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公开(公告)号：CN113500202B
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202110794485.6
申请日：2021-07-14
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 本发明公开了一种高纯度六边形Cu纳米晶的制备方法，主要步骤包括：配置一定浓度的硫酸铜溶液；向硫酸铜溶液加入络合剂，得到混合液；用分液漏斗以0.5毫升/分钟的速率向混合溶液中滴加还原剂；在40～45摄氏度下搅拌反应6‑8小时。本发明利用Cu纳米晶在特定反应温度下的自发熟化形成稳定的六边形结构，未添加任何表面活性剂，确保了所得六边形Cu纳米晶具有“清洁的表面”。整合制备过程在无氮气保护下即可实现，且不需实施较高的温度，操作简单。所得产物纯度高，不含氧化物等杂质。
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公开(公告)号：CN107176837B
公开(公告)日：2019-12-06
申请号：CN201710400616.1
申请日：2017-05-31
Applicant: 哈尔滨理工大学
IPC: H01B3/12 , C04B35/495 , C04B35/622 , C04B35/626
Abstract: 一种超高介电常数钽铌酸钾陶瓷的制备方法。本发明涉及功能陶瓷材料的制备领域，特别是涉及一种高介电常数钽铌酸钾陶瓷的制备方法。本发明是要解决现有钽铌酸钾陶瓷介电常数低限制了其在介电材料领域的应用的问题。方法：一、棒状钽铌酸钾粉体的制备；二、制备超高介电常数的钽铌酸钾陶瓷。本发明用于制备超高介电常数的钽铌酸钾陶瓷。
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公开(公告)号：CN107176837A
公开(公告)日：2017-09-19
申请号：CN201710400616.1
申请日：2017-05-31
Applicant: 哈尔滨理工大学
IPC: C04B35/495 , C04B35/622 , C04B35/626
Abstract: 一种超高介电常数钽铌酸钾陶瓷的制备方法。本发明涉及功能陶瓷材料的制备领域，特别是涉及一种高介电常数钽铌酸钾陶瓷的制备方法。本发明是要解决现有钽铌酸钾陶瓷介电常数低限制了其在介电材料领域的应用的问题。方法：一、棒状钽铌酸钾粉体的制备；二、制备超高介电常数的钽铌酸钾陶瓷。本发明用于制备超高介电常数的钽铌酸钾陶瓷。
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公开(公告)号：CN103696011A
公开(公告)日：2014-04-02
申请号：CN201310750417.5
申请日：2013-12-31
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 锆铥双掺杂铌酸锂晶体及其制备方法，它涉及锆铥双掺杂铌酸锂晶体及其制备方法。它要解决现有铌酸锂晶体不能做为激光晶体材料和铌酸锂晶体抗光损伤能力低的问题。产品：由Nb2O5、LiCO3、ZrO2和Tm2O3制成。方法：一、混合四种原料；二、采用提拉法生长晶体，得到多畴晶体；三、极化，得到极化后的晶体；四、切割、抛光，得到Zr:Tm:LiNbO3晶体。本发明制备的Zr:Tm:LiNbO3晶体光泽度高、成分均一、无瑕疵、无生长条纹和无裂纹产生，抗光损伤性能较高，能够做为激光晶体材料；本发明制备方法简单，便于操作，晶体生长速度快；在制备紧凑型、激光二极管泵浦、全固态可调谐激光器应用前景广阔。
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公开(公告)号：CN103668458A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201310750416.0
申请日：2013-12-31
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 铪钕镱铥四掺杂铌酸锂晶体及其制备方法，它涉及铪钕镱铥四掺杂铌酸锂晶体及其制备方法。它要解决现有技术制备的上转换发光材料存在应用局限性和铌酸锂晶体抗光损伤能力低的问题。产品：由Nb2O5、LiCO3、HfO2、Tm2O3、Yb2O3和Nd2O3制成。方法：一、混合六种原料；二、采用提拉法生长晶体，得到多畴晶体；三、极化，得到极化后的晶体；四、切割、抛光，得到Hf:Nd:Yb:Tm:LiNbO3晶体。本发明制备的Hf:Nd:Yb:Tm:LiNbO3晶体是三方晶系单晶，晶体光泽度高、成分均一、无瑕疵、无生长条纹和无裂纹产生，抗光损伤性能较高；本发明制备方法简单，便于操作，晶体生长速度快。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114736408A
