至下贯穿至少一层掺杂结构的掺杂条，各所述掺杂多晶硅柱的掺杂离子的导电类型与各所述掺杂条的掺杂离子的导电类型相反。本发明由于形成了注入孔，因此离子注入不受深度的约束，并且可以在漂移区体内形成多重RESURF结构/多个导电通道。能够提高击穿电压/降低导通电阻。

公开(公告)号：CN114068157A

公开(公告)日：2022-02-18

申请号：CN202010751749.5

申请日：2020-07-30

Applicant: 无锡华润上华科技有限公司

Inventor： 何乃龙 ,  张森 ,  赵景川 ,  许杰

IPC: H01F27/34 ,  H01F27/28

Abstract: 本发明涉及一种半导体电感结构，包括：互感线圈，包括顶层线圈和底层线圈，顶层线圈与底层线圈位于不同的平面，且两者之间形成互感；中间结构，中间结构位于顶层线圈与底层线圈之间，包括，层间导电层和连通结构，连通结构用于电连接层间导电层与顶层线圈、层间导电层与底层线圈。中间结构连接顶层线圈和底层线圈，中间结构包括层间导电层和连通结构，层间导电层与连通结构均为导电结构，两者的磁导率大于空气，因此磁路的磁阻大大减小，使得顶层线圈和底层线圈之间的磁通量增大，则底层线圈和顶层线圈的感抗变大了，当底层线圈和底层线圈所组成的互感线圈感抗变大后，寄生电感对互感线圈的影响变小，因此采集信号受到的干扰也变小。

公开(公告)号：CN111146270B

公开(公告)日：2021-04-13

申请号：CN201811313508.1

申请日：2018-11-06

Applicant: 无锡华润上华科技有限公司

Inventor： 程诗康 ,  顾炎 ,  张森

IPC: H01L29/06 ,  H01L27/02 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8232

Abstract: 本发明提供一种TVS器件及其制造方法，所述TVS器件包括：第一掺杂类型半导体衬底；设置于半导体衬底上的第一第二掺杂类型深阱、第二第二掺杂类型深阱和第一掺杂类型深阱；设置于第一第二掺杂类型深阱中的第一第二掺杂类型重掺杂区；设置于第二第二掺杂类型深阱中的第一掺杂类型阱区和第一第一掺杂类型重掺杂区；设置于第一掺杂类型阱区中的第二第一掺杂类型重掺杂区和第二第二掺杂类型重掺杂区；位于第一掺杂类型阱区中和第二第二掺杂类型深阱中的第三第二掺杂类型重掺杂区；以及设置于第一掺杂类型阱区中的第一掺杂类型掺杂区。本发明提供的TVS器件结构简单，成本低廉，隔离效果好、电流泄放能力更强，电容更小。