公开(公告)号：CN113964202B

公开(公告)日：2023-01-24

申请号：CN202111196555.4

申请日：2021-10-14

Applicant: 上海集成电路制造创新中心有限公司 ,  复旦大学

Inventor： 徐敏 ,  张卫 ,  黄自强 ,  王晨

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/66 ,  H01L23/544

Abstract: 本发明提供了一种环栅器件制备的测试方法与系统，其中，将拉曼测试装置引入到环栅器件制备的工艺环节，进而，能够在生长外延层后、刻蚀鳍片后、源漏外延(且伪栅极被去除)、释放牺牲层后、HKMG包裹沟道后等至少之一时间点对沟道对应位置的应力进行测试，在此基础上，测试结果可反应出沟道对应位置应力随制备工艺环节的变化。其中，由于拉曼测试装置的测试光的光斑面积较小，进而，可在测试中表征出较小尺寸的结构应力，同时，该过程中，也不会对样品表面产生损伤。可见，本发明能够在无损的情况下准确对各工艺环节下沟道对应位置的应力进行测试与表征，为制备工艺的进一步分析与改进提供准确、充分的依据。

公开(公告)号：CN115548116A

公开(公告)日：2022-12-30

申请号：CN202211255558.5

申请日：2022-10-13

Applicant: 复旦大学

Inventor： 王路宇 ,  张鹏浩 ,  徐敏 ,  潘茂林 ,  王强 ,  樊蓉 ,  杨妍楠 ,  谢欣灵 ,  徐赛生 ,  王晨 ,  张卫

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/06 ,  H01L29/20 ,  H01L21/335

Abstract: 本发明提供了一种具有栅极保护功能的GaN HEMT器件结构，该器件包括：GaN HEMT器件；第一成核层；所述第一成核层形成于所述GaN HEMT器件上；以及形成于所述第一成核层上的PN二极管；其中，所述PN二极管包括：分别形成于所述第一成核层上的第一区域与第二区域的p+型GaN层与n+型GaN层；以及形成于所述GaN HEMT器件上的阴极与阳极，所述阴极与所述p+型GaN层相连，所述阳极与所述n+型GaN层相连；所述第一区域与所述第二区域沿第一方向相对，所述第一方向表征了纸平面上水平方向；其中，所述PN二极管的击穿电压小于所述GaN HEMT器件的击穿电压。本发明提供的技术方案解决了传统结构GaN HEMT器件的栅极容易被击穿的问题，实现了保护GaN HEMT器件不被破坏的技术效果。

公开(公告)号：CN115233156A

公开(公告)日：2022-10-25

申请号：CN202210878689.2

申请日：2022-07-25

Applicant: 复旦大学 ,  上海集成电路制造创新中心有限公司

Inventor： 黄自强 ,  王晨 ,  徐敏 ,  徐赛生 ,  张卫

IPC: C23C14/06 ,  C23C14/34 ,  H01L39/02 ,  H01L39/24

Abstract: 本发明提供了一种约瑟夫森结制备方法及约瑟夫森结。本发明的约瑟夫森结制备方法，包括以下步骤：向工艺腔内通入氩气和氮气，在氩气和氮气的作用下通过靶材对工艺腔内的约瑟夫森结进行镀膜，得到表面镀有氮化层的约瑟夫森结。本发明的约瑟夫森结金属层镀膜方法的有益效果在于：通过向密闭的工艺腔内通入氩气和氮气，并电离氩气和氮气得到氮离子体和氩离子体，氩离子体轰击工艺腔上侧的靶材得到靶材的原子团，靶材的原子团与氮离子体结合在约瑟夫森结的表面形成一层靶材氮化物，靶材氮化物层的形成能够避免约瑟夫森结的顶层金属层于空气接触，避免顶层金属层氧化，进而能够提升约瑟夫森结的稳定性，降低约瑟夫森结造成的器件扰动频次以及幅度。

