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公开(公告)号：CN107176837A
公开(公告)日：2017-09-19
申请号：CN201710400616.1
申请日：2017-05-31
Applicant: 哈尔滨理工大学
IPC: C04B35/495 , C04B35/622 , C04B35/626
Abstract: 一种超高介电常数钽铌酸钾陶瓷的制备方法。本发明涉及功能陶瓷材料的制备领域，特别是涉及一种高介电常数钽铌酸钾陶瓷的制备方法。本发明是要解决现有钽铌酸钾陶瓷介电常数低限制了其在介电材料领域的应用的问题。方法：一、棒状钽铌酸钾粉体的制备；二、制备超高介电常数的钽铌酸钾陶瓷。本发明用于制备超高介电常数的钽铌酸钾陶瓷。
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公开(公告)号：CN103063872A
公开(公告)日：2013-04-24
申请号：CN201210589602.6
申请日：2012-12-31
Applicant: 哈尔滨理工大学
IPC: G01P15/03
Abstract: 具有自温补功能的高可靠光纤光栅加速度传感器，属于光纤传感技术领域。它解决了传统光纤光栅振动传感器敏度低，可靠性差的问题。它包括菱形梁、振动梁、质量块、光纤光栅和传输光纤，所述振动梁包括振动片、曾敏凹槽、连接底板、振动臂和固定座；所述菱形梁的两个短的方形梁的末端分别固定在振动梁上，且该两个短方形梁的中心线与振动梁的中心线相互平行；菱形梁的两个长的方形梁的中心线位于振动片与固定座之间的间隙的中间；光纤光栅嵌入在菱形梁的凹槽内并延伸出菱形梁凹槽；传输光纤连接在光纤光栅延伸至菱形梁凹槽外侧的两端上；所述光纤光栅为光纤马赫-曾德尔干涉仪。本发明适用于光纤传感技术领域。
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公开(公告)号：CN119846527A
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN202510199403.1
申请日：2025-02-24
Applicant: 哈尔滨理工大学
IPC: G01R33/032
Abstract: 本申请公开了一种游标增敏的光纤微腔磁场测量装置及方法，涉及光纤磁场传感技术领域。所述装置包括：宽带光源、光纤耦合器、光纤微腔磁场传感器和光谱分析仪；宽带光源用于提供探测光信号；光纤耦合器用于将探测光信号传输至光纤微腔磁场传感器；光纤微腔磁场传感器基于光纤法布里‑珀罗微腔原理，检测外界磁场变化信息，得到总反射光信号；光纤耦合器还用于将总反射光信号传输至光谱分析仪；光谱分析仪对总反射光信号进行解调，并基于光学游标效应理论以实现磁场测量；磁场强度响应用于表征游标光谱包络的波长漂移量与外界磁场强度的关系。本申请旨在实现高精度磁场测量。
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公开(公告)号：CN119780806A
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202510199132.X
申请日：2025-02-24
Applicant: 哈尔滨理工大学
IPC: G01R33/12 , G01R33/032
Abstract: 本申请公开了一种光纤磁流体磁化强度测量装置及方法，涉及光纤传感技术领域。所述装置包括：宽带光源、光纤环形器、传感头、磁场调控装置和光谱分析仪；其中，传感头包括第一单模光纤、空芯光纤、UV胶膜、第二单模光纤和石英管。宽带光源发射探测光信号；光纤环形器将探测光信号传输至传感头的第一单模光纤；磁场调控装置向传感头施加定向磁场；传感头根据探测光信号和定向磁场，确定待测磁流体的干涉光谱；干涉光谱是基于法布里‑珀罗干涉仪进行反射的反射光信号确定的；光谱分析仪接收并解调干涉光谱，得到待测磁流体的磁化强度。本申请可实现磁流体磁化强度的精准测量。
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公开(公告)号：CN117781922A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202311818173.X
申请日：2023-12-26
Applicant: 哈尔滨理工大学
IPC: G01B11/22
Abstract: 一种结构光深度成像仪结构参数校正方法属于结构光三维测量技术领域。该方法包括以下步骤：先构建结构光深度成像仪的解析成像模型；再构建结构光深度成像仪的深度成像误差模型；第三，在结构参数附加不同误差时获取标准平面最大深度测量值；第四，获取结构参数附加不同误差时标准平板最大深度的测量误差平均值；第五，获取最大深度下的深度成像误差模型参数；第六，获取结构参数无附加误差时标准平板最大深度的测量误差平均值；第六，获取结构参数自身误差；最后，得到结构参数校正后的解析成像模型和深度测量值。本发明有益效果在于：相比现有结构光深度成像仪，本发明方法得到了更准确的结构参数，显著减小了结构参数误差所导致的深度测量误差。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114645286B
