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公开(公告)号：CN110534909A
公开(公告)日：2019-12-03
申请号：CN201910832612.X
申请日：2019-09-04
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 一种基于MEMS平面结构重构的环偶与电偶可切换的太赫兹超材料转换器及其制备方法，它涉及一种工作模式可切换的太赫兹超材料转换器及其制备方法。本发明的目的是要解决平面太赫兹超材料环偶谐振调谐深度小，激励方式所需外部设备复杂、活性材料可选范围窄以及线性属性小的问题。它包括基体硅衬底、梳齿型静电驱动结构、固定金属结构阵列、可动金属结构阵列和悬浮硅框架。方法：一、沉积二氧化硅层；二、锚结构的光刻胶掩膜图形化；三、锚结构形成；四、结构层键合与减薄；五、金属结构单元图形化；六、光刻胶掩膜图形化；七、刻蚀硅和释放MEMS结构。本发明主要用于制备环偶与电偶可切换的太赫兹超材料转换器。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110515224A
公开(公告)日：2019-11-29
申请号：CN201910835471.7
申请日：2019-09-04
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 一种双带可灵活选择性调控的石墨烯-金属槽超材料太赫兹慢光器件，涉及电磁与电磁波技术领域。本发明的目的是要解决现有的可调谐太赫兹EIT超材料慢光器件单工作频带，可调谐范围窄、结构和制备工艺复杂、激励方式所需外部设备繁琐、功能单一、可靠性低、活性材料可选范围窄以及线性属性小的问题。硅衬底层上设置有二氧化硅绝缘层，二氧化硅绝缘层上设置有周期性排列的图形化两石墨烯带结构，石墨烯带结构上设置有周期性排列的图形化金属槽结构，两石墨烯结构分别与第一金属电极Pad 1和第二金属电极Pad 2连接。本发明可获得一种双带可灵活选择性调控的石墨烯-金属槽超材料太赫兹慢光器件。
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公开(公告)号：CN110473957B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN201910833248.9
申请日：2019-09-04
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 基于选择性静电掺杂石墨烯的可动态调控太赫兹环偶极子超材料器件及其制备方法，它涉及微电子技术和太赫兹超材料功能器件领域。它要解决现有太赫兹环偶极子超材料存在结构和制备工艺复杂、调控方法复杂、功能单一和应用范围窄的问题。器件：包括带有二氧化硅层的低掺杂高阻硅衬底，周期性排列的单元结构，以及与周期性排列的单元结构并列且总厚度相同的第一金属栅电极和第二金属栅电极。方法：硅片预处理；制备图形化石墨烯；制备图形化金属；制备电极；制备聚酰亚胺层；制备图形化石墨烯和图形化金属。本发明器件结构及工艺简单，应用条件简便、所需能量低，易于控制，工作模式可自由切换。本发明应用于微电子技术和太赫兹超材料功能器件领域。
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公开(公告)号：CN110534909B
公开(公告)日：2021-07-30
申请号：CN201910832612.X
申请日：2019-09-04
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 一种基于MEMS平面结构重构的环偶与电偶可切换的太赫兹超材料转换器及其制备方法，它涉及一种工作模式可切换的太赫兹超材料转换器及其制备方法。本发明的目的是要解决平面太赫兹超材料环偶谐振调谐深度小，激励方式所需外部设备复杂、活性材料可选范围窄以及线性属性小的问题。它包括基体硅衬底、梳齿型静电驱动结构、固定金属结构阵列、可动金属结构阵列和悬浮硅框架。方法：一、沉积二氧化硅层；二、锚结构的光刻胶掩膜图形化；三、锚结构形成；四、结构层键合与减薄；五、金属结构单元图形化；六、光刻胶掩膜图形化；七、刻蚀硅和释放MEMS结构。本发明主要用于制备环偶与电偶可切换的太赫兹超材料转换器。
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公开(公告)号：CN110473957A
公开(公告)日：2019-11-19
申请号：CN201910833248.9
申请日：2019-09-04
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 基于选择性静电掺杂石墨烯的可动态调控太赫兹环偶极子超材料器件及其制备方法，它涉及微电子技术和太赫兹超材料功能器件领域。它要解决现有太赫兹环偶极子超材料存在结构和制备工艺复杂、调控方法复杂、功能单一和应用范围窄的问题。器件：包括带有二氧化硅层的低掺杂高阻硅衬底，周期性排列的单元结构，以及与周期性排列的单元结构并列且总厚度相同的第一金属栅电极和第二金属栅电极。方法：硅片预处理；制备图形化石墨烯；制备图形化金属；制备电极；制备聚酰亚胺层；制备图形化石墨烯和图形化金属。本发明器件结构及工艺简单，应用条件简便、所需能量低，易于控制，工作模式可自由切换。本发明应用于微电子技术和太赫兹超材料功能器件领域。
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公开(公告)号：CN110515224B
公开(公告)日：2022-11-08
申请号：CN201910835471.7
申请日：2019-09-04
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 一种双带可灵活选择性调控的石墨烯‑金属槽超材料太赫兹慢光器件，涉及电磁与电磁波技术领域。本发明的目的是要解决现有的可调谐太赫兹EIT超材料慢光器件单工作频带，可调谐范围窄、结构和制备工艺复杂、激励方式所需外部设备繁琐、功能单一、可靠性低、活性材料可选范围窄以及线性属性小的问题。硅衬底层上设置有二氧化硅绝缘层，二氧化硅绝缘层上设置有周期性排列的图形化两石墨烯带结构，石墨烯带结构上设置有周期性排列的图形化金属槽结构，两石墨烯结构分别与第一金属电极Pad 1和第二金属电极Pad 2连接。本发明可获得一种双带可灵活选择性调控的石墨烯‑金属槽超材料太赫兹慢光器件。
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