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公开(公告)号:CN100433374C
公开(公告)日:2008-11-12
申请号:CN200710019375.2
申请日:2007-01-19
Applicant: 南京大学
IPC: H01L31/101 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: GaN基共振增强紫外探测器,正照射式探测器结构是在(0001)蓝宝石衬底上依次设有GaN缓冲层或者AlN、AlUGa1-UN(0.1<U<0.9)缓冲层;AlN/AlZGa1-ZN(0≤Z<0.8)分布布拉格反射镜(DBR)底镜;用于p-i-n型的n-AlYGa1-YN/i-AlXGa1-XN/p-AlYGa1-YN谐振腔或者用于肖特基M-S,M-S-M型的n-AlYGa1-YN/i-AlXGa1-XN谐振腔,其中0≤X<0.8,0≤Y<0.9;AlN/AlZGa1-ZN(0≤Z<0.8)分布布拉格反射镜顶镜;所述底镜和顶镜中的某一个反射镜可以用氧化物介质膜反射镜,谐振腔的两端设有电极,构成GaN基共振增强紫外探测器。
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公开(公告)号:CN100383985C
公开(公告)日:2008-04-23
申请号:CN200410065181.2
申请日:2004-10-29
Applicant: 南京大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0304 , H01L27/14
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 提高氮化镓光导型紫外光电探测器响应度方法,在GaN表面设有AlN窗口材料,在顶层AlN材料上设有导电电极。在兰宝石衬底材料上生长下述异质结构材料:以低温GaN为缓冲层并外延生长GaN吸收层、AlN窗口层,并在顶层AlN材料上设有导电电极。GaN缓冲层、GaN吸收层、AlN窗口层的厚度分别为15-25nm、1200-2200nm、15-50nm。以上述材料制备垂直入射的光导型探测器。在上述条件下在AlN/GaN异质结界面可以获得强的极化电场。提高了收集效率。
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公开(公告)号:CN1617358A
公开(公告)日:2005-05-18
申请号:CN200410065181.2
申请日:2004-10-29
Applicant: 南京大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0304 , H01L27/14
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 提高氮化镓光导型紫外光电探测器响应度方法,在GaN表面设有AlN窗口材料,在顶层AlN材料上设有导电电极。在蓝宝石衬底材料上生长下述异质结构材料:以低温GaN为缓冲层并外延生长GaN吸收层、AlN窗口层,并在顶层AlN材料上设有导电电极。GaN缓冲层、GaN吸收层、AlN窗口层的厚度分别为15-25nm、1200-2200nm、15-50nm。以上述材料制备垂直入射的光导型探测器。在上述条件下在AlN/GaN异质结界面可以获得强的极化电场。提高了收集效率。
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公开(公告)号:CN101005105A
公开(公告)日:2007-07-25
申请号:CN200710019375.2
申请日:2007-01-19
Applicant: 南京大学
IPC: H01L31/101 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: GaN基共振增强紫外探测器,正照射式探测器结构是在(0001)蓝宝石衬底上依次设有GaN缓冲层或者AlN、AlUGa1-UN(0.1<U<0.9=缓冲层;AlN/AlZGa1-ZN(0≤Z<0.8=分布布拉格反射镜(DBR)底镜;用于p-i-n型的n-AlYGa1-YN/i-AlXGa1-XN/p-AlYGa1-YN谐振腔或者用于肖特基M-S,M-S-M型的n-AlYGa1-YN/i-AlXGa1-XN谐振腔,其中0≤X<0.8,0≤Y<0.9;AlN/AlZGa1-ZN(0≤Z<0.8)分布布拉格反射镜顶镜;所述底镜和顶镜中的某一个反射镜可以用氧化物介质膜反射镜,谐振腔的两端设有电极,构成GaN基共振增强紫外探测器。
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