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公开(公告)号：CN101414090A
公开(公告)日：2009-04-22
申请号：CN200810153618.6
申请日：2008-11-28
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明公开了一种光诱导光折变晶体表面微结构的方法，包括步骤：第一步、选用光折变晶体，对其进行非均匀光的照射，在该光折变晶体的表面和内部形成了空间电荷场的空间分布；第二步、通过电泳或介电泳效应，该光折变晶体的表面对微纳颗粒进行吸附，最后在晶体表面形成了与空间电荷场的空间分布有对应关系的微结构。本发明提供了一种光诱导光折变晶体表面微结构的方法，该方法操作简单，不需要使用光刻胶即可以制备出金属微结构，同时也不需要借助高压、高真空等价格昂贵的设备，有利于广泛的推广应用。
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公开(公告)号：CN1974888A
公开(公告)日：2007-06-06
申请号：CN200610129356.0
申请日：2006-11-11
Applicant: 南开大学
Abstract: 掺锆铌酸锂晶体。本发明属非线性光学晶体领域。它的特征是在铌酸锂晶体中掺入锆离子，锆离子Zr4+的掺入量大于0.01mol％。本发明提供了一种新的抗光折变掺杂离子Zr4+，它的掺杂阈值低，易于生长出高品质的晶体，且抗光折变能力强，超过阈值以后晶体的抗光折变能力比同成份铌酸锂晶体提高6个量级，比同成分掺镁(4.6mol％)铌酸锂晶体提高了3个量级。本发明之掺锆铌酸锂晶体，完全可以取代高掺镁铌酸锂晶体的应用，具有巨大的市场前景。
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公开(公告)号：CN1190530C
公开(公告)日：2005-02-23
申请号：CN02100623.7
申请日：2002-01-25
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明是一种制备掺镁化学比铌酸锂周期极化微结构晶片的工艺，属于非线性光学晶体材料技术领域。由于通常条件下生长出来的同成分本征铌酸锂晶体存在耐光损伤性能低、晶体组分波动大、均匀性和一致性差等缺点，不符合集成光学的要求，特别是制备周期极化全光微结构晶体时需要外加极高的电场，这带来许多困难。为此，本发明提供了一种解决这些技术问题的制备掺镁化学比铌酸锂周期极化微结构晶片的工艺，其技术方案是利用掺镁铌酸锂粉料，采用切氏法制备晶体，之后切成晶片，再用汽相平衡扩散输运技术提高晶体组分的均匀性，在室温下低压极化，使晶片具有周期性的结构，该晶片可以广泛应用于倍频、差频、和频和光参量振荡等变频技术中。
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公开(公告)号：CN1151318C
公开(公告)日：2004-05-26
申请号：CN01144331.6
申请日：2001-12-17
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明属光电材料领域。它提供了一种生长近化学计量比铌酸锂晶体的方法：采用填加K2O助溶剂的方法，降低铌酸锂的熔点，提高晶体的锂铌比，在熔融状态下，利用提拉法生长近化学计量比铌酸锂晶体(包括名义纯和各种掺杂)。该技术生长的晶体中Li2O的含量在49mol.%以上，且光学质量好，适用于产业化。在表面波滤波器、电光调制、电光开关、光波导其激光器、倍频、参量振荡、高密度信息存储、光电器件集成等方面有着非常广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN1142524C
公开(公告)日：2004-03-17
申请号：CN00121093.9
申请日：2000-07-20
Applicant: 南开大学
IPC: G06T9/00
Abstract: 本发明属数字信息存储技术领域。动态差分编码和解码方法，利用四条边定位动态差分编码图中的有效信息编码图，把作为一个整体来考虑的一个或多个象素称为定义块，利用相邻定义块之间的灰度关系进行位的判断。编码图中有效信息的内容包括：文件名、文件长度或/和文件内容。解决了由CCD接收中有效信息的定位问题和光斑不均匀及其它噪音引起的误码率升高的问题，使得误码率低于10-6，这样三维光子存储器就可以走向实际应用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115933179B
公开(公告)日：2025-05-23
申请号：CN202211707548.0
申请日：2022-12-29
