-
公开(公告)号：CN111485224B
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN201910085922.X
申请日：2019-01-29
IPC分类号： C23C16/44 , C23C16/458 , C23C16/26
摘要： 本发明提供了一种化学气相沉积装置及化学气相沉积方法。化学气相沉积装置用于制备薄膜材料，包括第一腔室、第二腔室、过渡腔室、底盘以及传送机构。第一腔室和第二腔室用于薄膜材料的生长或后处理。过渡腔室通过隔离件分别连通于第一腔室和第二腔室。底盘用于装载生长衬底。传送机构被配置为在第一腔室和过渡腔室之间传送底盘，以及在第二腔室和过渡腔室之间传送底盘。本发明提供的化学气相沉积方法利用上述的装置进行薄膜材料的生长或后处理。
-
公开(公告)号：CN114572970B
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202210291247.8
申请日：2022-03-23
IPC分类号： C01B32/186
摘要： 本申请提供一种分区式石墨烯薄膜制备装置，包括放料腔、收料腔和高温腔。放料腔内部设置有放料辊。收料腔内部设置有收料辊。高温腔设置在放料腔和收料腔之间，高温腔的内部设置有载具，载具的上方设置有限域挡板，限域挡板与载具形成一狭缝，限域挡板邻近放料腔，狭缝和载具均由放料腔向收料腔延伸，狭缝的延伸长度是载具的延伸长度的30％～60％，载具的下方设置有加热器。通过以上设计，可实现衬底预处理区域和石墨烯薄膜的高温生长区域分开，且预处理和高温生长可以同时进行。
-
公开(公告)号：CN118147603A
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202410288656.1
申请日：2024-03-13
IPC分类号： C23C16/26 , C23C16/52 , C23C16/455
摘要： 本发明公开一种石墨烯薄膜及其制备方法和制备装置。所述制备装置包括用于放置基底的载体和设置在所述载体上方的矫正板，所述矫正板与所述载体之间在沿碳源气体的流动方向的角度θ可调节。本发明通过在气相沉积中设置夹角可变的矫正板与载体，可以解决在放大生产过程中基底沿气流方向的尺寸增长带来的不均匀性问题，实现了大尺寸高质量高均匀性石墨烯薄膜的制备。
-
公开(公告)号：CN115611272B
公开(公告)日：2024-04-23
申请号：CN202110788224.3
申请日：2021-07-13
IPC分类号： C01B32/194
摘要： 本发明提供一种石墨烯薄膜的转移方法，包括：在直接生长于金属基底上的石墨烯薄膜表面形成有机胶层，得到有机胶层/石墨烯薄膜/金属基底复合体；在有机胶层表面粘附聚合物膜/硅树脂层复合膜；除去金属基底，得到聚合物膜/硅树脂层/有机胶层/石墨烯薄膜复合体；将聚合物膜/硅树脂层/有机胶层/石墨烯薄膜复合体的石墨烯薄膜侧面向目标衬底贴合；加热除去聚合物膜/硅树脂层复合膜；及用有机溶剂除去有机胶层。本发明的转移方法，利用有机胶层隔离石墨烯薄膜与聚合物膜/硅树脂复合层直接接触，避免加热揭去聚合物膜/硅树脂复合层时应力作用导致石墨烯破损；并且有机胶与石墨烯表面相互作用较弱，不易残留，可提高石墨烯薄膜的完整度和洁净度。
-
公开(公告)号：CN117623291A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202311723576.6
申请日：2023-12-14
IPC分类号： C01B32/186
摘要： 本发明公开一种双层石墨烯薄膜的制备方法，包括：S1，向气相沉积系统通入氢气和甲烷进行气相沉积反应，在基底上生长具有双层石墨烯畴区的石墨烯核；S2，向所述气相沉积系统中通入氧气；以及S3，提高甲烷分压，继续进行生长。本发明的化学气相沉积法直接生长双层石墨烯薄膜的方法，首先形成具有双层石墨烯小核；接着通入氧气刻蚀除去不稳定的石墨烯核，最后增加甲烷的分压以促进双层石墨烯的生长，从而制备出第二层石墨烯层面积与第一层面积相差不大的双层石墨烯薄膜。并且本发明的方法可以形成具有任意扭转角度的双层石墨烯薄膜。
-
公开(公告)号：CN117602617A
公开(公告)日：2024-02-27
申请号：CN202311369646.2
申请日：2023-10-20
