液氮气化扫描量热法及液氮气化扫描量热仪

    公开(公告)号:CN100394168C

    公开(公告)日:2008-06-11

    申请号:CN200410041802.3

    申请日:2004-08-27

    Applicant: 南京大学

    Abstract: 本发明公开了一种液氮气化扫描量热法及液氮气化扫描量热仪,本发明方法利用样品与液氮进行热交换的过程,进行样品量热;还公开了两种优化方案,即:在样品量热过程中进行欠热补偿或过热补偿,以进一步提高量热精度。同时,本发明还公开了一种实施本专利方法所使用的液氮气化扫描量热仪。本发明方法简单、快捷、准确,所利用的仪器结构简单,消耗的液氮量少,能快捷简便地实现对固体或液体样品比热容、一级或二级相变以及相变潜热的测定。

    新型半导体材料铟镓氮表面势垒型太阳电池及其制备方法

    公开(公告)号:CN1971949A

    公开(公告)日:2007-05-30

    申请号:CN200610098234.X

    申请日:2006-12-06

    Applicant: 南京大学

    CPC classification number: Y02E10/50 Y02P70/521

    Abstract: 铟镓氮表面势垒型太阳电池,选用半导体材料InxGa1-xN(0≤x≤1)为光吸收区和InxGa1-xN MS或MIS结构表面势垒型太阳电池,在蓝宝石衬底材料上生长20-200nm厚度的低温GaN缓冲层,退火后接着外延生长1000-2000nm厚度的高温GaN缓冲层和200-1000nm厚度的InxGa1-XN光吸收层,然后在InxGa1-xN上设有肖特基接触金属Ni和厚引线金属Au形成肖特基结构,以及在InxGa1-xN上淀积2-20nm厚度的Si3N4绝缘薄膜后再设肖特基接触金属和厚引线金属形成金属-半导体-金属结构,并在n-InGaN材料上设有Ti/Al/Ni/Au多层金属导电电极,形成MS和MIS两种结构的表面势垒InGaN太阳电池。

    液氮气化扫描量热法及液氮气化扫描量热仪

    公开(公告)号:CN1598558A

    公开(公告)日:2005-03-23

    申请号:CN200410041802.3

    申请日:2004-08-27

    Applicant: 南京大学

    Abstract: 本发明公开了一种液氮气化扫描量热法及液氮气化扫描量热仪,本发明方法利用样品与液氮进行热交换的过程,进行样品量热;还公开了两种优化方案,即:在样品量热过程中进行欠热补偿或过热补偿,以进一步提高量热精度。同时,本发明还公开了一种实施本专利方法所使用的液氮气化扫描量热仪。本发明方法简单、快捷、准确,所利用的仪器结构简单,消耗的液氮量少,能快捷简便地实现对固体或液体样品比热容、一级或二级相变以及相变潜热的测定。

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