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN202210298742.1
申请日：2022-03-23
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 本发明公开了一种高介电的聚酰亚胺/聚偏二氟乙烯(PI/PVDF)复合薄膜制备方法。首先通过4,4’‑二氨基二苯醚和均苯四甲酸二酐制备出PI的前驱体，然后将PVDF分批添加到PI前驱体中，并在80‑200摄氏度的温度范围内进行低温热亚胺化。该方法可以避免高温处理使PI与PVDF相分离而引入孔洞，是制备出兼顾高介电常数和高介电强度的PI/PVDF复合薄膜有效方法。与传统高温(200摄氏度以上)热亚胺化制备的纯PI薄膜相比，在测试频率为1000赫兹时，质量分数为百分之15的PI/PVDF复合薄膜的相对介电常数可达4.68，是纯PI的1.51倍；储能密度为2.68焦耳/立方厘米，是纯PI的1.49倍。
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公开(公告)号：CN106397798B
公开(公告)日：2019-10-18
申请号：CN201610806328.1
申请日：2016-09-07
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 本发明公开了一种改性BaTiO3/PI介电储能三层结构复合薄膜及其制备方法，所述的改性BaTiO3/PI三层结构复合薄膜是由上下两层为改性BaTiO3纳米粒子所填充的PI复合材料和中间层为纯PI材料构成的。本发明采用原位聚合方法和涂膜工艺制备改性BaTiO3/PI三层结构复合薄膜。通过实验测试发现，该复合薄膜的介电综合性能优异，同时具有较高击穿场强和储能密度，使得它在电容器和储能器方面具有很大应用前景。
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公开(公告)号：CN106192012B
公开(公告)日：2018-11-30
申请号：CN201610807845.0
申请日：2016-09-07
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 本发明公开了一种高介电常数二异丙胺硝酸盐有机晶体及其生长方法，属于单斜晶系，空间群为P21/n，晶胞参数为a=8.1799Å，b=8.3530Å，c=14.3808Å，α=γ=90.00°，β=96.72°。二异丙胺硝酸盐有机晶体采用室温下籽晶溶液蒸发法生长，得到的有机晶体尺寸为11mm×5mm×3mm，通过测试晶体介温谱，发现该晶体有很高的介电常数，该晶体可以应用于电容器等领域。
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公开(公告)号：CN106735180A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201611148043.X
申请日：2016-12-13
Applicant: 哈尔滨理工大学
IPC: B22F1/02
Abstract: 一种聚苯乙烯包覆金属纳米颗粒的方法。本发明涉及有机无机复合纳米粒子制备领域，特别是涉及一种聚苯乙烯包覆金属纳米颗粒的方法。本发明是要解决现有方法不能有效的防止金属纳米颗粒团聚和氧化，且成本高的问题。方法：一、功能化金属纳米颗粒；二、功能化后的金属纳米颗粒、蒸馏水、无水乙醇和聚乙烯吡咯烷酮混合，得到反应体系，将反应体系的温度升温至45℃后，向反应体系中加入苯乙烯和偶氮二异丁腈，将反应体系的温度升温至81℃～84℃，搅拌2h，向反应体系中加入饱和氯化钠溶液进行破乳，对油相进行减压抽滤后洗涤，真空烘干，得到聚苯乙烯包覆的金属纳米颗粒。本发明用于金属纳米颗粒进行包覆，防止金属纳米颗粒团聚和氧化。
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公开(公告)号：CN103724622B
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：CN201310653545.8
申请日：2013-12-06
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 一种铌酸钾钠/聚酰亚胺高介电薄膜的制备方法，它涉及一种铌酸钾钠/聚酰亚胺高介电薄膜的制备方法，本发明的目的是要解决现有的高介电聚合物-陶瓷复合薄膜的介电综合性能较差，不能满足微电子领域高介电柔性薄膜需求的问题，本发明的制备方法为：一、称量原料；二、原料的干燥；三、制备混合溶液A；四、制备混合溶液B；五、制备聚酰胺酸溶液；六、制备亚胺化后的玻璃板；七、脱模、制样，即完成。本发明的铌酸钾钠/聚酰亚胺高介电薄膜的介电综合性能优异，可满足微电子领域高介电柔性薄膜的需求。本发明应用于无机/有机复合材料的制备技术领域。
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