公开(公告)号：CN100352016C

公开(公告)日：2007-11-28

申请号：CN01821537.8

申请日：2001-12-27

Applicant: 大见忠弘

Inventor： 大见忠弘 ,  须川成利 ,  平山昌树 ,  白井泰雪

IPC: H01L21/316

CPC classification number: H01L21/28202 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02247 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/02307 ,  H01L21/02315 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/3145 ,  H01L21/31612 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/3185 ,  H01L21/823462 ,  H01L27/105 ,  H01L27/1052 ,  H01L27/11526 ,  H01L27/11546 ,  H01L27/11568 ,  H01L27/12 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/513 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78645

Abstract: 一种半导体器件的制造方法，该半导体器件包含以硅为衬底的多个晶体管和电容，其中，氢至少存在于所述硅衬底表面的一部分上，通过将所述表面暴露于由第一惰性气体产生的等离子体来去除所述氢，然后，由第二惰性气体和一种或多种气体分子的混合气体产生等离子体，从而在硅衬底表面上形成一种硅化合物层，该硅化合物层至少包含构成所述气体分子的一部分的元素。

公开(公告)号：CN1945800A

公开(公告)日：2007-04-11

申请号：CN200610087184.5

申请日：2002-03-28

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  大见忠弘

Inventor： 大见忠弘 ,  平山昌树 ,  须川成利 ,  后藤哲也

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/00 ,  C23C16/517 ,  H01J37/32 ,  H05H1/00

CPC classification number: H01J37/32192 ,  C23C16/517 ,  H01J37/32009 ,  H01J37/32339

Abstract: 在微波等离子体处理装置(10)中设置促进利用微波进行等离子体点火的等离子体点火促进部件。等离子体点火促进部件具有产生真空紫外线的重氢灯(30)，以及，使真空紫外线透过并将之导入等离子体激发用空间(26)内的透过窗(32)。透过窗(32)构成为凸透镜结构，通过聚焦真空紫外线来促进等离子体激发气体的电离。通过所述结构，可以容易且快速地进行等离子体点火。

公开(公告)号：CN1306566C

公开(公告)日：2007-03-21

申请号：CN02807490.4

申请日：2002-03-28

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  大见忠弘

Inventor： 大见忠弘 ,  平山昌树 ,  须川成利 ,  后藤哲也

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/31 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01J37/3244 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32238

Abstract: 在微波等离子体处理装置中，通过使正对被处理基片的喷盘或等离子体透过窗的、正对所述被处理基片的一侧成凹面状，从而，与所述被处理基片表面一致的平面和所述内表面之间的间隔沿所述微波透过窗的径向向外呈多阶梯形地减小，由此来补偿被处理基片周围部分中的等离子体密度的降低。其结果，即使在进行蚀刻等低压下的等离子体处理时，也能在被处理基片表面附近维持稳定均匀的等离子体。此外，通过所述结构，还可以促进等离子体的点火。

公开(公告)号：CN1926714A

公开(公告)日：2007-03-07

申请号：CN200480042366.X

申请日：2004-03-10

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  大见忠弘 ,  后藤尚久

Inventor： 大见忠弘 ,  后藤尚久 ,  久我宣裕 ,  广江昭彦

IPC: H01P5/12

CPC classification number: H01J37/32229 ,  H01J37/32192

Abstract: 一种分配器(30)，包括连接到微波振荡器(20)的方形波导管(31)和具有多个在窄壁(41B)中形成的开口(43)的方形波导管(41)。方形波导管(31)是中空的。相对介电常数为εr的波延迟部件(53)被配置在方形波导管(41)中。两个方形波导管(31、41)的窄壁(31A、41A)互相接触，并且两个波导管(31、41)通过其相互连通的连通孔(32)形成于窄壁(31A、41A)中。即使连通孔(32)的宽度减小，两个波导管(31、41)的宽度也不在其连接部分处变窄。由此，可抑制能够通过连接部分的频带变窄。因此，能够减小在输入到分配器(30)的电磁波的频率改变时出现的反射损失。

公开(公告)号：CN1279582C

公开(公告)日：2006-10-11

申请号：CN200410003341.0

申请日：2000-07-21

Applicant: 株式会社富士金 ,  大见忠弘

Inventor： 大见忠弘 ,  池田信一 ,  皆见幸男 ,  川田幸司 ,  米华克典 ,  本井傅晃央 ,  平井畅 ,  森本明弘 ,  成相敏朗 ,  平尾圭司 ,  田口将暖 ,  中村修

IPC: H01L21/00

CPC classification number: B01J3/006 ,  B01J7/00 ,  B01J12/007 ,  C01B5/00

Abstract: 本发明的目的是提供一种安全的减压型水分发生供给装置，该装置减压供给(例如数托)水分气体，较高地保持水分发生用反应炉的内压，这样，可防止氢的自燃，本发明的另一目的是提供一种水分发生用反应炉，是通过对水分发生用反应炉高效率地进行冷却，便可在不增大反应炉尺寸的情况下使水分发生量大幅度增加的水分发生用反应炉。因此，本发明的减压型水分发生供给装置的特征在于：由水分发生用反应炉和减压机构构成，其中水分发生用反应炉是由氢和氧通过催化剂反应而发生水分气体；减压机构设在该水分发生用反应炉的下流侧，水分气体通过该减压机构减压后供给下流侧，与此同时较高地保持反应炉内的内压。本发明的散热式水分发生用反应炉由将入口侧炉主体部件和出口侧炉主体部件组合起来而形成有内部空间的反应炉主体、和贴紧在上述各炉子主体部件的外壁面上的散热片底板、及立设在该散热片底板上的多个散热用散热片构成，利用上述散热用散热片对发生的热量进行强制性辐射，使反应炉的温度降低。并且，对散热用散热片进行氧化铝膜加工，使热辐射率大幅度提高，而使散热效率进一步提高。