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明提供一种基于多层外手性超表面实现全偏振器的方法，包括采用数值计算，模拟不同参数的多层U型金外在手性超表面；然后通过任意一束偏振光倾斜照射按照全偏振器作用的结果；采用电子束光刻蚀技术，在1mm厚的片状材料上，刻蚀出截面为5*5mm2的U型金分裂环谐振器阵列；测量透射光的偏振状态。本发明为实现全偏振转换器提供了一种新的实现方法，在偏振控制相关的应用方向具有重要应用前景。
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公开(公告)号：CN112764164B
公开(公告)日：2024-11-05
申请号：CN202110119552.4
申请日：2021-01-28
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明公开了光纤器件、制造方法及光纤内声致马赫曾德干涉仪，光纤器件包括：单模光纤以及形成于单模光纤一段区域上的三明治结构，三明治结构用于产生声光效应；三明治结构包括与单模光纤同轴的第一声光作用区、第二声光作用区和干涉臂区，干涉臂区位于第一声光作用区和第二声光作用区之间；第一声光作用区与第二声光作用区的直径相等，第一声光作用区的直径小于单模光纤中包层的直径且大于单模光纤中纤芯的直径；干涉臂区的直径小于第一锥区的直径且大于单模光纤中纤芯的直径。实现使光纤内声致马赫曾德干涉仪的结构紧凑、调谐快速、性能稳定、易于制备并降低制造成本。
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公开(公告)号：CN118308791A
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202410715418.4
申请日：2024-06-04
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明涉及一种掺锑铌酸锂晶体及其制备方法和用途，属于非线性光学晶体领域。本发明提供的掺锑铌酸锂晶体由纯度为99.99%的Li2CO3、Nb2O5、Sb2O3和MgO制成，其中，Li和Nb的原子摩尔比为0.90～1.0，Sb2O3的掺杂摩尔分数为0.50%～2.00%，MgO的掺杂摩尔分数为0.00%～6.00%。本发明制备的掺锑铌酸锂晶体的光折变效应显著增强，相比短波长光折变响应时间显著缩短的铋镁双掺铌酸锂晶体，在671 nm激光作用下，响应时间缩短73%，同时抗光损伤能力至少提高了近3倍。
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公开(公告)号：CN112054086B
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202010945696.0
申请日：2020-09-10
Applicant: 南开大学
IPC: H01L31/101 , H01L31/18 , H01L31/0352
Abstract: 本发明涉及一种横向结硅基光电探测器的制备方法，通过脉冲激光制备出的黑硅表面与未加工硅区域之间的载流子导电类型或浓度差异形成横向pn结或异质结，并经由后继退火，钝化，光刻，电极制备等工艺，可形成具有横向结的黑硅光电探测器。该横向结硅基光电探测器在反偏电压下，可高效吸收光子产生电子‑空穴对，并在外电场作用下沿横向迁移，最终形成横向光电流，从而实现光信号探测。本发明具有工艺简单，原材料易获取，易操控，与现有半导体器件工艺兼容等优点，本发明所制备的横向结硅基光电探测器与传统纵向结构探测器相比，一方面有效抑制了暗电流，提高了器件的探测率，另一方面精简了器件的制备流程，更利于器件的制备与集成。
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公开(公告)号：CN117908281A
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202410186060.0
申请日：2024-02-20
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明涉及光开关技术领域，尤其涉及一种基于非平行薄膜波导的光开关及其控制方法，该光开关包括：分光组件；波导传输组件，所述波导传输组件包括对应设置的两个薄膜波导，两个所述薄膜波导对应的侧面具有设定角度，所述波导传输组件设置有一个输入端口区域以及多个输出端口区域，所述分光组件设置于所述波导传输组件的端部且连接于所述输入端口区域。本发明提供一种基于非平行薄膜波导的光开关，降低了光开关的制造成本和难度，本发明采用两块薄膜波导不平行排布的结构设计，利用波导耦合以及光场干涉在横向上的不均匀性，实现光的可偏转传输。
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