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公开(公告)号：CN112850696A
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN202110147885.8
申请日：2021-02-03
IPC: C01B32/194
Abstract: 本发明提供了一种石墨烯薄膜的转移方法、石墨烯薄膜及石墨烯复合结构，该转移方法包括：提供第一石墨烯复合结构，所述第一石墨烯复合结构包括依次设置的基底层、石墨烯层、缓冲层和聚合物层；去除所述第一石墨烯复合结构的基底层，得到第二石墨烯复合结构；将所述第二石墨烯复合结构转移至目标基底；以及去除所述缓冲层和所述聚合物层；其中，所述缓冲层包含冰片，所述聚合物层用于为脱离所述基底的所述石墨烯层提供支撑。本发明一实施方式的方法，相较于现有技术，可提高转移后石墨烯薄膜的完整度、洁净度。
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公开(公告)号：CN108493456B
公开(公告)日：2021-03-12
申请号：CN201810391695.9
申请日：2018-04-27
IPC: H01M4/66 , H01M10/0525
Abstract: 本发明提供电池正极极片、应用其的锂离子电池及降低界面电阻的方法。该电池正极极片，包括：正极集流体，所述正极集流体包括石墨烯复合铝箔材料层；形成于所述正极集流体表面的电极活性材料，包括电极正极材料、粘结剂及导电添加剂；其中，所述石墨烯复合铝箔材料层包括：铝箔基底、平行位于所述铝箔基底表面的平面石墨烯层、及垂直位于所述平面石墨烯层上的垂直石墨烯层；所述导电添加剂的含量占所述电极活性材料含量的质量百分比为2％～12％。通过借助使用具有垂直石墨烯层的石墨烯复合铝箔作为正极极片的集流体材料，可以有效降低正极极片的界面电阻。
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公开(公告)号：CN108493456A
公开(公告)日：2018-09-04
申请号：CN201810391695.9
申请日：2018-04-27
IPC: H01M4/66 , H01M10/0525
Abstract: 本发明提供电池正极极片、应用其的锂离子电池及降低界面电阻的方法。该电池正极极片，包括：正极集流体，所述正极集流体包括石墨烯复合铝箔材料层；形成于所述正极集流体表面的电极活性材料，包括电极正极材料、粘结剂及导电添加剂；其中，所述石墨烯复合铝箔材料层包括：铝箔基底、平行位于所述铝箔基底表面的平面石墨烯层、及垂直位于所述平面石墨烯层上的垂直石墨烯层；所述导电添加剂的含量占所述电极活性材料含量的质量百分比为2％～12％。通过借助使用具有垂直石墨烯层的石墨烯复合铝箔作为正极极片的集流体材料，可以有效降低正极极片的界面电阻。
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公开(公告)号：CN113802107B
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202010546760.8
申请日：2020-06-16
IPC: C23C16/26 , C23C16/509 , C01B32/186
Abstract: 本发明提供一种利用PECVD制备石墨烯的装置及方法，装置包括沉积炉、等离子体源、第一极板和第二极板，第一极板设置于沉积炉内，第一极板连接于等离子体源的发射端；第二极板设置于沉积炉内，第二极板与第一极板相对设置，且在沉积炉的第一区域具有重叠部分，第二极板连接于等离子体源的接地端。相比现有技术中的电感耦合的方式，由于第一极板和第二极板之间以电容耦合方式激发等离子体，使等离子的分布更均匀，生长在基底上的石墨烯更加均匀，提高了石墨烯薄膜的质量。通过相对设置的极板产生等离子体的方式，使两个极板间产生的辉光区域的面积相比现有技术线圈产生的辉光区域的面积更大，进而本实施例的装置能够生长出大尺寸的石墨烯。
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公开(公告)号：CN112746262B
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN201911035935.2
申请日：2019-10-29
IPC: C23C16/26 , C23C16/505 , C23C16/54 , C01B32/186
Abstract: 本公开提供一种石墨烯复合金属箔及其双面生长方法和装置，该装置包括化学气相沉积炉、放卷轴和收卷轴，其中化学气相沉积炉包括依次连接的等离子体辉光区和加热生长区；放卷轴和收卷轴分别位于化学气相沉积炉的两侧，通过放卷轴和收卷轴的转动，以带动金属箔进出化学气相沉积炉并在其上沉积生长石墨烯；其中等离子体辉光区内设有包括平板的支架，平板的上下区域均包括中空区域，金属箔平直通过平板表面并悬空于加热生长区，使金属箔双面生长石墨烯。该装置通过特殊的支架设计，可以在金属箔材基底上一次制备得到双面生长的垂直结构石墨烯，生长温度低，垂直结构石墨烯结构和总厚度可控性高，金属种类和材质适应性广，适用于工业化大规模生产。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113802107A
