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公开(公告)号：CN119855213A
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN202510329586.4
申请日：2025-03-20
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了一种双沟道超结碳化硅MOSFET，包括A型衬底、A型外延层、B型第二阱区、第一沟槽、第二沟槽、漏极金属、栅极金属、源极金属和肖特基金属；A与B的导电类型不同；A型外延层内设有超结区和两个B型第一阱区；超结区包括A型柱状条和两个B型柱状条；两个B型第一阱区设在两个B型柱状条顶部；第一沟槽和第二沟槽设在B型第二阱区两侧；肖特基金属设在第二沟槽底部；栅极金属悬浮在绝缘介质内，位于栅极金属下方的B型第一阱区顶部形成有第一导电沟道，邻近栅极金属的B型第二阱区侧壁形成有第二导电沟道。本发明能在保证高击穿电压和低比导通电阻的同时，还拥有优异的动态性能，并且有着较强的续流能力与较高的可靠性。
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公开(公告)号：CN118488718A
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN202410622797.2
申请日：2024-05-20
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
Abstract: 本发明涉及功率半导体分立器件设计与制造技术领域，公开了一种基于横向变掺杂的共聚物有机场效应晶体管及其制备方法，与传统的VLD技术不同的是，本发明提供的新型结构的共聚物有机场效应晶体管，一方面由于变掺杂浓度形成的多个PN结以及引入的高阻漂移区保证了器件的耐压能力，另一方面由于掺杂剂对于电极起到的修饰作用，可以有效地降低接触电阻，进而提升正向导通电流。
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公开(公告)号：CN118214406A
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202410411936.7
申请日：2024-04-08
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
IPC: H03K17/081 , H03K17/687
Abstract: 本发明涉及一种基于可控栅极电流的SiC MOSFET有源栅极驱动电路，针对双脉冲测试电路（8）中所包含的待测试SiC MOSFET U1，基于依次经驱动电压提供电路（1）、电流转换电路（2）提供驱动电流至电流推挽放大电路（3），并结合可控电流过冲抑制电路（4）检测产生可控的电流过冲抑制电流，以及电压过冲抑制电路（5）检测产生电压过冲抑制电流，由电流推挽放大电路（3）放大驱动电流，对待测试SiC MOSFET U1实现驱动；设计方案实现可控的栅极电流控制，从而在待测试SiC MOSFET U1开关过程中，有序的开启和关断，更加有效的抑制电流电压过冲现象。
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公开(公告)号：CN118175901A
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202410270118.X
申请日：2024-03-11
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
Abstract: 本发明涉及功率半导体分立器件设计与制造技术领域，具体的是涉及横向有机场效应晶体管的制备方法及其制备版图。所述横向有机场效应晶体管的电极包括源极、漏极和栅极，其中源极和漏极之间形成沟道区域，所述沟道区域形成后通过旋涂有机半导体材料形成有机半导体层，且所述沟道区域由有机半导体材料填充，所述制备方法是通过设计横向有机场效应晶体管的电极制备版图，使源漏极之间的沟道区域在宽度方向上外切于以基板中心为圆心的圆；所述基板中心指的是在旋涂有机半导体层材料时基板的旋转中心，所述有机半导体材料为共轭聚合物溶液。所述制备方法是基于旋涂法制备有机层，通过版图优化设计使得有机层的制备原料中的共聚物主链平行于沟道排布，且版图设计能够有效地改善沟道处薄膜的均匀性，进而整体上提高横向有机场效应晶体管器件的性能和稳定性。
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公开(公告)号：CN117766588B
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202410196269.5
申请日：2024-02-22
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/08 , H01L29/06 , H01L21/336
Abstract: 本发明提出了一种具有延伸漏结构的超结双SOI‑LDMOS器件及制造方法，该器件包括：位于第二埋氧层上的第二SOI层，包括半导体区和半导体延伸漏接触区；位于第一埋氧层上的第一SOI层，包括体接触区、源区、漏区以及漂移区；漏极金属，其中漏极金属的第一部分平行于器件纵向的一侧面与第一埋氧层接触，其下表面与半导体延伸漏接触区的上表面；漏极金属的第二部分与半导体漏区的上表面接触。本发明在器件导通时利用第二SOI层中交替排列的第一半导体区和第二半导体区和延伸漏结构，使得第一SOI层漂移区表面感应出多数载流子，降低了比导通电阻；也在器件关断时改善了漂移区的势场分布从而提高了击穿电压。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116288693A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310211232.0