公开(公告)号：CN1816733A

公开(公告)日：2006-08-09

申请号：CN200480018993.X

申请日：2004-06-18

Applicant: 株式会社富士金 ,  大见忠弘

Inventor： 大见忠弘 ,  杉山一彦 ,  宇野富雄 ,  池田信一 ,  西野功二 ,  中村修 ,  土肥亮介 ,  松本笃谘

IPC: G01F1/42 ,  G01F1/50 ,  G01F7/00

CPC classification number: G01F1/50 ,  G01F1/42 ,  G05D7/0635

Abstract: 本发明的课题在于使差压式流量计的构造简化而实现制造成本的降低，并且能够在100％～1％的较广的流量范围内实时地且以在线状态进行误差(E)为(1％SP)以下的高精度的流量计测。为此，在包括孔口测流计、孔口测流计上游侧的压力(P1)的检测器、孔口测流计下游侧的流体压力(P2)的检测器、孔口测流计上游侧的流体温度(T)的检测器、利用来自上述各检测器的检测压力(P1、P2)及检测温度(T)运算流过孔口测流计的流体流量(Q)的控制运算电路的差压式流量计中，根据(其中，C1为比例常数，m和n为常数)来运算前述流体流量(Q)。

公开(公告)号：CN1809737A

公开(公告)日：2006-07-26

申请号：CN200480017295.8

申请日：2004-06-10

Applicant: 株式会社富士金 ,  大见忠弘

Inventor： 大见忠弘 ,  杉山一彦 ,  日野昭一 ,  高桥荣治 ,  三枝慎 ,  池田信一 ,  西野功二 ,  土肥亮介 ,  上野山丰己 ,  杉田胜幸

IPC: G01L19/02 ,  G01L19/04

CPC classification number: G01L19/02 ,  G01L9/065 ,  G01L19/0023 ,  G05D7/0635

Abstract: 本发明提供一种对压力传感器的时效零点漂移进行自动修正，能够不限于其工作期间对压力进行准确检测的压力传感器、使用该压力传感器的压力控制装置以及流量控制装置。具体地说，作为一种采用对流体压力进行测定的半导体压敏元件的压力传感器，将来自压力传感器的传感器输出电压通过放大器向外部输出，并将所述传感器输出电压通过D/A转换器输入给压力传感器时效零点漂移修正机构，在该时效零点漂移修正机构的传感器输出判定机构中判定所述传感器输出电压是否大于设定值，进而在所述时效零点漂移修正机构的动作条件判定机构中对压力传感器的动作条件进行判定，当所述传感器输出电压大于设定值且压力传感器的动作条件处于预先设定的动作条件下时，通过D/A转换器将与所述传感器的输出电压大小相等而极性相反的零点修正用电压输入给所述放大器的补偿端子，将压力传感器的时效零点漂移消除。

公开(公告)号：CN1806331A

公开(公告)日：2006-07-19

申请号：CN200480016261.7

申请日：2004-06-11

Applicant: 株式会社丰田自动织机 ,  新泻精密株式会社 ,  大见忠弘

Inventor： 大见忠弘 ,  西牟田武史 ,  宫城弘 ,  须川成利 ,  寺本章伸

IPC: H01L27/092 ,  H03H19/00 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66787 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/82385 ,  H01L27/092

Abstract: 在硅衬底上形成高度为HB、宽度为WB的矩形平行六面体突出部分(21)，并且在该突出部分(21)的上壁表面及侧壁表面部分上形成栅极氧化膜，以形成MOS晶体管。上述准备的P沟道和n沟道MOS晶体管并联，以配置开关电容电路的开关。以这种方式，开关电容电路可表现出更小的漏泄电流和更小的DC偏置。

公开(公告)号：CN1246887C

公开(公告)日：2006-03-22

申请号：CN02800922.3

申请日：2002-03-28

Applicant: 大见忠弘 ,  东京毅力科创株式会社

Inventor： 大见忠弘 ,  平山昌树 ,  须川成利 ,  后藤哲也

IPC: H01L21/31 ,  H05H1/46 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/3244 ,  C23C16/511 ,  C30B25/105 ,  H01J37/32192

Abstract: 本发明涉及使用放射线槽天线的微波等离子体处理装置，使放射线槽天线辐射面与构成处理室外壁的一部分，贴紧在与浇淋板贴紧的盖板上，在放射线槽天线上还通过设置冷却器，以便吸收于厚度方向在处理室外壁中流过的热流，从而使浇淋板的冷却效率最佳化，同时使微波激励效率最佳化。

公开(公告)号：CN1748264A

公开(公告)日：2006-03-15

申请号：CN200480003650.6

申请日：2004-02-03

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  大见忠弘

Inventor： 大见忠弘 ,  高桥一郎 ,  山田敦彦 ,  樱井弘之

IPC: H01B3/12 ,  H01B19/00 ,  H01L21/316 ,  H01L27/10 ,  C23C14/06 ,  C01G35/00

CPC classification number: H01L21/31691 ,  C01G35/00 ,  C01G35/006 ,  C01P2006/42 ,  C23C14/088

Abstract: 本发明目的在于降低Sr2(Ta1－xNbx)O7(0≤x≤1)的铁电膜的介电常数并且增大矫顽电场。本发明是一种铁电膜的制造方法，具有膜形成工序和加热工序，在膜形成工序中，在处理室的至少目标物周边的内侧表面由与目标物同样的构成材质形成的处理室中，使等离子体中的离子冲击目标物，并使通过该冲击而产生的目标原子沉积在衬底上，从而形成铁电膜；在加热工序中，加热所述铁电膜并进行氧化。