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202210325895.0
申请日：2022-03-30
Applicant: 哈尔滨理工大学
IPC: C25B1/26 , C25B9/19 , C25B15/02 , C25B15/027 , C25B15/031 , B01J27/06 , B01J35/33 , B01J37/34
Abstract: 一种高催化活性卤氧化铋表相氧空位的调控方法。本发明采用电化学辅助的方法对催化剂进行处理，提高卤氧化铋光催化剂的表相氧空位的浓度，从而大幅度提高降解有机污染物的光催化性。本方法如下：一、将卤氧化铋放入含有水的电解池中，电解池以隔膜分开；二、在搅拌的状态下，通过酸(或碱)调节电解液的pH值；三、将电极插入电解池中，在恒压(或恒流)模式下维持一定时间，通电过程中控制电解池中液体的温度；四、将步骤三得到的粉体过滤后清洗至中性，烘干既得富含高浓度表相氧空位的卤氧化铋粉体。本发明制备方法简单，价格低廉且样品表相氧空位浓度高等优点。
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公开(公告)号：CN116921690A
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202310926519.1
申请日：2023-07-27
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 本发明公开了一种三角片Cu30Au70合金纳米晶的制备方法，主要包括：将氯化铜与氯金酸溶液按照比例混合，加入KBr粉末，生成三角片CuBr并用作模板；加入还原剂，消耗模板，生成三角片Cu30Au70纳米晶。所得产物属于合金固溶体。三角片结构的厚度为100纳米左右，比表面积大，尺寸效应明显。整个制备时间仅需1小时左右，制备过程未使用有机表面活性剂以及强酸强碱等有毒物质。本发明的关键在于精准控制三角片CuBr消耗的速率，避免三角片结构坍塌。相应的，本发明还公开了一种三角片Cu30Au70合金纳米晶，由上述公开的制备方法所得。
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公开(公告)号：CN113814408B
公开(公告)日：2023-05-26
申请号：CN202111171249.5
申请日：2021-10-08
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 本发明公开了一种CuPd合金纳米晶的制备及其组分调控方法，合成方法主要包括：配置可溶性铜盐，加入氯化钾粉末，在高温环境下搅拌均匀后得到混合1；将氯化钯粉末溶于盐酸溶液，高温溶解后加入到混合液1中；加入抗坏血酸溶液,高温搅拌反应5‑6小时。组分调控方法为：调节反应液中盐酸与氯化钯粉末的用量控制合金中Cu与Pd的原子百分比。本方法以水为溶剂，无气体保护下进行，操作方案简单，合成中未添加有机表面活性剂。组分调控的方法将为CuPd合金纳米晶的应用提供了更广阔的空间。
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公开(公告)号：CN110515224B
公开(公告)日：2022-11-08
申请号：CN201910835471.7
申请日：2019-09-04
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 一种双带可灵活选择性调控的石墨烯‑金属槽超材料太赫兹慢光器件，涉及电磁与电磁波技术领域。本发明的目的是要解决现有的可调谐太赫兹EIT超材料慢光器件单工作频带，可调谐范围窄、结构和制备工艺复杂、激励方式所需外部设备繁琐、功能单一、可靠性低、活性材料可选范围窄以及线性属性小的问题。硅衬底层上设置有二氧化硅绝缘层，二氧化硅绝缘层上设置有周期性排列的图形化两石墨烯带结构，石墨烯带结构上设置有周期性排列的图形化金属槽结构，两石墨烯结构分别与第一金属电极Pad 1和第二金属电极Pad 2连接。本发明可获得一种双带可灵活选择性调控的石墨烯‑金属槽超材料太赫兹慢光器件。
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公开(公告)号：CN111036238B
公开(公告)日：2022-08-12
申请号：CN201911141450.1
申请日：2019-11-20
Applicant: 哈尔滨理工大学
IPC: B01J27/049 , B01J35/02 , C02F1/30 , C02F1/72 , C02F101/38 , C02F101/36
Abstract: 一种Fe2O3/WS2异质结光催化剂及其制备方法，属于光催化技术领域。本申请提供一种具有高效光化学能转换效率的光催化剂。本发明所述光催化剂由附载有Fe2O3纳米颗粒的WS2片层构成，呈花状结构；是通过水热反应耦合两种窄带半导体制备得到的一种具有异质结结构的复合材料。本发明制得的光催化剂具有较高的光生电子‑空穴对分离效率，在模拟太阳光光源照射下对亚甲基蓝指示剂溶液具有良好氧化降解效果的同时，对六价铬离子还具有较强的还原性。
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