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公开(公告)号：CN102642822B
公开(公告)日：2013-08-07
申请号：CN201110041452.0
申请日：2011-02-21
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种分离金属型和半导体型单壁碳纳米管阵列的方法。该方法，包括如下步骤：将氨基功能化胶带或苯基功能化胶带置于位于基底上的金属型和半导体型单壁碳纳米管阵列的表面，加压作用后，即在所述基底上得到金属型或半导体型单壁碳纳米管阵列，完成分离。该分离方法，适用于分离数百微米长度的单壁碳纳米管，同时能够极好的保持单壁碳纳米管的形貌，且不会破坏所需要的单壁碳纳米管的类型。经过氨基功能化胶带处理后的样品，金属型单壁碳纳米管的含量为90％；经过苯基功能化胶带处理后的样品，半导体型单壁碳纳米管的含量为85％。该方法，操作简单，成本低廉，适用于大面积的单壁碳纳米管阵列的分离，具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN101195482B
公开(公告)日：2011-01-26
申请号：CN200710179050.0
申请日：2007-12-10
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种生长半导体性单壁碳纳米管的方法。本发明所提高的生长半导体性单壁碳纳米管的方法，包括如下步骤：1)在基底上放置催化剂；2)将所述基底放置于两个电极板之间，在化学气相沉积系统中采用化学气相沉积方法在所述基底上生长得到半导体性单壁碳纳米管阵列；所述电极板上施加有电压，两个电极板中间形成有电场。本发明采用电场辅助的方法使金属性单壁碳纳米管在生长的过程中受到扰动，从而使半导体性单壁碳纳米管和金属性单壁碳纳米管在生长过程中得到分离，最终选择性生长出半导体性单壁碳纳米管，相对于后处理的方法，直接合成的半导体性碳纳米管没有经过其它处理，具有更完美的结构和分散性，更适合用来构建各种碳纳米管器件。
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公开(公告)号：CN100569637C
公开(公告)日：2009-12-16
申请号：CN200710178428.5
申请日：2007-11-30
Applicant: 北京大学
CPC classification number: B82B3/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/172 , C01B32/18 , C01B2202/02 , C01B2202/22 , Y10S977/734 , Y10S977/845
Abstract: 本发明公开了去除单壁碳纳米管中金属性单壁碳纳米管制备半导体性单壁碳纳米管的方法，是将所述单壁碳纳米管置于一定强度的光下照射，即去除金属性单壁碳纳米管，得到所述半导体性单壁碳纳米管，其中，照射到碳纳米管样品表面、波长范围在180nm～11μm内的光的总强度为30mW/cm2～300mW/cm2。相对于已有的方法，本发明方法具有操作步骤简单易控且环保、去除金属性单壁碳纳米管的效果好、适用性广、成本低廉、并能保持碳管原貌等诸多优点，具有非常强的实用性和广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN101597053A
公开(公告)日：2009-12-09
申请号：CN200910088735.3
申请日：2009-07-10
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种制备全同手性单壁碳纳米管阵列的方法。该方法包括如下步骤：1)通入碳源进行生长反应得到单壁碳纳米管，同时使得到的单壁碳纳米管游离漂浮于基底表面；2)关闭所述碳源结束所述生长反应，同时将所述生长反应的体系进行降温，并同时向所述生长反应的体系中通入惰性气体或还原性气体，使所述单壁碳纳米管着落于所述基底上，得到全同手性单壁碳纳米管阵列。本发明方法制备的全同手性碳纳米管阵列的产率可高达96.5％。另外，本发明方法操作简单，成本低廉、省时省力。因此本发明方法将会有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN100534900C
公开(公告)日：2009-09-02
申请号：CN200610113213.0
申请日：2006-09-19
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供一种控制转移单壁碳纳米管阵列结构的方法，属于纳米结构制备和加工技术领域。该方法包括：(1)在生长基底上制备单壁碳纳米管阵列结构；(2)在其制有单壁碳纳米管阵列结构的生长基底表面旋涂一层聚酯溶液，置于烘箱中烘烤除去溶剂，形成聚酯膜；(3)将覆有聚酯膜的基底置于碱溶液中加热使其微沸，至聚酯膜脱离生长基底而浮起；(4)以超纯水洗净聚酯膜，并将其贴于目标基底表面上，用高纯氮气吹干，再次置于烘箱中烘烤；(5)将表面贴有聚酯膜的目标基底经曝光、显影、定影过程除去聚酯膜，即可高效、方便的将单壁碳纳米管阵列结构保持原貌的控制转移到任意目标基底上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100380139C