摘要： 本发明提供一种双层石墨烯薄膜的生长方法，包括：以具有高指数面的铜镍合金为衬底，高温气相沉积生长石墨烯后降温偏析生长石墨烯；其中所述高温气相沉积生长石墨烯包括：在900～1150℃下气相沉积生长石墨烯；所述降温偏析生长石墨烯包括：以一定降温速率下从所述高温气相沉积生长石墨烯阶段结束温度降温至500～860℃，在这一时段进行所述降温偏析生长石墨烯。本发明通过采用高指数面的铜镍衬底，使用两步法(高温生长和降温偏析生长)可以制备出双层覆盖度高达90％、三层及以上畴区覆盖度小于6％的双层石墨烯薄膜。实现了抑制三层及以上石墨烯畴区成核及长大，有望提高双层石墨烯的性能及拓展其应用场景。
-
公开(公告)号：CN117348231A
公开(公告)日：2024-01-05
申请号：CN202311374117.1
申请日：2023-10-23
IPC分类号： G02B21/28
摘要： 本发明提供一种用于光学观测装置的盖板组件及光学观测装置，该盖板组件包括盖板本体、第一观察窗和第二观察窗，第一观察窗设置于盖板本体内；第二观察窗设置于盖板本体内，第一观察窗和第二观察窗平行间隔设置，液冷系统环设于第一观察窗和第二观察窗的周围，用于对第一观察窗和第二观察窗进行液冷冷却。风冷系统设置于盖板本体内并设置于第一观察窗和第二观察窗之间，用于对第一观察窗和第二观察窗进行风冷冷却。在盖板本体的内部同时具有液冷系统和风冷系统，采用液冷和风冷相结合的方式，冷却效果好，延长显微镜的使用寿命，且加热器的尺寸无需进行限制，从而保证光学观测装置的检测效果。
-
公开(公告)号：CN113802107B
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202010546760.8
申请日：2020-06-16
IPC分类号： C23C16/26 , C23C16/509 , C01B32/186
摘要： 本发明提供一种利用PECVD制备石墨烯的装置及方法，装置包括沉积炉、等离子体源、第一极板和第二极板，第一极板设置于沉积炉内，第一极板连接于等离子体源的发射端；第二极板设置于沉积炉内，第二极板与第一极板相对设置，且在沉积炉的第一区域具有重叠部分，第二极板连接于等离子体源的接地端。相比现有技术中的电感耦合的方式，由于第一极板和第二极板之间以电容耦合方式激发等离子体，使等离子的分布更均匀，生长在基底上的石墨烯更加均匀，提高了石墨烯薄膜的质量。通过相对设置的极板产生等离子体的方式，使两个极板间产生的辉光区域的面积相比现有技术线圈产生的辉光区域的面积更大，进而本实施例的装置能够生长出大尺寸的石墨烯。
-
公开(公告)号：CN116856050A
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN202210315664.1
申请日：2022-03-28
摘要： 本发明公开了一种适用于单晶石墨烯晶圆生长的合金衬底。单晶石墨烯晶圆的制备包括以下步骤：1)构筑铜钴(111)合金晶圆，其中将磁控溅射制备的铜钴合金/蓝宝石晶圆置于化学气相沉积系统中进行退火处理，得到铜钴(111)合金晶圆；2)通入气态碳源，在所述铜钴(111)合金晶圆表面外延生长单晶石墨烯。本方法一方面有利于解决现有铜晶圆高温退火单晶化时表面的热沟壑问题，从而提高合金晶圆的表面平整度和均匀性。另一方面，本方法利用钴元素自身的高催化活性和溶碳量，可以实现石墨烯单晶晶圆畴区尺寸、生长速率和层数的有效调控。
-
公开(公告)号：CN116764540A
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202210237978.4
申请日：2022-03-11
摘要： 本申请提供一种石墨烯包覆电极材料的制备系统及制备方法。制备系统包括抽气装置、输料装置、动力装置、反应管、射频线圈和加热炉，动力装置为输料装置提供动力。反应管内部容纳输料装置，反应管的两端分别密封连接动力装置和抽气装置。反应管的侧壁上设置有进料口、进气口和出料口，反应管与抽气装置连接的一端设置有出气口。射频线圈套设在反应管的外部并靠近动力装置，加热炉设置在反应管的外部并靠近抽气装置，加热炉与射频线圈在沿反应管径向方向上具有一间隔。通过以上设计，可实现石墨烯原位包覆电极材料，并有利于实现快速均匀包覆。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
339 条记录 (耗时 0.036 秒)
