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公开(公告)号：CN117091727A
公开(公告)日：2023-11-21
申请号：CN202311072606.1
申请日：2023-08-24
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 一种基于PEO的可植入电池温度传感器及其制备方法和应用，它涉及一种传感器及其制备方法和应用。本发明的目的是要解决现有植入电池的温度传感器的结构复杂，工艺要求高，附加监测设备多和成本高昂的问题。一种基于PEO的可植入电池温度传感器，传感器的温敏区域的材质为PEO/CMC/Gr导电复合材料，引脚的材质为银线，温敏区域的下端两侧分别与两条引脚的拐角处相连接。方法：一、制备导电浆料；二、在聚酰亚胺薄膜上分层打印引脚和温敏区域，再覆盖聚酰亚胺薄膜，得到基于PEO的可植入电池温度传感器。该传感器植入到电池内部，用于检测电池内部的温度。本发明可获得一种基于PEO的可植入电池温度传感器。
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公开(公告)号：CN110534910A
公开(公告)日：2019-12-03
申请号：CN201910833267.1
申请日：2019-09-04
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 基于光选择性调控金属-二维有机无机杂化钙钛矿超材料的太赫兹环偶器件及其制备方法，它涉及微电子和太赫兹超材料功能器件领域。它要解决现有太赫兹环偶极子超材料存在结构和制备工艺繁琐、功能单一、应用范围窄的问题。器件：包括衬底、周期性排列的两个双开口金属谐振环结构单元和两个双开口金属谐振环上分别覆盖不同组分的二维有机无机杂化钙钛矿。方法：高阻硅上涂光刻胶，前烘、曝光、显影和定影；淀积金属；淀积Parylene，形成掩膜结构；涂钙钛矿溶液；退火；淀积Parylene，形成掩膜结构；涂钙钛矿溶液；退火。本发明应用条件简便、工作模式可自由切换，工艺简单、成本低。本发明应用于微电子和太赫兹超材料功能器件领域。
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公开(公告)号：CN107799906A
公开(公告)日：2018-03-13
申请号：CN201711071629.5
申请日：2017-11-03
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 本发明提出了一种可调谐的太赫兹石墨烯超材料吸收器，包括叠合在一起的四层结构：图形化的石墨烯超材料顶层、介质中间层、金属底层以及衬底；在所述的衬底上设置金属底层，在所述金属底层上设置介质中间层，在所述介质中间层上设置图形化的石墨烯超材料顶层。本发明采用石墨烯代替传统的金属结构构建太赫兹超材料吸收器，通过静电掺杂调谐两石墨烯圆盘的费米能，从而控制两石墨烯圆盘的谐振特性以及圆盘之间的近场耦合特性，实现对吸收器的吸收强度、带宽和频率灵活控制。
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公开(公告)号：CN117091653A
公开(公告)日：2023-11-21
申请号：CN202311072604.2
申请日：2023-08-24
Applicant: 哈尔滨理工大学
IPC: G01D21/02
Abstract: 一种用于储能系统安全监测的双参量薄膜传感器及其制备方法和应用，它涉及一种传感器及其制备方法和应用。本发明的目的是要解决现有传感器只能检测单一刺激信号，很难做到温度、压力双信号集成，且价格昂贵、配套设施复杂、光信号需解耦，制约了其在电池安全监测领域的发展的问题。一种用于储能系统安全监测的双参量薄膜传感器，由4个温度敏感层、1个压力敏感层、1个叉指电极、4个远端电极和4根导线组成。方法：一、制备浆料；二、制备薄膜；三、制备底层电路；四、制备传感器。一种用于储能系统安全监测的双参量薄膜传感器植入到储能系统中，用于检测储能系统内部的温度和压力。
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公开(公告)号：CN110534910B
公开(公告)日：2021-07-27
申请号：CN201910833267.1
申请日：2019-09-04
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 基于光选择性调控金属‑二维有机无机杂化钙钛矿超材料的太赫兹环偶器件及其制备方法，它涉及微电子和太赫兹超材料功能器件领域。它要解决现有太赫兹环偶极子超材料存在结构和制备工艺繁琐、功能单一、应用范围窄的问题。器件：包括衬底、周期性排列的两个双开口金属谐振环结构单元和两个双开口金属谐振环上分别覆盖不同组分的二维有机无机杂化钙钛矿。方法：高阻硅上涂光刻胶，前烘、曝光、显影和定影；淀积金属；淀积Parylene，形成掩膜结构；涂钙钛矿溶液；退火；淀积Parylene，形成掩膜结构；涂钙钛矿溶液；退火。本发明应用条件简便、工作模式可自由切换，工艺简单、成本低。本发明应用于微电子和太赫兹超材料功能器件领域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110534909A
公开(公告)日：2019-12-03
