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公开(公告)号：CN101281864A
公开(公告)日：2008-10-08
申请号：CN200810019104.1
申请日：2008-01-11
Applicant: 南京大学
IPC: H01L21/205 , C30B25/02 , C30B29/40 , C30B29/38
Abstract: 改进氢化物气相外延生长GaN材料均匀性的方法，在HVPE生长过程中，将GaCl或者NH3源气体通过石英喷淋头均匀喷洒在生长衬底的表面上。喷淋头由均匀分布的小孔组成石英板喷淋头，石英板喷淋头与生长衬底平行。本发明通过特别的设计控制源气体GaCl或者NH3在衬底表面的均匀分布，从而改善衬底上方发生反应的源气体的分布更加均匀合适。矩形(方形)结构的喷淋头设计，可以使得气流分布的更加均匀，样品无需旋转。
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公开(公告)号：CN100378255C
公开(公告)日：2008-04-02
申请号：CN200510094184.3
申请日：2005-09-01
Applicant: 南京大学
IPC: C30B25/02 , C30B29/40 , H01L21/205
Abstract: 一种a面和m面 GaN 薄膜材料的控制生长方法，在MOCVD系统中用铝酸锂做衬底生长a面或m面的 GaN 材料，在MOCVD系统中对生长的(302)和(100)铝酸锂衬底在500-1050℃温度下进行材料热处理，时间为10-60分钟，或然后通入氨气进行表面氮化，时间为10-60分钟；然后在500-1050℃温度范围通入载气 H2和或 N2， NH3气以及金属有机镓源，金属有机镓源流量为1-50sccm； NH3气500-7000sccm； N 与 Ga 之摩尔比为500-3000，在(302)或(100)铝酸锂衬底上合成生长a面或m面的 GaN 材料，生长温度500-1050℃温度下，时间为10-60分钟。本发明 GaN 薄膜具有更好的应用价值，且薄膜厚度可以控制。
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公开(公告)号：CN1885494A
公开(公告)日：2006-12-27
申请号：CN200610088287.3
申请日：2006-07-07
Applicant: 南京大学
IPC: H01L21/205 , H01L31/0304 , H01L31/036 , H01L33/00 , C30B29/40 , C30B25/02
Abstract: 高结晶铟镓氮单晶外延膜，在蓝宝石衬底先设有GaN缓冲层，且为20－200nm的低温GaN缓冲层；然后生长厚度可达到1－80μm的高结晶的InxGa1－x(0≤x≤1)材料。高结晶铟镓氮单晶外延膜的生长方法，在蓝宝石衬底上利用MOCVD系统先生长GaN缓冲层，在500－700℃温度范围生长厚度在20－200nm的低温GaN缓冲层；然后利用MOCVD生长高结晶的InxGa1－xN材料；接着在GaN缓冲层上以500－1050℃生长高质量InxGa1－xN材料；生长压力在0－700Torr，尤其控制在300－700Torr；其中0≤X≤1材料厚度1μm以上。太阳能电池采用材料In0..3Ga0.7N薄膜，电极采用MSM结构。
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公开(公告)号：CN1268783C
公开(公告)日：2006-08-09
申请号：CN200410014336.X
申请日：2004-03-16
Applicant: 南京大学
Abstract: 金属In预沉积生长氮化铟薄膜的方法，用MOCVD生长InN前，先在衬底表面预沉积一层金属In，沉积时温度在300-500℃，然后才同时通入氨气和三甲基铟，继续生长从而得到氮化铟薄膜，生长温度在300-500℃。本发明在衬底表面预沉积适量的金属In，有利于InN的成核和InN成核岛之间的融合。
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公开(公告)号：CN1811018A
公开(公告)日：2006-08-02
申请号：CN200510123107.6
申请日：2005-12-15
Applicant: 南京大学
Abstract: 一种生长高结晶氮化铟单晶外延膜的方法，在蓝宝石衬底上利用MOCVD系统先生长GaN缓冲层，在500－700℃温度范围生长厚度在20－100nm的低温GaN缓冲层；然后利用MOCVD生长高结晶的InN材料。GaN缓冲层生长后对此缓冲层进行900－1100℃的高温退火；再利用MOCVD生长高结晶的InN材料。本发明实现了在蓝宝石衬底上利用低温GaN做缓冲层在MOCVD系统中生长一种新型材料InN的方法。尤其是设计先生长缓冲层，然后生长高质量高结晶的InN材料。面积尺寸可以达到工业生产使用的尺寸。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1758456A
