公开(公告)号：CN100433374C

公开(公告)日：2008-11-12

申请号：CN200710019375.2

申请日：2007-01-19

Applicant: 南京大学

Inventor： 江若琏 ,  谢自力 ,  姬小利 ,  周建军 ,  韩平 ,  张荣 ,  刘斌 ,  郑有炓

IPC: H01L31/101 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: GaN基共振增强紫外探测器，正照射式探测器结构是在(0001)蓝宝石衬底上依次设有GaN缓冲层或者AlN、AlUGa1-UN(0.1＜U＜0.9)缓冲层；AlN/AlZGa1-ZN(0≤Z＜0.8)分布布拉格反射镜(DBR)底镜；用于p-i-n型的n-AlYGa1-YN/i-AlXGa1-XN/p-AlYGa1-YN谐振腔或者用于肖特基M-S，M-S-M型的n-AlYGa1-YN/i-AlXGa1-XN谐振腔，其中0≤X＜0.8，0≤Y＜0.9；AlN/AlZGa1-ZN(0≤Z＜0.8)分布布拉格反射镜顶镜；所述底镜和顶镜中的某一个反射镜可以用氧化物介质膜反射镜，谐振腔的两端设有电极，构成GaN基共振增强紫外探测器。

公开(公告)号：CN100463231C

公开(公告)日：2009-02-18

申请号：CN200710025126.4

申请日：2007-07-13

Applicant: 南京大学

Inventor： 江若琏 ,  谢自力 ,  文博 ,  周建军 ,  陈敦军 ,  张荣 ,  韩平 ,  郑有炓

IPC: H01L31/068 ,  H01L31/05 ,  H01L31/052

CPC classification number: Y02E10/52 ,  Y02E10/544

Abstract: 铟镓氮(InGaN)p-n结型多结太阳电池的结构的设置方法，采用p-n结型太阳电池的电流-电压方程、InxGa1-xN禁带宽度与In组分关系式和InxGa1-xN材料的相关参数，计算InGaN多结(含单结)太阳电池的最大转换效率以及获得此转换效率时的其中各结材料的最佳禁带宽度和对应的In组分值，用这些不同In组分的InxGa1-xN为其中各结电池材料，在各结电池之间用隧道结垂直串联起来，在第1结的n(或p)-Inx1Ga1-x1N和最后第i结的p(或n)-InxiGa1-xiN上设有金属导电电极，入射表面覆盖减反射膜。

公开(公告)号：CN101101933A

公开(公告)日：2008-01-09

申请号：CN200710025126.4

申请日：2007-07-13

Applicant: 南京大学

Inventor： 江若琏 ,  谢自力 ,  文博 ,  周建军 ,  陈敦军 ,  张荣 ,  韩平 ,  郑有炓

IPC: H01L31/068 ,  H01L31/05 ,  H01L31/052

CPC classification number: Y02E10/52 ,  Y02E10/544

Abstract: 铟镓氮(InGaN)p-n结型多结太阳电池的结构的设置方法，采用p-n结型太阳电池的电流-电压方程、InxGa1-xN禁带宽度与In组分关系式和InxGa1-xN材料的相关参数，计算InGaN多结(含单结)太阳电池的最大转换效率以及获得此转换效率时的其中各结材料的最佳禁带宽度和对应的In组分值，用这些不同In组分的InxGa1-xN为其中各结电池材料，在各结电池之间用隧道结垂直串联起来，在第1结的n(或p)-Inx1Ga1-x1N和最后第i结的p(或n)-InxiGa1-xiN上设有金属导电电极，入射表面覆盖减反射膜。

