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公开(公告)号：CN119968000A
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202510112748.9
申请日：2025-01-24
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
Abstract: 本发明涉及功率半导体分立器件设计与制造技术领域，具体的是涉及一种基于横向层掺杂的共聚物有机场效应晶体管，通过引入电极修饰层，改善了电极‑半导体界面态，减少了界面陷阱数量，有效地抑制电学性能的变化，并实现了对偏置应力效应所造成不良影响的显著缓解，提高共聚物有机场效应晶体管的可靠性，本发明提供的方案能够在兼容原有工艺流程的基础上增强有机场效应晶体管长期工作的稳定性，使得器件在实际应用中具有更好的性能保持和更长的使用寿命。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118678703A
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202410729873.X
申请日：2024-06-06
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
Abstract: 本发明提供了一种具有浮空场板的垂直结构共聚物有机半导体器件，包括衬底、漏极金属电极、有机半导体层、栅介质层、浮空金属场板、栅极金属电极和源极金属电极；有机半导体层顶部中心设有凹槽，凹槽内沉积有栅介质层；栅介质层顶部中心设有同轴凹槽，凹槽内嵌设有栅极金属电极；环状漏极金属电极和环状源极金属电极同轴布设在衬底表面和有机半导体层表面；位于栅极金属电极和漏极金属电极之间的有机半导体层形成为纵向漂移区；栅介质层内部嵌设有浮空金属场板，浮空金属场板的纵向长度可根据耐压要求进行选择。本发明能拓展耗尽层宽度，削弱电场峰值，对漂移区内击穿电场进行调控，从而提高器件整体的耐压性能。
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公开(公告)号：CN118488718A
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN202410622797.2
申请日：2024-05-20
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
Abstract: 本发明涉及功率半导体分立器件设计与制造技术领域，公开了一种基于横向变掺杂的共聚物有机场效应晶体管及其制备方法，与传统的VLD技术不同的是，本发明提供的新型结构的共聚物有机场效应晶体管，一方面由于变掺杂浓度形成的多个PN结以及引入的高阻漂移区保证了器件的耐压能力，另一方面由于掺杂剂对于电极起到的修饰作用，可以有效地降低接触电阻，进而提升正向导通电流。
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公开(公告)号：CN118175901A
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202410270118.X
申请日：2024-03-11
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
Abstract: 本发明涉及功率半导体分立器件设计与制造技术领域，具体的是涉及横向有机场效应晶体管的制备方法及其制备版图。所述横向有机场效应晶体管的电极包括源极、漏极和栅极，其中源极和漏极之间形成沟道区域，所述沟道区域形成后通过旋涂有机半导体材料形成有机半导体层，且所述沟道区域由有机半导体材料填充，所述制备方法是通过设计横向有机场效应晶体管的电极制备版图，使源漏极之间的沟道区域在宽度方向上外切于以基板中心为圆心的圆；所述基板中心指的是在旋涂有机半导体层材料时基板的旋转中心，所述有机半导体材料为共轭聚合物溶液。所述制备方法是基于旋涂法制备有机层，通过版图优化设计使得有机层的制备原料中的共聚物主链平行于沟道排布，且版图设计能够有效地改善沟道处薄膜的均匀性，进而整体上提高横向有机场效应晶体管器件的性能和稳定性。
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公开(公告)号：CN118317673A
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202410482596.7
申请日：2024-04-22
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
Abstract: 本发明属于有机场效应晶体管器件制造领域，提供了一种有机场效应晶体管的有机半导体层掺杂方法及制备的有机场效应晶体管，通过在半导体层中间加入合适的掺杂层进行排除聚合物晶体中的掺杂阴离子，在不破坏薄膜表面形貌的情况下降低了半导体内陷阱态密度，因而提高薄膜载流子浓度，从而达到将接触电阻大大降低的目的，并降低功率器件的阈值电压、提高器件的载流子迁移率。在实际制造过程中，本发明改进了传统体掺杂导致半导体层溶液配制极大浪费以及配制小批量溶液无法准确控制掺杂比例的不足，通过改变工艺实现了原来工艺不能达到的掺杂比例，简化了制造器件的工艺、控制了器件制作成本。
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公开(公告)号：CN118251019A
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202410400227.9
申请日：2024-04-03
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
Abstract: 本发明属于功率半导体分立器件设计与制造领域，公开了一种具有漏场板结构的有机半导体功率器件，包括器件本体和漏场板。所述器件设置有衬底、有机半导体层、栅极介质层和栅极电极、源电极和漏电极；位于栅极电极和漏电极之间的有机半导体层形成横向漂移区，漏场板采用金属材质，所述通孔是先使用光刻工艺对所需刻蚀的部分进行图案化，再使用刻蚀工艺成孔，最后借助未剥离的光刻胶使用蒸镀工艺填充金属材料形成，所述通孔连接漏电极与漏场板。器件工作在关态时，漏场板的设计能够增加电场峰值点的数量从而均匀电场，提高器件的耐压性能；器件工作在开态时，漏场板的设计可以提高漂移区内的载流子浓度，从而提高器件的饱和电流和开关比。
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