公开(公告)号：CN115101475A

公开(公告)日：2022-09-23

申请号：CN202210680809.8

申请日：2022-06-16

Applicant: 复旦大学 ,  上海集成电路制造创新中心有限公司

Inventor： 陈鲲 ,  杨静雯 ,  徐敏 ,  王晨 ,  张卫 ,  徐赛生 ,  吴春蕾

IPC: H01L21/8234 ,  H01L21/336 ,  H01L21/306 ,  H01L27/088 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明提供了一种牺牲层选区刻蚀方法，该方法包括：提供一衬底；在衬底上形成沿第一方向排列的若干鳍结构；每个鳍结构均包括形成于衬底上的间隔堆叠的牺牲层和沟道层；在每个鳍结构上形成沿第二方向排列的若干假栅堆叠件，且每个假栅堆叠件横跨对应的鳍结构；假栅堆叠件包括假栅和沿第二方向形成于假栅的两侧的内隔离层；对待刻蚀区域的鳍结构进行离子注入以形成改性的掺杂区域，使得掺杂区域的刻蚀速率比非掺杂区域的刻蚀速率快；对每个鳍结构的牺牲层进行刻蚀，以去除所述掺杂区域的牺牲层，且保持非掺杂区域的牺牲层的完整。本发明提供的技术方案，避免了未掺杂区域的牺牲层的横向损失，保证了其完整性，实现了器件性能的进一步提高。

公开(公告)号：CN114937700A

公开(公告)日：2022-08-23

申请号：CN202210682323.8

申请日：2022-06-16

Applicant: 上海集成电路制造创新中心有限公司 ,  复旦大学

Inventor： 陈鲲 ,  杨静雯 ,  徐敏 ,  王晨 ,  张卫 ,  徐赛生 ,  吴春蕾

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/10 ,  H01L27/092 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8238

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件的沟道结构，包括：第一沟道区以及第二沟道区，所述第一沟道区与所述第二沟道区均形成于所述GAA器件的源区和漏区之间；所述第一沟道区形成于衬底的第一区域上；所述第二沟道区形成于所述衬底的第二区域上；所述第一沟道区包括：沿远离所述衬底方向上依次形成的第一沟道层以及若干第二沟道层，各第二沟道层之间以及所述若干第二沟道层与所述第一沟道层之间均不接触；所述第二沟道区包括：形成于所述衬底上的所述第一沟道层。解决了如何利用简洁的工艺制作半导体器件的沟道结构的问题，实现了工艺的简化以及减小器件缺陷的效果。

公开(公告)号：CN112908853B

公开(公告)日：2022-08-16

申请号：CN202110114036.2

申请日：2021-01-27

Applicant: 复旦大学 ,  上海集成电路制造创新中心有限公司

Inventor： 张卫 ,  徐敏 ,  陈鲲 ,  杨静雯 ,  徐赛生 ,  王晨 ,  吴春蕾 ,  尹睿

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/08

Abstract: 本发明提供了一种GAA晶体管及其制备方法、电子设备，其中的制备方法，包括：提供一衬底；在所述衬底上形成外延层，所述外延层包括交替层叠的牺牲层与硅层，其中，所述外延层中与所述衬底相接触的一层为底层牺牲层；刻蚀所述衬底与所述外延层，以形成鳍片；刻蚀所述鳍片中剩余的外延层，以在鳍片的第一侧与第二侧刻蚀出源极区域与漏极区域，其中，刻蚀的最终终点低于所述剩余的外延层中底层牺牲层的最高处，且不低于衬底与底层牺牲层的连接处；鳍片的第一侧与第二侧为鳍片一对相对的两侧；在所述源极区域制作源极，在所述漏极区域制作漏极。