公开(公告)号：CN101005105A

公开(公告)日：2007-07-25

申请号：CN200710019375.2

申请日：2007-01-19

Applicant: 南京大学

Inventor： 江若琏 ,  谢自力 ,  姬小利 ,  周建军 ,  韩平 ,  张荣 ,  刘斌 ,  郑有炓

IPC: H01L31/101 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: GaN基共振增强紫外探测器，正照射式探测器结构是在(0001)蓝宝石衬底上依次设有GaN缓冲层或者AlN、AlUGa1－UN(0.1＜U＜0.9＝缓冲层；AlN/AlZGa1－ZN(0≤Z＜0.8＝分布布拉格反射镜(DBR)底镜；用于p－i－n型的n－AlYGa1－YN/i－AlXGa1－XN/p－AlYGa1－YN谐振腔或者用于肖特基M－S，M－S－M型的n－AlYGa1－YN/i－AlXGa1－XN谐振腔，其中0≤X＜0.8，0≤Y＜0.9；AlN/AlZGa1－ZN(0≤Z＜0.8)分布布拉格反射镜顶镜；所述底镜和顶镜中的某一个反射镜可以用氧化物介质膜反射镜，谐振腔的两端设有电极，构成GaN基共振增强紫外探测器。

公开(公告)号：CN1971949A

公开(公告)日：2007-05-30

申请号：CN200610098234.X

申请日：2006-12-06

Applicant: 南京大学

Inventor： 江若琏 ,  谢自力 ,  张荣 ,  文博 ,  周建军 ,  刘斌 ,  陈敦军 ,  郑有炓 ,  韩平 ,  刘成祥

IPC: H01L31/078 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 铟镓氮表面势垒型太阳电池，选用半导体材料InxGa1－xN(0≤x≤1)为光吸收区和InxGa1－xN MS或MIS结构表面势垒型太阳电池，在蓝宝石衬底材料上生长20－200nm厚度的低温GaN缓冲层，退火后接着外延生长1000－2000nm厚度的高温GaN缓冲层和200－1000nm厚度的InxGa1－XN光吸收层，然后在InxGa1－xN上设有肖特基接触金属Ni和厚引线金属Au形成肖特基结构，以及在InxGa1－xN上淀积2－20nm厚度的Si3N4绝缘薄膜后再设肖特基接触金属和厚引线金属形成金属－半导体－金属结构，并在n－InGaN材料上设有Ti/Al/Ni/Au多层金属导电电极，形成MS和MIS两种结构的表面势垒InGaN太阳电池。

公开(公告)号：CN100383985C

公开(公告)日：2008-04-23

申请号：CN200410065181.2

申请日：2004-10-29

Applicant: 南京大学

Inventor： 江若琏 ,  沈波 ,  郑有炓 ,  周建军 ,  陈鹏 ,  张荣 ,  韩平 ,  谢自力 ,  文博 ,  姬小利

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0304 ,  H01L27/14

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 提高氮化镓光导型紫外光电探测器响应度方法，在GaN表面设有AlN窗口材料，在顶层AlN材料上设有导电电极。在兰宝石衬底材料上生长下述异质结构材料：以低温GaN为缓冲层并外延生长GaN吸收层、AlN窗口层，并在顶层AlN材料上设有导电电极。GaN缓冲层、GaN吸收层、AlN窗口层的厚度分别为15-25nm、1200-2200nm、15-50nm。以上述材料制备垂直入射的光导型探测器。在上述条件下在AlN/GaN异质结界面可以获得强的极化电场。提高了收集效率。

公开(公告)号：CN1617358A

公开(公告)日：2005-05-18

申请号：CN200410065181.2

申请日：2004-10-29

Applicant: 南京大学

Inventor： 江若琏 ,  沈波 ,  郑有炓 ,  周建军 ,  陈鹏 ,  张荣 ,  韩平 ,  谢自力 ,  文博 ,  姬小利

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0304 ,  H01L27/14

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 提高氮化镓光导型紫外光电探测器响应度方法，在GaN表面设有AlN窗口材料，在顶层AlN材料上设有导电电极。在蓝宝石衬底材料上生长下述异质结构材料：以低温GaN为缓冲层并外延生长GaN吸收层、AlN窗口层，并在顶层AlN材料上设有导电电极。GaN缓冲层、GaN吸收层、AlN窗口层的厚度分别为15－25nm、1200－2200nm、15－50nm。以上述材料制备垂直入射的光导型探测器。在上述条件下在AlN/GaN异质结界面可以获得强的极化电场。提高了收集效率。