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公开(公告)号：CN115305451A
公开(公告)日：2022-11-08
申请号：CN202210059810.9
申请日：2022-01-19
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 提供一种能够通过移除沉积在准直器的表面上的靶材料来清洁自身的沉积系统。根据本公开的沉积系统包括衬底处理室。所述沉积系统包括：衬底基座，位于衬底处理室中，所述衬底基座被配置成对衬底进行支撑；靶，包围衬底处理室；以及准直器，具有设置在靶与衬底之间的多个中空结构、振动产生单元、及清洁气体出口。
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公开(公告)号：CN114921760A
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN202110854811.8
申请日：2021-07-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 提供一种沉积方法、沉积缺陷侦测方法及沉积系统，沉积系统能够测量在沉积系统中的至少一种薄膜特性(例如：厚度、电阻和组成)。依照本揭露的沉积系统包含基材处理腔室。依照本揭露的沉积系统包含在基材处理腔室中的基材底座，基材底座是配置以支承基材；和封闭基材处理腔室的靶材。提供包含有原位(in situ)量测装置的遮盘。
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公开(公告)号：CN114551720A
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202210023191.8
申请日：2022-01-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本公开涉及使用界面过渡金属化合物层的电阻存储单元及其形成方法。电阻存储单元包括下部电极、电阻过渡金属氧化物层和上部电极。下部电极包括至少一个下部金属阻挡层、下部金属层以及过渡金属化合物层，其中下部金属层包括具有高于2000摄氏度的熔点的第一金属，过渡金属化合物层包括选自Ti、Ta和W的过渡金属的氧化物或氮化物。电阻过渡金属氧化物层包括至少一种过渡金属的形成导电细丝的电介质氧化物并且位于过渡金属化合物层上。上部电极包括上部金属层和至少一个上部金属阻挡层，上部金属层包括第二金属包括具有高于2000摄氏度的熔点的第二金属。
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公开(公告)号：CN109427735B
公开(公告)日：2022-03-08
申请号：CN201810985149.8
申请日：2018-08-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/522 , H01L23/528 , H01L21/768
Abstract: 一种半导体元件包含：具有数个侧壁与底面的第一导电结构，第一导电结构延伸穿过形成在基材上的一或多个隔离层；以及设于第一导电结构的至少一侧壁与一或多个隔离层的各自侧壁之间的绝缘层，其中第一导电结构至少透过底面电性耦合于第二导电结构。
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公开(公告)号：CN113764317A
公开(公告)日：2021-12-07
申请号：CN202110073868.4
申请日：2021-01-20
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/673 , H01L21/316 , H01L21/318 , H01L21/67
Abstract: 一种处理基板的方法、基板舟以及热处理系统，用于半导体晶圆热处理中的基板舟包括用于在例如炉的处理工具中以一水平定向支撑一基板的支撑杆及指形件。该基板通过位于一共同水平面中的指形件组支撑在该基板舟中。这些指形件在该基板的背侧上的支撑位置处接触该基板。这些指形件具有多个不同形状及一基板表面非接触区域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113471140A
公开(公告)日：2021-10-01
申请号：CN202011576888.5
申请日：2020-12-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/768 , H01L23/528 , H01L23/532 , H01L27/06
Abstract: 本公开的实施例描述了一种用于在无衬垫导电结构与下方导电结构之间形成阻挡结构的方法。该方法包括在布置在接触层上的介电层中形成开口，其中，开口暴露接触层中的导电结构。第一金属层沉积在开口中，并且在导电结构的顶表面上生长得较厚，并且在开口的侧壁表面上生长得较薄。该方法还包括将第一金属层暴露于氨以形成具有第一金属层和第一金属层的氮化物的双层，并且随后将氮化物暴露于氧等离子体以将第一金属层的氮化物的一部分转换为氧化物层。该方法还包括去除氧化物层并在第一金属层的氮化物上形成含半导体层。根据本申请的其他实施例，还提供了半导体结构。
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公开(公告)号：CN113451510A
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN202110230854.9
申请日：2021-03-02
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L49/02
Abstract: 一种半导体器件包括衬底、位于该衬底上的第一导电层、第一导电通孔，以及位于该第一导电通孔与该衬底之间的另外的导电层和导电通孔。该第一导电通孔位于衬底与第一导电层之间，并且电连接到第一导电层。该第一导电通孔延伸穿过至少两个介电层，并且具有大于约8千埃的厚度。具有高品质因子的电感器形成在第一导电层中，并且还包括第一导电通孔。本发明的实施例还涉及形成半导体器件的方法。
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公开(公告)号：CN113263490A
公开(公告)日：2021-08-17
申请号：CN202110053312.9
申请日：2021-01-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 揭示了一种机械手、机械手的刀片及其操作方法，用于转移一晶圆的机械手的一刀片包括处于该刀片的一上表面上的一第一感测器及处于该刀片的一后表面上的一第二感测器。该第一感测器可操作以将该刀片与一晶圆对准。该第二感测器可操作以将该刀片与固持该晶圆的一固持器对准。
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公开(公告)号：CN112680710A
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN202011000987.9
申请日：2020-09-22
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本揭露提供一种薄膜沉积腔、多功能遮蔽盘以及多功能遮蔽盘的使用方法。该遮蔽盘包括该遮蔽盘的一个表面上的一灯装置、一DC/RF电力装置，及一气体管道。运用此组态能够简化腔的类型，而不需要诸如一除气腔、一预清洗腔、一CVD/PVD腔的各种特定专用腔。通过使用该多功能遮蔽盘，除气功能及预清洗功能提供于一单一腔内。因此，一分离除气腔及一预清洗腔不再被需要，且腔之间的总传送时间被减小或消除。
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公开(公告)号：CN112680707A
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN202010920153.3
申请日：2020-09-04
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: C23C14/50 , H01L21/687
Abstract: 本揭露提供一种能够使一工件支撑表面倾斜的灵活工件托架和使用上述工作托架的薄膜沉积腔体及薄膜沉积方法。工件托架包括安装于工件支撑表面上的一加热器。加热器包括多个加热源。加热器中的多个加热源允许针对工件的不同区将工件加热至不同温度。通过使用工件托架的可调谐加热特征及倾斜特征，本揭露可减小或消除相关技术中相关工件托架的遮挡效应问题。
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