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公开(公告)号：CN101671013B
公开(公告)日：2011-04-06
申请号：CN200810222216.7
申请日：2008-09-11
Applicant: 北京大学
IPC: C01B31/02
Abstract: 本发明公开了一种克隆生长单壁碳纳米管的方法。该方法是将至少有一端开口的单壁碳纳米管放入化学气相沉积容器中，在所述容器中通入Ar气和H2，其中Ar气和H2的气体流量分别为500sccm、300sccm；将所述容器由室温升至到700℃，并恒温稳定10～60分钟，之后升到二次生长温度900～1050℃，达到二次生长温度后关闭Ar气体，继续通300sccm氢气，然后通入碳源，二次生长5～30分钟，得到克隆生长的单壁碳纳米管；所述碳源为下述a)或b)：所述a)为气体流量为50～300sccmCH4和气体流量为1～20sccmC2H4；所述b)为气体流量为50～300sccmCH4和气体流量为1～20sccmC2H4。这种以开口生长机理克隆生长单壁碳纳米管的技术可以推广到其它纳米结材料的合成中，具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN100402420C
公开(公告)日：2008-07-16
申请号：CN200610113178.2
申请日：2006-09-18
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了异径单壁碳纳米管的制备方法。本发明方法，包括如下步骤：1)将固定有催化剂的基片放入化学气相沉积系统的石英管中并使带有催化剂的一端正对着气流方向；将催化剂在Ar/H2气氛中加热到850℃-1000℃；2)通过Ar载带乙醇进入化学气相沉积系统的炉体生长碳纳米管，生长过程中通过炉体温度改变扰动碳纳米管的生长，在基片上得到所述异径单壁碳纳米管。本发明方法避免了引入模板，掺杂催化剂，热诱导和电场诱导等复杂、耗能的工艺，具有工艺简单、成本低、产率高等优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1919728A
公开(公告)日：2007-02-28
申请号：CN200610113178.2
申请日：2006-09-18
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了异径单壁碳纳米管的制备方法。本发明方法，包括如下步骤：1)将固定有催化剂的基片放入化学气相沉积系统的石英管中并使带有催化剂的一端正对着气流方向；将催化剂在Ar/H2气氛中加热到850℃－1000℃；2)通过Ar载带乙醇进入化学气相沉积系统的炉体生长碳纳米管，生长过程中通过炉体温度改变扰动碳纳米管的生长，在基片上得到所述异径单壁碳纳米管。本发明方法避免了引入模板，掺杂催化剂，热诱导和电场诱导等复杂、耗能的工艺，具有工艺简单、成本低、产率高等优点。
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公开(公告)号：CN101597053A
公开(公告)日：2009-12-09
申请号：CN200910088735.3
申请日：2009-07-10
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种制备全同手性单壁碳纳米管阵列的方法。该方法包括如下步骤：1)通入碳源进行生长反应得到单壁碳纳米管，同时使得到的单壁碳纳米管游离漂浮于基底表面；2)关闭所述碳源结束所述生长反应，同时将所述生长反应的体系进行降温，并同时向所述生长反应的体系中通入惰性气体或还原性气体，使所述单壁碳纳米管着落于所述基底上，得到全同手性单壁碳纳米管阵列。本发明方法制备的全同手性碳纳米管阵列的产率可高达96.5％。另外，本发明方法操作简单，成本低廉、省时省力。因此本发明方法将会有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN101597053B
公开(公告)日：2011-04-13
申请号：CN200910088735.3
申请日：2009-07-10
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种制备全同手性单壁碳纳米管阵列的方法。该方法包括如下步骤：1)通入碳源进行生长反应得到单壁碳纳米管，同时使得到的单壁碳纳米管游离漂浮于基底表面；2)关闭所述碳源结束所述生长反应，同时将所述生长反应的体系进行降温，并同时向所述生长反应的体系中通入惰性气体或还原性气体，使所述单壁碳纳米管着落于所述基底上，得到全同手性单壁碳纳米管阵列。本发明方法制备的全同手性碳纳米管阵列的产率可高达96.5％。另外，本发明方法操作简单，成本低廉、省时省力。因此本发明方法将会有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN101671013A
公开(公告)日：2010-03-17
申请号：CN200810222216.7
申请日：2008-09-11
Applicant: 北京大学
IPC: C01B31/02
Abstract: 本发明公开了一种克隆生长单壁碳纳米管的方法。该方法是将至少有一端开口的单壁碳纳米管放入化学气相沉积容器中，在所述容器中通入Ar气和H 2 ，其中Ar气和H 2 的气体流量分别为500sccm、300sccm；将所述容器由室温升至到700℃，并恒温稳定10～60分钟，之后升到二次生长温度900～1050℃，达到二次生长温度后关闭Ar气体，继续通300sccm氢气，然后通入碳源，二次生长5～30分钟，得到克隆生长的单壁碳纳米管；所述碳源为下述a)或b)：所述a)为气体流量为50～300sccmCH 4 和气体流量为1～20sccm C 2 H 4 ；所述b)为气体流量为50～300sccmCH 4 和气体流量为1～20sccm C 2 H 4 。这种以开口生长机理克隆生长单壁碳纳米管的技术可以推广到其它纳米结构材料的合成中，具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN101009222A
公开(公告)日：2007-08-01
申请号：CN200710063106.6
申请日：2007-01-26
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/28 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开了制备碳纳米管电子器件的方法，该方法包括如下步骤：1)使碳纳米管分布在绝缘电介质层基底表面；2)在绝缘电介质层基底上镀上金属薄膜；3)在金属薄膜上形成图案化的自组装单层膜；4)刻蚀；5)后处理。与文献中已有的方法比较，本发明方法具有很多独特的优点：方法简单易行，不需要复杂和昂贵的仪器设备；属于并行处理类的方法，能够实行工业自动化和大规模集成；可以突破光刻技术的极限，达到几十个纳米量级的电极间距；操作条件温和，在室温进行反应，避免了化学气相沉积不能适用于低熔点金属的特点；工艺周期很短，全部过程只需要五个小时左右；产率高，成本低廉，应用范围广泛，具备商业化运用的广阔前景。
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