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公开(公告)号：CN119750565A
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202411958336.9
申请日：2024-12-27
IPC: C01B32/205
Abstract: 本发明提供一种微米级厚石墨膜及其生长方法。将含碳量高的物质分散于有机溶剂中涂覆于金属箔上，干燥后得到碳膜/金属箔；或将含碳量高的物质制成薄片后放置在金属箔上，得到碳膜/金属箔；在保护性气氛中，对样品施加电流，利用电流焦耳热效应对所述碳膜/金属箔进行加热，停止通电，在金属箔表面得到微米级厚石墨膜。本发明利用金属衬底在高温‑低温的变温过程中对碳的溶解‑析出制备石墨膜，由于金属衬底对石墨晶格存在外延关系，因此能直接析出AB堆垛的石墨薄膜，从而在更低的温度下实现碳的石墨化；利用电流的焦耳热特性对反应体系进行辐射加热，有效提高了加热效率，实现了在数秒内从室温提升至生长温度，减少副反应带来的影响，提高原料利用率。
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