公开(公告)日：2006-04-12
申请号：CN200510094880.4
申请日：2005-10-18
Applicant: 南京大学
Abstract: 在β－Ga2O3衬底材料上生长InGaN/GaN量子阱LED器件结构的方法，在MOCVD系统中对生长的β－Ga2O3衬底在500－1050℃温度下进行材料热处理，在500－1050℃温度范围通入载气N2，氨气以及金属有机源，通过控制载气，源气体流量以及生长温度等参数，在β－Ga2O3衬底上合成生长低温GaN缓冲层材料；用MOCVD方法在β－Ga2O3衬底上生长GaN缓冲层材料后在500－1050℃温度下掺入Si生长N型GaN；用MOCVD方法在β－Ga2O3衬底上生长N型GaN层，接着生长5－10个周期的GaN/InGaN多量子阱结构。并生长一层P型GaN层，构成LED器件结构。并对该结构在600－800℃温度和0.1－1小时退火时间进行退火激活。
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公开(公告)号：CN1667021A
公开(公告)日：2005-09-14
申请号：CN200510038536.3
申请日：2005-03-23
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明涉及一种新型聚苯胺自组装纳米结构的可控合成方法，本发明方法是将聚合反应在高压釜中以100－250℃的温度、采用质子酸作为掺杂剂进行氧化聚合反应，得到聚苯胺的薄片结构，薄片表面同时具有整齐排列的聚苯胺纳米棒(纤维)阵列。聚苯胺的薄片结构具有很强的发光性质。该聚苯胺纳米阵列自组装结构可望用于电磁波屏蔽材料，抗静电材料，电极材料，高容量电容器材料，三极管、传感器材料，气体分离材料和高效发光材料。
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公开(公告)号：CN1599032A
公开(公告)日：2005-03-23
申请号：CN200410041443.1
申请日：2004-07-21
Applicant: 南京大学
IPC: H01L21/205 , C30B25/02 , C30B29/40
Abstract: 利用氢化物气相外延法和低温缓冲层技术在Si衬底上生长高质量GaN薄膜，在HVPE生长系统或MOCVD系统中，先在较低的400－800℃温度条件下在Si衬底上，以氨气和HCl为气源，生长一层GaN，然后在高温下如1000－1100℃持续生长GaN。低温下生长的GaN层，阻止了氨气对Si衬底的氮化以及高温下Si和HCl的反应，从而使得后续生长的GaN具有较高的质量。
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公开(公告)号：CN1584111A
公开(公告)日：2005-02-23
申请号：CN200410041227.7
申请日：2004-06-10
Applicant: 南京大学
IPC: C23C16/52 , C23C16/458 , C23C16/18
Abstract: 一种金属有机源压力闭环控制系统包括流量计、金属有机源、与反应室相连的调节阀和压力传感器(DP)，其特点是还包括由单片机、数模转换器、放大器所组成的单片机控制电路。载气通过流量计导入到金属有机源，携带了金属有机源气体的混合气体通过调节阀通入到反应室；单片机控制电路通过控制调节阀改变气体的流量，压力传感器将压力转换为电压反馈信号输出。通过控制和反馈的信号使得管路内的压力达到一个动态平衡值，以减小对MOCVD材料生长过程的影响。
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公开(公告)号：CN1399308A
公开(公告)日：2003-02-26
申请号：CN02113086.8
申请日：2002-05-31
Applicant: 南京大学
IPC: H01L21/205 , H01L21/365
Abstract: ZnAl2O4/α－Al2O3复合衬底的制备及ZnAl2O4衬底上GaN薄膜生长方法，先将清洗的α－Al2O3衬底送入脉冲激光淀积(PLD)系统制备ZnO薄膜，生长腔内的氧气偏压气氛下生长ZnO薄膜，然后将上步骤中得到的ZnO/α－Al2O3样品放入高温反应炉中，采用氧气作为反应气氛，ZnO和α－Al2O3在高温下反应得到了ZnAl2O4覆盖层，从而得到了ZnAl2O4/α－Al2O3复合衬底；再将ZnAl2O4/α－Al2O3复合衬底送入GaN的MOCVD生长系统，以MOCVD方法生长GaN薄膜。在GaN的生长过程中，不存在氮化物缓冲层的生长，这不仅能提高生长的重复性，而且也提高了GaN生长系统的利用效率。
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