申请日：2023-03-07
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
IPC: C30B25/14 , C30B25/16 , C30B25/10 , C30B29/16 , C23C16/455
Abstract: 本发明属于化学气相沉积的材料生长方法技术领域，具体地说，是一种雾相输运化学气相沉积生长氧化镓的薄膜生长系统，包括气流导管、气流喷管、气流输运管道、气流恒温装置和温度监测装置，气流喷管和温度监测装置通过法兰部分嵌套于气流输运管道内部，气流恒温装置位于气流输运管道内部。气流恒温装置提高了薄膜生长区的热导率，实现薄膜生长区的温场均匀化，气流喷管提前对低温气流进行加热，降低气流对薄膜生长区的温场影响，从而获得更均匀的薄膜生长温度，温度监测可以准确的获得薄膜生长区的温度，从而实现最优的生长环境。本发明为实现高均匀度和高纯度的氧化镓外延薄膜制备提供一种有效的生长系统。
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公开(公告)号：CN116053302A
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202310208764.9
申请日：2023-03-07
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
Abstract: 本发明提出了一种基于双SOI结构的背栅辅助RESURF系统及双SOI结构的制造方法，包括双SOI结构和外围背栅自动电压优化控制电路，其中外围背栅自动电压优化控制电路可对双SOI结构的背栅进行电压控制。本发明与传统的RESURF技术相比，在击穿电压不改变的情况下，降低了导通电阻，改进了两者之间的折中关系，同时也提升了双SOI结构的直流、射频以及开关性能。
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公开(公告)号：CN115132848A
公开(公告)日：2022-09-30
申请号：CN202210672734.9
申请日：2022-06-15
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
IPC: H01L29/786 , H01L21/336
Abstract: 本申请提供了一种高功率密度IGZO薄膜晶体管及其制造方法，包括如下步骤：在基板上形成支撑层，在支撑上形成栅电极层，在栅电极层上形成栅绝缘层，在栅绝缘层上形成低阻有源层，在低阻有源层上形成IGZO有源层，在IGZO有源层上形成源区电极层、漏区电极层，其中源区电极层位于IGZO有源层上方一侧，与栅电极层在水平方向上存在交叠，漏区电极层位于IGZO有源层上方的另一侧，与栅电极在水平方向上存在非交叠区域，形成漏极偏移区，并分别在低阻有源层和IGZO有源层中形成低阻漂移区和IGZO漂移区，钝化层覆盖于IGZO有源层、源区电极层和漏区电极层上方；与现有技术相比，本申请有效降低漂移区电阻，优化电流密度，取得了对IGZO薄膜晶体管功率密度的显著提升。
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公开(公告)号：CN114997092A
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202210686282.X
申请日：2022-06-16
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了基于机器学习和模型的半导体器件电学特性仿真方法，包括步骤1、确定仿真模型；步骤2、确定结构参数或工艺参数；步骤3、获取数据集；步骤4、建立机器学习回归模型；步骤5、预测输入模型参数；步骤6、电学特性仿真。本发明利用机器学习和确定的仿真模型，实现了半导体器件从结构参数与工艺参数到电学特性的仿真，具有仿真速度快，收敛性好，节约计算资源等优点。同时该发明中构建的回归模型能实现从工艺参数到模型参数、工艺参数到结构参数、结构参数到模型参数的预测，能提高设计人员的设计效率，节省设计时间。
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公开(公告)号：CN110416288A
公开(公告)日：2019-11-05
申请号：CN201910705903.2
申请日：2019-08-01
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H01L29/10 , H01L29/739
Abstract: 一种双栅隧穿晶体管结构，包括呈阶梯式厚度递增分布的沟道区5，沟道区5的厚度小的一侧设有源区9，其厚度大的一侧设有源区4，源区9远离沟道区的侧边设有源极8，漏区远离沟道区的侧边设有漏极3，沟道区5的上、下表面分别覆盖第一栅介质层2和第二栅介质层6，第一栅介质层2的上表面覆盖第一栅极1，第二栅介质层6的下表面覆盖第二栅极7，第一栅极1和第二栅极7构成双栅结构。本发明所提供的器件结构既能有效地提高开态隧穿几率和开态电流，又能降低双极态隧穿几率和双极电流。
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