申请号：CN201910832612.X
申请日：2019-09-04
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 一种基于MEMS平面结构重构的环偶与电偶可切换的太赫兹超材料转换器及其制备方法，它涉及一种工作模式可切换的太赫兹超材料转换器及其制备方法。本发明的目的是要解决平面太赫兹超材料环偶谐振调谐深度小，激励方式所需外部设备复杂、活性材料可选范围窄以及线性属性小的问题。它包括基体硅衬底、梳齿型静电驱动结构、固定金属结构阵列、可动金属结构阵列和悬浮硅框架。方法：一、沉积二氧化硅层；二、锚结构的光刻胶掩膜图形化；三、锚结构形成；四、结构层键合与减薄；五、金属结构单元图形化；六、光刻胶掩膜图形化；七、刻蚀硅和释放MEMS结构。本发明主要用于制备环偶与电偶可切换的太赫兹超材料转换器。
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公开(公告)号：CN117091727B
公开(公告)日：2024-04-23
申请号：CN202311072606.1
申请日：2023-08-24
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 一种基于PEO的可植入电池温度传感器及其制备方法和应用，它涉及一种传感器及其制备方法和应用。本发明的目的是要解决现有植入电池的温度传感器的结构复杂，工艺要求高，附加监测设备多和成本高昂的问题。一种基于PEO的可植入电池温度传感器，传感器的温敏区域的材质为PEO/CMC/Gr导电复合材料，引脚的材质为银线，温敏区域的下端两侧分别与两条引脚的拐角处相连接。方法：一、制备导电浆料；二、在聚酰亚胺薄膜上分层打印引脚和温敏区域，再覆盖聚酰亚胺薄膜，得到基于PEO的可植入电池温度传感器。该传感器植入到电池内部，用于检测电池内部的温度。本发明可获得一种基于PEO的可植入电池温度传感器。
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公开(公告)号：CN117091653B
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202311072604.2
申请日：2023-08-24
Applicant: 哈尔滨理工大学
IPC: G01D21/02
Abstract: 一种用于储能系统安全监测的双参量薄膜传感器及其制备方法和应用，它涉及一种传感器及其制备方法和应用。本发明的目的是要解决现有传感器只能检测单一刺激信号，很难做到温度、压力双信号集成，且价格昂贵、配套设施复杂、光信号需解耦，制约了其在电池安全监测领域的发展的问题。一种用于储能系统安全监测的双参量薄膜传感器，由4个温度敏感层、1个压力敏感层、1个叉指电极、4个远端电极和4根导线组成。方法：一、制备浆料；二、制备薄膜；三、制备底层电路；四、制备传感器。一种用于储能系统安全监测的双参量薄膜传感器植入到储能系统中，用于检测储能系统内部的温度和压力。
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公开(公告)号：CN110473957B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN201910833248.9
申请日：2019-09-04
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 基于选择性静电掺杂石墨烯的可动态调控太赫兹环偶极子超材料器件及其制备方法，它涉及微电子技术和太赫兹超材料功能器件领域。它要解决现有太赫兹环偶极子超材料存在结构和制备工艺复杂、调控方法复杂、功能单一和应用范围窄的问题。器件：包括带有二氧化硅层的低掺杂高阻硅衬底，周期性排列的单元结构，以及与周期性排列的单元结构并列且总厚度相同的第一金属栅电极和第二金属栅电极。方法：硅片预处理；制备图形化石墨烯；制备图形化金属；制备电极；制备聚酰亚胺层；制备图形化石墨烯和图形化金属。本发明器件结构及工艺简单，应用条件简便、所需能量低，易于控制，工作模式可自由切换。本发明应用于微电子技术和太赫兹超材料功能器件领域。
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公开(公告)号：CN110534909B
公开(公告)日：2021-07-30
申请号：CN201910832612.X
申请日：2019-09-04
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 一种基于MEMS平面结构重构的环偶与电偶可切换的太赫兹超材料转换器及其制备方法，它涉及一种工作模式可切换的太赫兹超材料转换器及其制备方法。本发明的目的是要解决平面太赫兹超材料环偶谐振调谐深度小，激励方式所需外部设备复杂、活性材料可选范围窄以及线性属性小的问题。它包括基体硅衬底、梳齿型静电驱动结构、固定金属结构阵列、可动金属结构阵列和悬浮硅框架。方法：一、沉积二氧化硅层；二、锚结构的光刻胶掩膜图形化；三、锚结构形成；四、结构层键合与减薄；五、金属结构单元图形化；六、光刻胶掩膜图形化；七、刻蚀硅和释放MEMS结构。本发明主要用于制备环偶与电偶可切换的太赫兹超材料转换器。
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