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公开(公告)号：CN117614432B
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202311428545.8
申请日：2023-10-30
申请人： 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
IPC分类号： H03K17/687 , H01L21/336 , H01L29/78
摘要： 本发明提出了一种提升体硅LDMOS性能的动态背栅控制系统及体硅LDMOS的制造方法，该系统包括体硅LDMOS，包括栅极金属及背栅金属；动态背栅控制电路，其包括依次电连接的波形产生器、三电平逆变器、负电压转换器及电平转换器；负电压转换器包括负电压输出端和零电压输出端；负电压输出端连接电平转换器的第一输入端，零电压输出端连接电平转换器的第二输入端并接地；电平转换器的第一输出端连接栅极金属，其第二输出端连接背栅金属。本发明具有独立的背栅电极，通过在衍生的背栅电极上施加偏置，诱导界面电荷，调制外延层的电场分布，增加体内漏电端的电场，使其提高击穿电压，又因其漂移区采用重掺杂而具有低的比导通电阻，改进了两者之间的折中关系。
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公开(公告)号：CN118012220A
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202410411938.6
申请日：2024-04-08
申请人： 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
IPC分类号： G05F3/26
摘要： 本发明涉及一种基于威尔逊电流镜的SiC MOSFET有源栅极驱动电路，基于电流提供电路（1）提供驱动电流，由第一镜像电流源控制开关电路（4）、第二镜像电流源控制开关电路（5）分别检测待测试SiC MOSFET U1的源极的电压，并控制相应第一旁路电流产生电路（2）、第二旁路电流产生电路（3）分别工作，进而对待测试SiC MOSFET U1实现驱动；设计方案在开通和关断过程中设计切入栅极驱动电路的旁路威尔逊电流镜，用于加快开关过程中的栅源电压（#imgabs0#）变化速度，从而在不影响漏源电压（#imgabs1#）、漏极电流（#imgabs2#）过冲的情况下加快开关速度，从而达到减小开关损耗的目的。
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公开(公告)号：CN117766566A
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202410054910.1
申请日：2024-01-15
申请人： 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/08 , H01L29/10 , H01L29/16 , H01L29/417 , H01L29/423 , H01L29/51 , H01L29/78 , H01L21/336
摘要： 本发明公开了集成高K介质三沟槽型碳化硅纵向功率器件及制备方法，包括半导体漏区、半导体漂移区、以及由高K介质深槽区、栅极沟槽区和源极沟槽区形成的三沟槽结构；栅极沟槽区位于高K介质深槽区内部；源极沟槽区包含P型屏蔽区和P型重掺杂块；高K介质深槽区和源极沟槽区之间区域从上至下包含半导体源区、P型阱区和电流扩散层。本发明在开态时，高K介质深槽区能提高栅极氧化物电容，降低阈值电压，并且能提高漂移区掺杂浓度，从而使比导通电阻降低；电流扩散层减轻漂移区JFET效应；在关态时，高K介质深槽区调制漂移区电场，提高击穿电压；源极沟槽区平衡漂移区顶部电场分布，使栅极沟槽拐角处不易击穿，提高栅氧稳定性。
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公开(公告)号：CN116761479A
公开(公告)日：2023-09-15
申请号：CN202310758962.2
申请日：2023-06-26
申请人： 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
摘要： 本发明公开了一种具有垂直栅槽结构的纵向共聚物有机器件的制备方法，包括步骤1、清洗衬底；步骤2、蒸镀漏极；步骤3、旋涂有机半导体层：将共聚物旋涂在衬底及漏极顶部，从而形成有机半导体层；共聚物的旋涂厚度等于有机半导体层长度，且为40～200nm；通过控制共聚物的旋涂浓度和旋涂速度，控制有机半导体层长度；步骤4、刻蚀柱形槽；步骤5、制作栅介质层；步骤6、在栅介质层的顶部中心刻蚀一个同轴的顶部凹槽；步骤7、蒸镀栅极；步骤8、在栅介质层外周的隔离层顶面蒸镀源极。本发明的沟道长度垂直布设，无需借助高精度光刻机仅通过控制有机半导体溶液浓度、旋涂仪加速度和转速等就能实现对器件沟道长度的控制，制造出nm级别沟道。
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公开(公告)号：CN116490005A
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202310440025.2
申请日：2023-04-23
申请人： 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
摘要： 本发明公开了一种具有高栅控性能的共聚物有机场效应晶体管及制备方法，包括源极金属电极、漏极金属电极、以及从下至上依次布设的衬底、有机半导体层、栅极绝缘层和栅极金属电极；源漏极金属电极均呈梳齿状，每个漏极金属齿均与对应梳状齿槽的内壁面均有宽度均为d的梳齿状沟道槽；梳齿状沟道槽内通过填充有机共轭聚合物，从而形成有机半导体层；栅极金属电极位于梳齿状沟道槽正上方的栅极绝缘层顶部，且与梳齿状沟道槽的形状尺寸相同。本发明通过常温PECVD方法生长栅极绝缘层，能避免有机物加热后易氧化分解而失效的问题。另外，本发明能增大导电沟道的长宽比，提高栅控效应，在低栅压时就可获得相对大的导通电流。
