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发明公开
半导体器件及其制备方法审中-实审

公开(公告)号：CN117316932A

公开(公告)日：2023-12-29

申请号：CN202210687557.1

申请日：2022-06-17

Applicant: 无锡华润上华科技有限公司

Inventor： 赵景川 , 何乃龙 , 张森 , 盛燕

IPC: H01L23/64 , H01L29/40 , H10N97/00

Abstract: 本申请涉及一种半导体器件及其制备方法，半导体器件包括：第一金属层，设置于基底上；介质层，设置于第一金属层远离基底的一侧；金属环，介质层内设有至少一金属环；以及第二金属层，设置于介质层远离第一金属层的一侧；第二金属层的电位高于第一金属层的电位；其中，金属环在基底上的正投影，位于第二金属层在基底上的正投影的外围，且金属环在基底上的正投影与第二金属层在基底上的正投影之间具有第一间距。这样，通过金属环的场板效应，优化了第二金属层边缘处的电场分布，从而降低了第二金属层边缘处的电场强度，提高了半导体器件的耐压，避免介质层被提前击穿，提高了半导体器件的使用寿命。

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