公开(公告)日：2008-04-09
申请号：CN200510136315.X
申请日：2005-12-31
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供了一种以自然界存在的生物纳米结构为模板，通过二级复制制备抗反射薄膜的方法。所用的生物模板包括昆虫复眼和翅膀表面所具有的抗反射光子晶体，首先以生物纳米结构为模板真空蒸镀金属，于金属薄膜上得到与生物模板相对应的负型结构；然后以金属负型结构为模板浇铸有机聚合物，经固化后得到表面具有与生物模板一致的纳米结构的有机聚合物薄膜。本发明的抗反射薄膜制备技术工艺简单、成本低、产率高，并可实现大面积的纳米结构制备，所制备的带有表面纳米结构的有机聚合物薄膜具有很强的抗反射效果，成功模仿了生物表面纳米结构的抗反射功能，在光学上具有广泛的应用。
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公开(公告)号：CN101150088A
公开(公告)日：2008-03-26
申请号：CN200610113212.6
申请日：2006-09-19
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/82
Abstract: 本发明提供一种单壁碳纳米管轴向能带调控的实现方法，属于纳电子器件技术领域。该方法包括：(1)在SiO2/Si衬底上构建多个凸起和/或凹陷的微纳结构；(2)在衬底的一端采用微接触印刷法沉积催化剂，利用化学气相沉积方法生长超长单壁碳纳米管阵列；(3)碳纳米管阵列搭在微纳结构上，使得碳纳米管的能带结构沿轴向被调控。碳纳米管与微纳结构相互作用，使得碳纳米管的能带结构沿轴向被调控。本发明可以高效、可控的实现大量碳纳米管的轴向能带调控，可与现行的半导体工业兼容，为碳纳米管器件制备和集成提供了技术支持，具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN1302486C
公开(公告)日：2007-02-28
申请号：CN03157117.4
申请日：2003-09-15
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种导电高分子-碳纳米管纳米电缆及其制备方法。本发明所提供的导电高分子-碳纳米管纳米电缆，由导电高分子壳和碳纳米管核组成，所述纳米电缆的直径在100纳米以下，长度为微米级。本发明的导电高分子-碳纳米管纳米电缆将在能源，光、电子器件，纳米机械的零部件，晶体管，整流器，发光二极管，(生物)传感器，分子器件，双电层电容材料，电磁屏蔽，隐身技术及生命科学等方面得到广泛的应用。
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公开(公告)号：CN1799857A
公开(公告)日：2006-07-12
申请号：CN200510136314.5
申请日：2005-12-31
Applicant: 北京大学
IPC: B41M5/26
Abstract: 本发明的生物模板纳米压印方法主要工艺过程如下：首先在硅片表面涂一层压印胶并干燥，将生物模板具有纳米结构的一面向下置于压印胶表面，并在其上盖另一硅片，然后将之放入纳米压印设备在加热加压条件进行压印，退模后于压印胶表面得到与生物模板相对应的负型结构，从而实现生物表面纳米结构的复制其及特殊功能的模仿。本发明直接以自然界存在的生物表面纳米结构为纳米压印模板，避免了常规模板制备的复杂工艺，而且，生物表面结构在生长过程中形成了一层自然抗粘层，可以进一步简化工艺，降低成本。本发明所用生物模板可以进行多次压印，重复使用，并可实现大面积的纳米结构制备。
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公开(公告)号：CN119851105A
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN202411963500.5
申请日：2024-12-30
Applicant: 北京深势科技有限公司 , 北京大学
IPC: G06V10/98 , G06V10/26 , G06V10/30 , G06V10/774 , G06V10/80
Abstract: 本发明实施例涉及一种优化电镜图质量的处理方法和装置，所述方法包括：将一个完成模型预训练的DDPM模型记为第一预训练模型；并通过在第一预训练模型上融合多个LoRA适配器的方式得到第一融合模型；采集多个球差电镜图组成对应的第一训练图集；基于第一训练图集对第一融合模型的参数集L进行微调；微调结束后，基于第一融合模型的第二去噪自编码器对任意普通透射电镜图进行对应的电镜图质量优化处理得到对应的优化电镜图。通过本发明可以优化普通透射电镜图的图像质量使之达到球差电镜图的质量水平，并可以提高模型微调效率、降低模型使用成本。
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