公开(公告)号：CN101597053A

公开(公告)日：2009-12-09

申请号：CN200910088735.3

申请日：2009-07-10

Applicant: 北京大学

Inventor： 张锦 ,  姚亚刚 ,  戴小川 ,  刘忠范

IPC: C01B31/02 ,  B82B3/00

Abstract: 本发明公开了一种制备全同手性单壁碳纳米管阵列的方法。该方法包括如下步骤：1)通入碳源进行生长反应得到单壁碳纳米管，同时使得到的单壁碳纳米管游离漂浮于基底表面；2)关闭所述碳源结束所述生长反应，同时将所述生长反应的体系进行降温，并同时向所述生长反应的体系中通入惰性气体或还原性气体，使所述单壁碳纳米管着落于所述基底上，得到全同手性单壁碳纳米管阵列。本发明方法制备的全同手性碳纳米管阵列的产率可高达96.5％。另外，本发明方法操作简单，成本低廉、省时省力。因此本发明方法将会有广阔的应用前景。

公开(公告)号：CN101597053B

公开(公告)日：2011-04-13

申请号：CN200910088735.3

申请日：2009-07-10

Applicant: 北京大学

Inventor： 张锦 ,  姚亚刚 ,  戴小川 ,  刘忠范

IPC: C01B31/02 ,  B82B3/00

Abstract: 本发明公开了一种制备全同手性单壁碳纳米管阵列的方法。该方法包括如下步骤：1)通入碳源进行生长反应得到单壁碳纳米管，同时使得到的单壁碳纳米管游离漂浮于基底表面；2)关闭所述碳源结束所述生长反应，同时将所述生长反应的体系进行降温，并同时向所述生长反应的体系中通入惰性气体或还原性气体，使所述单壁碳纳米管着落于所述基底上，得到全同手性单壁碳纳米管阵列。本发明方法制备的全同手性碳纳米管阵列的产率可高达96.5％。另外，本发明方法操作简单，成本低廉、省时省力。因此本发明方法将会有广阔的应用前景。