公开(公告)日：2021-12-17
申请号：CN202010546760.8
申请日：2020-06-16
IPC: C23C16/26 , C23C16/509 , C01B32/186
Abstract: 本发明提供一种利用PECVD制备石墨烯的装置及方法，装置包括沉积炉、等离子体源、第一极板和第二极板，第一极板设置于沉积炉内，第一极板连接于等离子体源的发射端；第二极板设置于沉积炉内，第二极板与第一极板相对设置，且在沉积炉的第一区域具有重叠部分，第二极板连接于等离子体源的接地端。相比现有技术中的电感耦合的方式，由于第一极板和第二极板之间以电容耦合方式激发等离子体，使等离子的分布更均匀，生长在基底上的石墨烯更加均匀，提高了石墨烯薄膜的质量。通过相对设置的极板产生等离子体的方式，使两个极板间产生的辉光区域的面积相比现有技术线圈产生的辉光区域的面积更大，进而本实施例的装置能够生长出大尺寸的石墨烯。
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公开(公告)号：CN112746262A
公开(公告)日：2021-05-04
申请号：CN201911035935.2
申请日：2019-10-29
IPC: C23C16/26 , C23C16/505 , C23C16/54 , C01B32/186
Abstract: 本公开提供一种石墨烯复合金属箔及其双面生长方法和装置，该装置包括化学气相沉积炉、放卷轴和收卷轴，其中化学气相沉积炉包括依次连接的等离子体辉光区和加热生长区；放卷轴和收卷轴分别位于化学气相沉积炉的两侧，通过放卷轴和收卷轴的转动，以带动金属箔进出化学气相沉积炉并在其上沉积生长石墨烯；其中等离子体辉光区内设有包括平板的支架，平板的上下区域均包括中空区域，金属箔平直通过平板表面并悬空于加热生长区，使金属箔双面生长石墨烯。该装置通过特殊的支架设计，可以在金属箔材基底上一次制备得到双面生长的垂直结构石墨烯，生长温度低，垂直结构石墨烯结构和总厚度可控性高，金属种类和材质适应性广，适用于工业化大规模生产。
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公开(公告)号：CN112850696B
公开(公告)日：2022-11-22
申请号：CN202110147885.8
申请日：2021-02-03
IPC: C01B32/194
Abstract: 本发明提供了一种石墨烯薄膜的转移方法、石墨烯薄膜及石墨烯复合结构，该转移方法包括：提供第一石墨烯复合结构，所述第一石墨烯复合结构包括依次设置的基底层、石墨烯层、缓冲层和聚合物层；去除所述第一石墨烯复合结构的基底层，得到第二石墨烯复合结构；将所述第二石墨烯复合结构转移至目标基底；以及去除所述缓冲层和所述聚合物层；其中，所述缓冲层包含冰片，所述聚合物层用于为脱离所述基底的所述石墨烯层提供支撑。本发明一实施方式的方法，相较于现有技术，可提高转移后石墨烯薄膜的完整度、洁净度。
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公开(公告)号：CN108550787A
公开(公告)日：2018-09-18
申请号：CN201810383085.4
申请日：2018-04-26
IPC: H01M4/13 , H01M4/133 , H01M4/62 , H01M4/66 , H01M10/0525
Abstract: 提供一种锂离子电池正极，包括由正极活性材料和集流体组成的正极，所述集流体包括铝箔和在所述铝箔表面的石墨烯层，所述正极由水系浆料涂布至所述集流体制备得到。还提供包括本发明正极的锂离子电池。本发明的锂离子电池正极，将石墨烯复合铝箔用作集流体，克服了水系浆料对普通铝箔的化学腐蚀，为环保、低成本的锂离子电池正极材料的水系浆料技术开发奠定了基础。本发明的正极，普适性高，适合工业化生产。
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公开(公告)号：CN212425452U
公开(公告)日：2021-01-29
申请号：CN202021106694.4
申请日：2020-06-16
IPC: C01B32/186
Abstract: 本实用新型提供一种载具，应用于利用PECVD制备石墨烯的装置中，该装置包括两个相对设置的极板以及生长基底，载具包括套筒、多个第一支撑部和多个第二支撑部，套筒呈中空结构；多个第一支撑部设于套筒内，且沿垂直于极板的方向间隔设置；多个第二支撑部设于套筒内，且沿垂直于极板的方向间隔设置；每个极板的相对两侧能分别搭接于多个第一支撑部的其中一个上和多个第二支撑部的其中一个上，两个极板平行设置；生长基底的相对两侧能分别搭接于多个第一支撑部的另一个上和多个第二支撑部的另一个上，且生长基底位于两个极板之间。
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