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公开(公告)号：CN117602617A
公开(公告)日：2024-02-27
申请号：CN202311369646.2
申请日：2023-10-20
Abstract: 本发明提供一种双层石墨烯薄膜的生长方法，包括：以具有高指数面的铜镍合金为衬底，高温气相沉积生长石墨烯后降温偏析生长石墨烯；其中所述高温气相沉积生长石墨烯包括：在900～1150℃下气相沉积生长石墨烯；所述降温偏析生长石墨烯包括：以一定降温速率下从所述高温气相沉积生长石墨烯阶段结束温度降温至500～860℃，在这一时段进行所述降温偏析生长石墨烯。本发明通过采用高指数面的铜镍衬底，使用两步法(高温生长和降温偏析生长)可以制备出双层覆盖度高达90％、三层及以上畴区覆盖度小于6％的双层石墨烯薄膜。实现了抑制三层及以上石墨烯畴区成核及长大，有望提高双层石墨烯的性能及拓展其应用场景。
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公开(公告)号：CN119750565A
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202411958336.9
申请日：2024-12-27
IPC: C01B32/205
Abstract: 本发明提供一种微米级厚石墨膜及其生长方法。将含碳量高的物质分散于有机溶剂中涂覆于金属箔上，干燥后得到碳膜/金属箔；或将含碳量高的物质制成薄片后放置在金属箔上，得到碳膜/金属箔；在保护性气氛中，对样品施加电流，利用电流焦耳热效应对所述碳膜/金属箔进行加热，停止通电，在金属箔表面得到微米级厚石墨膜。本发明利用金属衬底在高温‑低温的变温过程中对碳的溶解‑析出制备石墨膜，由于金属衬底对石墨晶格存在外延关系，因此能直接析出AB堆垛的石墨薄膜，从而在更低的温度下实现碳的石墨化；利用电流的焦耳热特性对反应体系进行辐射加热，有效提高了加热效率，实现了在数秒内从室温提升至生长温度，减少副反应带来的影响，提高原料利用率。
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公开(公告)号：CN220812613U
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202322593331.8
申请日：2023-09-22
Applicant: 北京石墨烯研究院 , 北京石墨烯研究院有限公司 , 北京大学
IPC: C23C16/458 , C23C16/26 , C01B32/186 , B82Y40/00
Abstract: 本实用新型提供一种石墨烯制备载具及石墨烯制备装置，涉及石墨烯生产制备技术领域。用于放置在CVD设备的石英管内的石墨烯制备载具包括支架、滑杆、压合件和多个生长衬底，滑杆设置于支架，压合件套设于滑杆并与其滑动配合，压合件起到压合和配重平衡的作用。多个生长衬底与压合件沿滑杆的轴向方向排布设置并设置于压合件和支架之间，生长衬底套设于滑杆并与其滑动配合。其中，支架被配置为相对于石英管转动，使压合件沿滑杆向靠近生长衬底的方向滑动并抵压生长衬底。辅助石墨烯薄膜的生长复合一体化，减少石墨烯薄膜表面被污染的风险，提高石墨烯薄膜的表面清洁度和石墨烯薄膜压合的工艺稳定性，从而提高石墨烯薄膜的生产质量。
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公开(公告)号：CN220977132U
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202322965901.1
申请日：2023-11-02
Applicant: 北京石墨烯研究院 , 北京石墨烯研究院有限公司
IPC: C23C16/26 , C01B32/186 , B82Y40/00 , C23C16/458
Abstract: 本实用新型提供一种石墨烯制备载具及石墨烯制备装置，涉及石墨烯生产制备技术领域。用于放置在石墨烯生长设备的反应腔室内的石墨烯制备载具包括支架、旋转杆、滑杆和多片生长衬底，旋转杆连接于支架；滑杆设置于支架，滑杆和旋转杆垂直设置；多片生长衬底设置于支架内并套设于滑杆的外部，生长衬底设置于旋转杆的同侧。其中，旋转杆被配置为带动支架相对于反应腔室转动，使多片生长衬底沿滑杆的轴向方向滑动，用于相邻两片生长衬底相互接触并压合。生长衬底在石墨烯薄膜生长和压合过程中无需从滑杆上拆卸或移除，辅助实现石墨烯高温生长、石墨烯和生长衬底复合一体化，提高石墨烯和生长衬底界面洁净度。
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