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公开(公告)号：CN116347959A
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202310369625.4
申请日：2023-04-10
申请人： 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
摘要： 本发明提供了一种共聚物有机场效应晶体管通孔方法，通过采用阻挡层与刻蚀技术，可以有效的避免显影液以及光刻胶清洗液污染损坏半导体层以及介质层，同时将刻蚀技术引入有机场效应晶体管，解决了有机场效应晶体管长期以来无法实现通孔技术的难题，简便了器件的测试过程，使得有机半导体能够更好的实现集成化。
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公开(公告)号：CN115966596B
公开(公告)日：2023-06-16
申请号：CN202310234418.8
申请日：2023-03-13
申请人： 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/423 , H01L21/336 , H01L29/78
摘要： 本发明公开一种分离槽横向双扩散功率器件及其制造方法，属于基本电气元件的技术领域。该器件包括从下至上依次叠设的半导体衬底和有源区；有源区包括半导体漏区、半导体漂移区和半导体阱区，半导体阱区包含半导体源区和半导体体接触区；在半导体漂移区及栅极区域有源区刻蚀出分离槽及栅极凹槽，分离槽和栅极凹槽底部及四周填充高介电常数介质材料，随后使用二氧化硅将分离槽填满，分离槽及栅极凹槽的刻蚀、淀积均可同时进行；分离槽结构的漂移区纵向拓展电流传导区域并增加高介电常数介质调制面积，有效提高漂移区掺杂浓度；使用高介电常数介质材料制备的槽型栅MIS电容增大，电子积累层密度增大，在保证耐压不变的情况下降低器件导通电阻。
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公开(公告)号：CN115099126A
公开(公告)日：2022-09-23
申请号：CN202210569523.2
申请日：2022-05-24
申请人： 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
摘要： 本发明公开了一种基于机器学习的半导体器件性能相关特征结构参数自动筛选方法，包括：获取器件性能数据集，训练并建立性能预测的机器学习回归模型A，获得器件性能指标；基于特征选择算法，根据器件结构参数在模型中所占权重得到每个器件结构参数重要程度指数；用学习曲线找出该指数最佳阈值，剔除小于最佳阈值的所有器件结构参数，将筛选后的训练特征结构参数子集进行训练，获取器件性能预测回归模型B；将筛选后的测试特征结构参数子集输入训练好的B，获得器件性能指标；将B获得的器件性能指标与A的进行比较，若性能更好，则获取B对应的特征结构参数集；否则重新设计阈值的优化。本发明方法省时高效，精度高，设计成本低。
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公开(公告)号：CN115062549A
公开(公告)日：2022-09-16
申请号：CN202210825760.0
申请日：2022-07-14
申请人： 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
摘要： 本发明是一种基于样本数据的半导体器件仿真结果置信度分析方法，包括如下步骤：步骤1：根据实际样本空间数据来源，分别设置所述实际样本空间数据的置信度权重；步骤2：根据待仿真的器件结构参数，设置邻域半径；步骤3：根据相似性函数将邻域半径内空间点的结构参数与仿真样本结构参数代入所述相似性函数，计算得到邻域半径内空间点的结构参数与仿真样本结构参数之间的相似性；步骤4：根据相似性计算结果，计算获取邻域样本空间相对于仿真样本的置信度。本发明将样本数据的置信度引入置信度公式，有效提高了置信度评估的精度，通过控制邻域的数值，不仅可考虑小范围邻域空间，也可考虑整体数据区间，能有效指导设计进程。
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公开(公告)号：CN118943199A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202411433922.1
申请日：2024-10-15
申请人： 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/423 , H01L21/336 , H01L21/28
摘要： 本发明公开了分裂高K金属栅超结碳化硅沟槽MOSFET及制备方法，包括半导体漏区、半导体N型漂移区、半导体P型漂移区、P型阱区、半导体N型源区、半导体P型源区和分裂高K金属栅结构；分裂高K金属栅结构包括深槽高K介质区、分裂栅金属和栅极金属；分裂栅金属和栅极金属位于深槽高K介质内部；与分裂高K金属栅结构相接触的半导体N型漂移区界面上，从上至下依次布设有半导体源区、P型阱区和半导体漂移区。本发明在动态时，分裂高K金属栅结构能减小漏栅电容，改善器件的动态性能；深槽高K介质区调制漂移区电场提高击穿电压，提高漂移区浓度降低比导通电阻；深槽高K介质区内部的峰值电场得到降低，提高栅介质稳定性。
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