公开(公告)号：CN114488524A

公开(公告)日：2022-05-13

申请号：CN202210153768.7

申请日：2022-02-19

Applicant: 复旦大学

Inventor： 王军华 ,  李一丹 ,  徐敏 ,  李旭锋

IPC: G02B27/00 ,  G02B5/30

Abstract: 本发明属于光学工程技术领域，具体为一种基于高阶多项式自由曲面相位板的波前编码成像系统。本发明提到的系统包括高阶多项式自由曲面相位板、光学成像系统、图像传感器和解码算法。光学成像系统的波前经高阶多项式自由曲面相位板和光学成像系统调制后具有离焦不敏感性，在焦点附近形成点扩散函数相似的中间编码图像；位于光学系统焦面上的图像传感器接收中间编码图像；中间编码图像经过解码算法处理后得到清晰的大景深图像。高阶多项式自由曲面相位板函数由多项式的三次项、七次项、十一次项组成。该面型函数离焦一致性更好；函数待定系数更少，易于优化；在多参数的情况下可获得波前编码系统相位板参数的精确解。

公开(公告)号：CN112747029B

公开(公告)日：2022-03-18

申请号：CN201911051295.4

申请日：2019-10-31

Applicant: 复旦大学

Inventor： 王伟 ,  周冠宇 ,  徐敏

IPC: F16B47/00

Abstract: 本发明提供了一种面向超薄光学零件吸取的真空吸盘，包括：真空通路部，呈圆盘状，具有设置在内部的真空腔、设置在真空腔上表面的通过圆心且沿直径方向均匀设置的第一贯通圆孔以及在设置在真空腔下表面中心的第二贯通圆孔；橡胶吸附部，设置在真空通路部的上方，呈圆盘状，具有环形槽以及设置在环形槽下方的与第一贯通圆孔相对齐的贯通孔；以及真空发生器部，设置在真空通路部的下方，呈圆盘状，其内部设有真空发生器，上表面中心处开有与第二贯通圆孔对齐的圆孔，其中，真空发生器部、橡胶吸附部以及真空通路部之间用密封胶密封，并用螺丝和螺母旋紧固定，形成一体式结构。

公开(公告)号：CN114143426A

公开(公告)日：2022-03-04

申请号：CN202111399513.0

申请日：2021-11-19

Applicant: 复旦大学

Inventor： 王军华 ,  田雨涵 ,  王鼎 ,  徐敏 ,  李旭锋

IPC: H04N5/225 ,  H04N5/232 ,  H04N5/341 ,  H04N13/327 ,  G06T7/80 ,  G06T17/00

Abstract: 本发明属于三维重构相关技术领域，具体为一种基于全景结构光的三维重构系统和方法。本发明的基于全景结构光的三维重构系统，包括全景相机、全景投影仪、两个多维调节架及计算机处理系统；全景相机和全景投影仪的光学系统均采用二次折反射式全景镜头，根据二次折反射式全景镜头的成像关系，建立平面‑柱面投影模型。本发明的三维重构方法包括：全景条纹图像的生成和采集；全景相机标定；采用多频外差相移法进行相位展开；全景投影仪标定；三维坐标计算；本发明可以简单、高效、高精度的实现360°环式场景的稠密三维重构，在工件检测、医疗建模、逆向工程、自主导航等领域具有广泛的应用。

公开(公告)号：CN114092647A

公开(公告)日：2022-02-25

申请号：CN202111398711.5

申请日：2021-11-19

Applicant: 复旦大学

Inventor： 王军华 ,  田雨涵 ,  王鼎 ,  徐敏 ,  李旭锋

IPC: G06T17/00 ,  G06T7/80 ,  G06T7/33

Abstract: 本发明属于计算机视觉三维重建技术领域，具体为一种基于全景双目立体视觉的三维重建系统和方法。本发明三维重建系统包括两个全景相机、两个多维调节架及计算机处理系统，全景相机由图像传感器和二次折反射式全景镜头组成，根据二次折反射式全景相机的成像关系，建立平面‑柱面投影模型。本发明的三维重建方法包括：全景图像采集及图像处理，得到全景环式图像；全景相机标定；利用特征点提取算法对全景环式图像进行特征点检测；采用平衡二叉树法进行特征匹配；计算实际物点的三维坐标，实现稀疏特征的全景三维重建。本发明可以快速、高效实现360°环式场景的三维重建，在机器人导航、自动驾驶、非接触式三维测量等方面具有广阔的应用前景。