公开(公告)号：CN118943199A

公开(公告)日：2024-11-12

申请号：CN202411433922.1

申请日：2024-10-15

Applicant: 南京邮电大学 ,  南京邮电大学南通研究院有限公司

Inventor： 姚佳飞 ,  杨政飞 ,  朱烨沁 ,  郭宇锋 ,  蔡志匡 ,  李曼 ,  杨可萌 ,  张珺 ,  张茂林 ,  陈静

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

Abstract: 本发明公开了分裂高K金属栅超结碳化硅沟槽MOSFET及制备方法，包括半导体漏区、半导体N型漂移区、半导体P型漂移区、P型阱区、半导体N型源区、半导体P型源区和分裂高K金属栅结构；分裂高K金属栅结构包括深槽高K介质区、分裂栅金属和栅极金属；分裂栅金属和栅极金属位于深槽高K介质内部；与分裂高K金属栅结构相接触的半导体N型漂移区界面上，从上至下依次布设有半导体源区、P型阱区和半导体漂移区。本发明在动态时，分裂高K金属栅结构能减小漏栅电容，改善器件的动态性能；深槽高K介质区调制漂移区电场提高击穿电压，提高漂移区浓度降低比导通电阻；深槽高K介质区内部的峰值电场得到降低，提高栅介质稳定性。